در حال حاضر تحقیقات وسیعی روی استفاده از مولکول های آلی به عنوان قطعات الکترونیکی و اسپینترونیک مولکولی در حال انجام است. در اسپنترونیک مولکولی از مولکول های آلی به خاطر ساختار قابل کنترلشان، ارزان بودن، انعطاف پذیربودن و همچنین طول همدوسی اسپینی بزرگی که نسبت به فلزات و نیم رسانا های رایج دارند، به عنوان کانال مولکولی مورد استفاده قرار می گیرد. در این پژوهش ابتدا، خواص ساختاری و الکترونی الیگو تیوفن های-n (1n= الی 10(n= خالص و متصل به سولفور، با استفاده از رهیافت نظریه تابع چگالی (dft) و تقریب شیب تعمیم یافته (gga)توسط کد محاسباتی siesta بررسی شده است.سپس، با استفاده از روش تابع گرین غیرتعادلی (negf)، فرمول بندی لاندائور- بوتیکر و کد محاسباتیtransiesta ، خواص ترابرد الکترونی سیم های مولکولی، الکترود طلا / الیگو تیوفن های-n / الکترود طلا را برای صفحات (100) و (111) طلا، در دو زاویه صفر و 90 درجه مورد بررسی قرار داده ایم. در مرحله بعد، خواص ترابرد وابسته به اسپین الیگوتیوفن ها در پیوندگاه تونلی، الکترود آهن/ الیگوتیوفن ها-n / الکترود آهن برای صفحات (100) و (111) آهن بررسی شده است.