ترانزیستورهای لایه نازک پلی سیلسیمی (poly-si tft) در سال های اخیر، به جهت کاربردهای آنها در نمایشگرهای کریستال مایع ماتریسی فعال amlcd) ها) بطور گسترده ای مورد تحقیق و مطالعه قرارگرفته اند. برای این کاربردها، poly-si tft های با مقیاس پایین ،کارآیی خوب و قابلیت اطمینان بالا مورد نیاز است. یکی از مشکلات poly-si tft ها بزرگ بودن جریان نشتی آنها و نیز بالا بودن میدان الکتریکی افقی نزدیک درین، بدلیل حضور مرزهای دانه در کانال است که باعث مشخصات سوئیچینگ ضعیف می شود. راه حل های متفاوتی جهت کاهش جریان های نشتی و نیز میدان الکتریکی نزدیک درین، برای ساختارهای poly-si tft پیشنهاد شده است. در این پروژه ساختاری ارائه شده که با تغییر ضخامت اکسید در زیر گیت های کناری در ترانزیستورهای لایه نازک سه گیتی (tg-tft ها) عملکرد و کارآیی ترانزیستور بهبود یافته و مشخصه های آن ارتقاء یافته اند. رسانایی متقابل قطعه با کاهش ضخامت اکسید در زیر گیت های کناری بهبود می یابد که این بدلیل قابلیت کنترل بیشتر گیت است.علاوه بر این در ساختار پیشنهادی، ما یک کاهش 1000 برابری در جریان خاموشی داشته ایم و کاهش میدان الکتریکی نزدیک درین، بسیاری ازاثرات نا مطلوب کانال کوتاه راکاهش داده است.