Haji Nasiri, S.
Islamic Azad University, Science and Research Branch, Tehran
[ 1 ] - Time Domain Analysis of Graphene Nanoribbon Interconnects Based on Transmission Line Model
Time domain analysis of multilayer graphene nanoribbon (MLGNR) interconnects, based on transmission line modeling (TLM) using a six-order linear parametric expression, has been presented for the first time. We have studied the effects of interconnect geometry along with its contact resistance on its step response and Nyquist stability. It is shown that by increasing interconnects dimensions...
[ 2 ] - مدل مداری و ماتریس انتقال خطوط ارتباطی نانولوله‌های کربنی چندلایه ناهمسان باندل شده-
با استفاده از مدل خط انتقال چندگانه، مدل مداری جامعی برای استفاده در خطوط ارتباطی نانولوله‌های کربنی چندلایه ناهمسان باندل شده پیشنهاد می‌شود. با بهره گیری از مدل مداری پیشنهادی، یک مدل الگوریتمی نیز جهت محاسبه ماتریس انتقال این نوع خطوط ارتباطی ارائه می‌گردد. در مدل مداری و به تبع آن مدل الگوریتمی ماتریس انتقال، اثرات سلفی و خازنی و همچنین تونل زنی بین لایه‌های کربنی لحاظ شده است. برای هر چه د...
[ 3 ] - تحلیل پاسخ زمانی و نایکوئیست لیزر خودسامانده نقطه کوانتومی InGaAs-GaAs با استفاده از مدل تابع انتقال
با استفاده از معادلات نرخ لیزر خود سامانده نقطه کوانتومی ایندیم گالیم آرسناید - گالیم آرسناید، تابع انتقال این نوع لیزر استخراج و ارائه می شود بطوریکه با بهره گیری از آن می توان انواع تحلیلهای حوزه زمان و پایداری در حوزه فرکانس را انجام داد. در حوزه زمان، تابع انتقال ارائه شده رفتار حالت گذرا و دائمی لیزر را به صورت یکجا محاسبه می کند. همچنین این تابع انتقال می تواند در شبیه سازهای مداری نظیر ا...
[ 4 ] - Vacancy Defects Induced Magnetism in Armchair Graphdiyne Nanoribbon
Spin-polarized electronic and transport properties of Armchair GraphdiyneNanoribbons (A-GDYNR) with single vacancy (SV), two types of configurations fordouble vacancy (DV1, DV2) and multi vacancy (MV) defects are studied by nonequilibriumGreen’s function (NEGF) combined with density functional theory (DFT).The results demonstrate that the A-GDYNR with the SV has the lowe...
[ 5 ] - طراحی اینورتر گرافنی یکپارچه و مدل سازی ماتریس انتقال آن
ابتدا ساختار یکپارچه ای برای اینورتر گرافنی شامل ترانزیستور اثر میدان گرافنی و خط ارتباطی گرافنی ارائه می شود. دلیل ارائه ساختار یکپارچه برای اینورتر گرافنی حذف مقاومتهای اتصال اهمی، شاتکی و اثرات پارازیتی در محل اتصال خطوط ارتباطی فلزی متداول به گیت، سورس و درین ترانزیستور است. سپس با استفاده از مدل مداری ادوات گرافنی به کار رفته در ساختار پیشنهادی، مدل ماتریس انتقال مدار اینورتر گرافنی ...
نویسندگان همکار