ولتاژهای گذرای داخلی یا تخلیه های الکترواستاتیکی خارجی خسارت های جبران ناپذیری به سیستم های الکتریکی و الکترونیکی، که حساسیت زیادی به ولتاژهای ناخواسته ی مختلف دارند، وارد می کنند. بنابراین، باید روشی برای حفاظت از قطعات الکترونیکی در برابر این ولتاژها در نظر گرفته شود. یک روش عملی برای غلبه بر ولتاژهای ناخواسته، استفاده از نیم رساناهای هوشمند برای محافظت از چنین سیستم هایی می باشد. این مقاومت ...

نانوذرات ابر پارامغناطیسی اکسید آهن (SPION) پس از تهیه شدن، با هدف بررسی پراکنش زیستی این ذرات در بدن موش صحرایی، با گالیم-67 نشان‌دار شدند تا Ga]-SPION67[ به دست آید. نانوذرات ابر پارامغناطیسی اکسید آهن با دانه‌بندی کوچک با روش هم‌رسوبی با استفاده از نمک‌های آهن 3Fe+ و 2Fe+ با نسبت مولی 2 به 1 سنتز شدند. از روش­های شناسایی XRD، TGA، DSC، V...

هدف از این پروژه تعیین مکانیزم پراکندگی در تک کریستال insb نوع n و p می باشد. برای این منظور از دمای 77 درجه کلوین تا 360 درجه کلوین، آزمایش اثر هال را با میدانی به شدت 7900 گوس ، انجام داده و به طور همزمان تغییرات ثابت هال و هدایت الکتریکی و تحرک را نسبت به دما مشخص نموده ایم . همچنین تعیین دمای دبای و مکانیزم پراکندگی از روی منحنی تغییرات تحرک نسبت به دما، تعیین انرژی نوار قدغن و دمای همپوشی ...

در این پایان نامه یک تقویت کننده توان دوهرتی در فرکانس مرکزی 2/4ghz با بازدهی بالا طراحی و شبیه سازی شده است. تقویت کننده توان دوهرتی یک روش افزایش بازدهی در تقویت کننده های توان می باشد. در این شبیه سازی از تکنولوژی ommic ed02ah و ترانزیستور های phemt از جنس گالیوم آرسناید استفاده شده است. ویژگی منحصر به فرد تقویت کننده توان دوهرتی ساختار ساده آن می باشد که از دو تقویت کننده ی توان موازی و خطو...

در سال های اخیر خواص ساختاری و الکتریکی نانو لوله های متنوعی در علوم مهندسی و کاربردی و تئوریکی مورد بررسی قرار گرفته است. هدف از مطالعه این پروژه بررسی اثر جذب گاز هیدروژن سیانید بر روی (4و4) آرمیچر و (0و8) زیگزاگ خالص و جایگزین شده با گالیوم ، نیتروژن و گالیوم- نیتروژن بر روی نانو لوله بور فسفید است. کلیه محاسبات با استفاده از تئوری dft و در سطح b3lyp/6-31g و نرم افزار گوسین 9 انجام شده است. ...

ر این رساله استفاده از لایه نشانی به روش محلول در ساخت سلول های خورشیدی لایه نازک cuin(s,se)2 به منظور اجتناب از روش های پرهزینه خلا مورد بررسی قرار گرفته است. لایه نشانی تمام لایه های سلول با روش های ارزان قیمت و قابل چاپ صورت گرفته است. برای اجتناب از روش های پرهزینه ی خلا ساختار ناهمگون رولایه مورد استفاده قرار گرفته است. ساختار رولایه از لایه‎ی سد کننده ی حفره و لایه ی بافر و لایه ی جاذب تش...

 In this study, indium-tin-oxide thin films in different thickness ranges were prepared by electron beam evaporation method on the glass substrate at room temperature. The thicknesses of films were 100, 150 and 250nm. Using fractal analysis, morphological characteristics of surface films thickness in amorphous state were investigated. The results showed that by increasing thickness, surface rou...

در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیوم آلاییده با قلع ( ito ) در ضخامت های مختلف به روش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی بستره شیشه ای در دمای اتاق تهیه شده است. ضخامت لایه ها 100 ، 150 و 250 نانومتر می باشد. با استفاده از تحلیل فرکتالی، فرآیند رشد لایه (افزایش ضخامت) بر خصوصیات مورفولوژیکی سطح در حالت آمورف مورد بررسی قرار گرفت. مشاهده شد که با افزایش ضخامت، ناهمواری سطح ( rms ) w و طول همبستگ...

مطالعه ای را برای به دست آوردن نمای فراوانی فسفر(مقدار فسفر بر حسب عمق از سطح) فراسطحی و به منظور تکمیل مطالعات مشابه درمورد بر(b) شروع کرده ایم. کشت فراسطحی فسفر و بر, از نظر مطالعه, طراحی و ساخت تراشه های الکترونیک با چگالی زیاد اهمیت فراوان دارند. در این مقاله, گزارشی از چگونگی اندازه گیری نمای فراوانی فسفر با استفاده از ترکیب طیف نگاری جرمی, زمان پرواز یون ثانویه (tof-sims) و تجزیه فرایند ه...