در تحقیق حاضر ترابرد اسپینی در یک دیواره حوزه مغناطیسی که در بین دو ناحیه فرومغناطیس با مغناطش پاد موازی قرار دارد مطالعه شده است. معادلات پخش برای مولفه های انباشت اسپینی عرضی با استفاده از معادلات جنبشی در فضای ویگنر و پس از آن افت ولتاژ و مقاومت الکتریکی اضافی از انباشت اسپینی در دیواره مغناطیسی محاسبه شده است. نتایج به دست آمده نشان دهنده این نکته است که انباشت اسپینی عرضی از دو قسمت مستقل و وابسته به مکان تشکیل شده است طوریکه در دیواره های ضخیم انباشت اسپینی در داخل دیواره مستقل از مکان و در دیواره های نازک وابسته به مکان است (بجز در مرزهای دیواره). افت ولتاژ و مقاومت الکتریکی اضافی از انباشت اسپینی به صورت نمایی بر حسب ضخامت دیواره کاهش می یابد. سپس اثر جفت شدگی اسپین-مدار راشبا بر روی انباشت اسپینی و نتیجه آن بر روی مقاومت الکتریکی اضافی بررسی شده است. نتایج این بررسی نشان دهنده افزایش انباشت اسپینی عرضی و مقاومت الکتریکی اضافی تحت تأثیر این برهمکنش است.