مشخصه یابی مواد از روی سنجش ویژگی های انتقالی ، بینش ارزشمندی را درباره ی خصوصیات فیزیکی آنها ارایه می دهد. برخی از معمولترین پدیده های انتقالی عبارتند از رسانندگی ، اثر سی بک و اثر هال . پدیده های کمتر شناخته شده دیگر عبارتند از اثر نرنست ،اثر اتینگشاوزن و اثر ریگی – لدیوس. در این پژوهش ضرایب گفته شده در موادی از قبیل نیمه رساناهایی با ساختارهای سه بعدی و نانو ساختار های دو بعدی ویک بعدی بررسی شده است. مهمترین ویژگی فیزیکی مورد بررسی تغییرات ضریب شایستگی الکتریکی مواد، zt ،است. هرچه مقدار این ضریب بیشتر باشد ماده ی مورد نظر می تواند انرژی حرارتی اتلافی بیشتری را به انرژی الکتریکی تبدیل کند. zt وابسته به رسانندگی الکتریکی، ضریب سی بک و رسانندگی گرمایی است. به علاوه اثر میدان مغناطیسی بر ضریب شایستگی الکتریکی مواد به صورت نظری مورد مطالعه قرار گرفته است . برای توصیف این ضرایب از روش نیمه کلاسیکی معادله ی انتقال بولتزمن با تقریب زمان واهلش استفاده می شود. حرکت حامل ها در نتیجه ی فرایندهای پراکندگی و سوق صورت می گیرد، بر اساس این که پراکندگی حامل ها مهم ترین نقش را در شبیه سازی انتقال بار ایفا می کند ، پراکندگی های ناخالصی یونیزه و فونون آکوستیک را که منجر به زمان واهلش های مجزا می شود معرفی شده است. در ادامه با داشتن اطلاعات کافی از معادله ی انتقال بولتزمن، ضرایب ترموالکتریکی به ازای پراکندگی های مختلف در حضور میدان مغناطیسی برای ساختارهای ذکر شده بدست می آید.