در این پایان نامه عملکرد یک ترانزیستور bjt لایه نازک بررسی گردیده است. به این منظور یک ساختار bjt جانبی دو امیتری متقارن (sde lbjt) روی زیر پایه soi طراحی و بررسی شده است. از توزیع ناخالصی های مناسب جهت بهبود کارآیی ترانزیستور استفاده شده است. شبیه سازی ها نشان می دهد که ترانزیستور خصوصیات dc خوبی دارد. در ابتدا تغییرات بهره جریان با عرض بیس بررسی شده است مشاهده شده که با کاهش عرض بیس مقدار بهره جریان افزایش می یابد. سپس تغییرات بهره جریان با ضخامت ترانزیستور مورد مطالعه قرار گرفته و مشاهده شد که با کاهش ضخامت مقدار بهره جریان نیز کاهش پیدا می کند. در ادامه تا?ثیر تغییر عرض بیس و تغییر ضخامت ترانزیستور بر منحنی مشخصه ترانزیستور بررسی شده و مشاهده شد که با کاهش ضخامت مقدار ولتاژ شکست افزایش می یابد. در کل بهره جریان ساختار sde lbjt در جریان بایاس کم بسیار بالاست، که کاربرد این ترانزیستور را در توانهای پایین میسر می سازد. همچنین ولتاژ شکست و فرکانس کار خوبی برای آن بدست آمده است.