نتایج جستجو برای: رسانش الکتریکی

تعداد نتایج: 14350  

ژورنال: :علوم 0
حسن ربانی hassan rabani assistant professor in shahrekord universityهیات علمی دانشگاه شهرکرد آزاده مظلوم شهرکی azadeh mazloom shahraki msc student in shahrekord universityدانشجوی ارشد دانشگاه شهرکرد

در این مقاله با اتصال دو زنجیرۀ اتمی یک نواخت به اتم­های دو جای گاه متقابل نانونوارهای گرافن به بررسی رسانش الکترونی و گاف انرژی آن می پردازیم. محاسبات به کمک روش تابع گرین و رهیافت بستگی قوی در تقریب همسایۀ اول انجام می­شود. بررسی منحنی­های رسانش بر حسب انرژی الکترون ورودی نشان می دهد که برای یک نانونوار زیگزاگ گرافن به عرض یک حلقۀ بنزنی هیچ گافی در نوار انرژی سامانه وجود ندارد، در حالی که در ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه علم و صنعت ایران - دانشکده مهندسی موادو متالورژی 1386

تحقیقات علمی جهت ساخت کامپوزیت مس-اکسیدآلومینیم کمتر از ده سال است که در دنیا آغاز شده و هر روز مشکلات دستیابی به این هدف کاهش می یابد. در این پروژه سعی شده است. ضمن ارایه ی نتایج فعالیت های انجام شده در این زمینه، شرایط عملی ساخت کامپوزیت cu-al2o3 به روش متالورژی پودر و اکسیداسیون داخلی مورد بررسی قرار گیرد. در تحقیق حاضر فرآیند ساخت نانوکامپوزیت cu-al2o3 با استفاده از پودرهای مس، آلومینیم و ا...

ژورنال: :مجله فیزیک کاربردی 2015
محمد مردانی حسن ربانی فاطمه مقدسی

د در این مقاله، در رهیافتِ تنگ­بست و به روش تابعِ گرین به محاسبۀ رسانش و عدد اِشغالِ الکترونی یک مولکول بنزن پرداخته ایم، که به­صورتِ اتّصال­های اُرتو، مِتا و پارا به دو هادی فلزّی ساده متّصل شده است. اثرِ عواملی همچون محل اتّصالِ هادی ها، قدرتِ دوپارش و اِعمالِ ولتاژ، را روی مقدارِعدد اِشغالِ الکترونی در مسیرهای ممکنِ عبورِ الکترون بررسی کرده­ایم. نتایجِ محاسبات حسّاسّیتِ نسبتاً زیاد مقدارِ عدد اِشغال را به این عوامل نشا...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
زهرا تربتیان z torbatian isfahan university of technologyدانشگاه صنعتی اصفهان سیدجواد هاشمی فر sj hashemifar isfahan university of technologyدانشگاه صنعتی اصفهان هادی اکبرزاده h akbarzadeh isfahan university of technologyدانشگاه صنعتی اصفهان هدی السادات جبلی hs jebeli isfahan university of technologyدانشگاه صنعتی اصفهان

محاسبه ضریب هال در رهیافت نیمه کلاسیک نیاز به مشتق های اول و دوم انرژی در نزدیک سطح فرمی دارد. بدین منظور ما از توابع وانیر بیشینه-جایگزیده استفاده می کنیم و ویژه مقادیر انرژی و مشتقات آنها را در پایه این توابع، در هر نقطه اختیاری k در فضای وارون، به دست می آوریم. در این کار توابع وانیر بیشینه - جایگزیده را برای فلزات مکعبی pb ، pd ، li ، cu ، au ، ag و al محاسبه کردیم. سپس با استفاده از آنها ر...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده علوم 1389

در این تحقیق با استفاده از فرمول بندی تابع گرین و رابطه لانداور-بوتیکر به بررسی رسانش و پدیده مغناطومقاومت در مولکول پلی تیوفن می پردازیم و اثرات برهمکنش الکترون-فونون، الکترون-الکترون و حضور میدان الکتریکی ناشی از ولتاژ اعمالی را بر روی خواص رسانندگی بررسی خواهیم کرد. مولکول پلی تیوفن در این تحقیق به وسیله هامیلتونی سو-شریفر-هگر توصیف میشود و الکترودها در تقریب باند پهن بررسی میشوند. بر اساس ن...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه اصفهان - دانشکده علوم 1390

پس از آنکه در سال 2004 تک لایه دو بعدی گرافین در آزمایشگاه ساخته شد، توجه دانشمندان به بررسی ویژگی های این ماده معطوف گردید. القای خواص ابررسانایی و فرومغناطیسی بوسیله اثر مجاورت در گرافین، موجب شد تا زمینه ی مناسبی برای مطالعه ویژگی های ترابردی اتصالات پایه-گرافینی شامل ابررسانا، فرومغناطیس و عادی (گرافین در حالت عادی) پدید آید. هم چنین مقاومت مغناطیسی غول آسا، gmr، پدیده دیگری است که کشف آن د...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهرکرد - دانشکده علوم پایه 1390

از زمان کشف پدیده هایی مانند مقاومت مغناطیسی بزرگ و مقاومت مغناطیسی تونل زنی در چند لایه های مغناطیسی، تحقیقات وسیعی بر روی مواد مغناطیسی و لایه های نازک مغناطیسی انجام شده است. تلاش فیزیکدان ها در این زمینه باعث ساختن نانو ساختارها و چند لایه های مغناطیسی و به کار بردن آن ها در فناوری، صنایع حس گرها و ثبت کننده ها شده است. مطالعه ترابرد وابسته به اسپین در نانوساختارها و چند لایه ها به ما در طر...

در این مقاله رسانش اسپینی گرافین گاف دار را محاسبه و نحوه تغییرات آن را با پارامتر های مختلفی از جمله مغناطش، اندرکنش کولنی و گاف انرژی بررسی می کنیم. برای هامیلتونی سیستم از مدل هابارد استفاده می کنیم. در دو وضعیت رسانندگی را به دست می آوریم. یکی بدون در نظر گرفتن اندرکنش کولنی بین الکترون ها و دیگری با حضور اندرکنش کولنی بین الکترون ها. می بینیم که در حالت غیر اندرکنشی با افزایش مغناطش و گاف ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه قم - دانشکده علوم پایه 1392

از آنجاییکه مقاومت الکتریکی یکی از پارامترهای اصلی در مدارهای الکتریکی بوده و نقش اساسی در رسانش الکتریکی دارد، در این پایان نامه به بررسی مدارهای الکتریکی کوانتومی مزوسکوپی اتلافی می پردازیم.در ابتدا مدارهای الکتریکی کوانتومی اتلافی را به دو روش کانای کالدیرلا و مدار دوگان بررسی می کنیم. سپس مقاومت یک مدار کوانتومی lc را به عنوان یک محیط گرمایی در نظر می گیریم .محیط گرمایی را می توان با مجموع...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد - دانشکده فنی 1392

تحقیقات اخیر نشان دهنده آنست که خواص الکتریکی و مکانیکی کامپوزیتهای پلیمری با اضافه کردن مقادیر کم نانولولههای کربنی بهبود مییابد. مطابق تحقیقات اخیر همراستاسازی نانولولههای کربنی در کامپوزیت پلیمری میتواند تاثیر بسزایی بر بهبود خواص کامپوزیت داشته باشد. هر چند همراستاسازی یک بعدی، خواص کامپوزیت را در یک راستا افزایش میدهد، اما در راستای عمود بر آن بهبود خواص مشاهده نمیشود. با این حال برای بهبو...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید