در این مقاله یک ترانزیستور جدید اثر میدان فلز-نیمه هادی با گیت تو رفته دوبل و ناحیه بدون ناخالصی در سمت درین ارایه می شود. از آنجائیکه توزیع حامل ها نقش مهمی در تعیین مشخصه های ترانزیستور دارد ایده اصلی در این ساختار اصلاح چگالی حامل ها و توزیع میدان الکتریکی جهت بهبود ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار است. نتایج شبیه سازی دو بعدی نشان می دهد که ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار پیشنه...

برای تحلیل تقویت کننده نیمه هادی از شیوه ای مبتنی بر روش ماتریس انتقال استفاده شده است. ورودی تقویت کننده، سیگنال نوری تک فرکانس مدوله شده است و از مدولاسیون سیگنال بایاس الکتریکی صرف نظر شده است. مشاهده می شود که هر چه فرکانس مدولاسیون ورودی کمتر باشد، بهره دچار اعوجاج بیشتری می شود اما در فرکانسهای مایکروویو، بهره مقدار متوسطی خواهد داشت و شکل موج خروجی از ورودی تبعیت می کند.

نیمه هادی آلی poly[2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-p-phenylene vinylene (meh-ppv) کاربردهای وسیعی در اپتوالکترونیک دارد، لیکن ساخت و نگهداری این ادوات در محیط عاری از اکسیژن صورت می-گیرد. پژوهش های متعدد نشان داده است که ویژگی های اپتوالکترونیکی این نیمه هادی در حضور اکسیژن به سرعت تخریب می گردد. طی این کار نشان دادیم که هدایت الکتریکی لایه ای از meh-ppv در حضور اکسیژن به تدریج کاهش یافته به مقدا...

تحولات کالبدی ـ فضایی دو دهه اخیر، در بسیاری از روستاهای نواحی خزری در حال گسترش است. این روند در      سکونتگاه­هایی که جاذبه­های طبیعی، به­ویژه ساحل، دارند، با رواج پدیده خانه دوم، توسعه یافته­است. منافع چشمگیر تبدیل اراضی زراعی و باغی به قطعات مسکونی، کشاورزان را از ادامه فعالیت زراعی رویگردان نموده­است. یکی از مهم­ترین حوزه­های روستایی گیلان که متأثر از این پدیده است، در روستاهای ساحلی محدود...

توانایی کنترل سرعت نور، بسته به اینکه سرعت گروه کاهش یا افزایش پیدا کند، با عنوان نور کند یا تند اطلاق می شود و اخیرا توجه بسیاری را به خود معطوف کرده است. این کنترل بی نظیر کاربردهای درخور توجهی در بسیاری از زمینه های علمی از جمله دانش غیرخطی،rf فوتونیک و شبکه های تمام نوری دارد. از کاربردهای مستقیم تجهیزات نور کند و تند، در زمینه مخابرات می باشد. یک چالش بزرگ که در تکنولوژی اطلاعات امروزه نیز...

هدف از این پایان نامه طراحی و ساخت یک حسگر مغناطیسی اثر هال با استفاده از نیمه هادی گلایوم آرسناید با روش رشد رونشستی پرتوهای مولکولی mbe می باشد. اثر هال یک خاصیت فیزیکی مواد می باشد که در مواد حامل جریان الکتریکی هنگامی که تحت تاثیر میدان مغناطیسی قرار می گیرند به وجود می آید. در این خاصیت یک ولتاژ الکتریکی در دو سر ماده تولید می شود که این ولتاژ متناسب با حاصلضرب چگالی الکتریکی و میدان مغناط...

نانوساختارهای بور، cnhn، bc2n و cxny به عنوان ساختارهای نیمه هادی برخلاف نانو لوله های کربنی به صورت کامل مورد مطالعه ساختاری و الکترونی قرار نگرفته اند. برای این نانو لوله ها اطلاعات نسبتاً کمی در دسترس است. هدف از این رساله استفاده از نظریه تابعی چگالی اسپین قطبیده به منظور بدست آوردن ویژگی های الکترونی و ساختاری نانوساختارهای ذکر شده است. در بخش اول پروژه، جذب گازهای مختلف بر روی نانو لوله بو...

امروزه با توجه به پیشرفت صنایع حساس مانند صنایع هسته ای، هوافضا، ساخت نیمه هادی ها و . . . و نیاز به تولید قطعاتی با صافی سطح بسیار بالا و عاری از عیوب سطحی، دستیابی به روش های جدید پرداختکاری قطعات ضروری است. پرداختکاری سایشی به کمک میدان مغناطیسی (maf) یکی از روش های مدرن (غیرسنتی) ماشینکاری است که با استفاده از نیروی میدان مغناطیسی براده برداری را در مقیاس نانومتری انجام می دهد. در این روش، ...

ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه هادی (mosfet (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (soi) به طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می روند. بنابراین، دست یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...