در این پایان نامه گزارشی از ساخت و تست یک دیود شاتکی تولید شده با نیمه هادی ‏‎gaas‎‏ توسط دستگاه رونشستی پرتر ملکولی ‏‎(mbe)‎‏ ارائه می گردد.جهت ساخت این دیود، بعد از رشد اپیتاکسی ‏‎gaas‎‏ روی زیر لایه تک بلور با جهت (100) فلز آلومینیوم را در خلا بسیار بالا روی لایه مذکور نشانده، تا پیوند شاتکی تشکیل گردد. برای انجام تست ابتدا پروفایل ناخالصی، قابلیت تحرک ومقاومت مخصوص لایه ‏‎n‎‏ رشد داده شده را بدست آودره و پس از نشاندن لایه آلومینیوم مشخصه ‏‎c/v, i/v‎‏ دیود را ترسیم و با برازش منحنی های بدست آمده با روابط تئوری ضریب نزدیکی به آیده آل، جریان نشتی، خازن پیوند و مقاومت سری دیود را یافته و فرکانس قطع را محاسبه می کنیم.در نهایت می توان نشان داد که مقادیر بدست آمده با نتایج دیگران تطابق داشته و دیود رشد داده شده مشخصه های الکتریکی خوبی را در مقایسه با روشهای دیگر از خود نشان می دهد.