چکیده: با کوچک سازی مداوم قطعات الکترونیکی بحث ترابری الکترون در ساختارهای نانویی و کاربردهای آن در صنعت الکترونیک و تکنولوژی فوق مدرن کاربرد وسیعی پیدا کرده است. تکنیکهای پیشرفته ی رشد بلور مانند تکنیکهای لیتوگرافی نیز طراحی و تولید ساختارهای مصنوعی را فراهم کرده اند که پدیده های فیزیکی جدیدی را نشان می دهند. یکی از قطعات مصنوعی, نقطه ی کوانتومی ( ) می باشد. نقاط کوانتومی نواحی کوچک تعریف شده...

گرافین یک آرایش دو بعدی از اتم های کربن است که دارای ساختار شبکه ای شش گوشی(لانه زنبوری) می باشد. این ماده به دلیل ویژگی های الکتریکی، حرارتی و فیزیکی منحصر به فرد، از بدو کشف در سال 2004، مورد توجه ویژه قرار گرفته است.در این پایان نامه محاسبه رسانش گرمایی نانونوارهای گرافین با استفاده از شبیه سازی دینامیک مولکولی تعادلی و عوامل موثر بر مقدار آن مورد توجه قرار گرفته است. برای محاسبه ی جریان گرم...

دستیابی به مزایایی همچون قابلیت کنترل بهتر توان انتقالی، افزایش توان و کوچک سازی تجهیزات الکترونیک قدرت، بدون توسعه روش های مدیریت حرارتی شامل طراحی اجزاء داخلی و سیستم خنک ساز مناسب امکان پذیر نمی باشد. در این پایا ن نامه، شبیه سازی سه بعدی انتقال حرارت از یک نمونه تجهیز الکترونیک قدرت و سیستم خنک ساز آن پیاده سازی می شود. تجهیز یک اینورتر سه فاز توان بالا ساخت شرکت سمیکرن می باشد. عامل محدود ...

در این مقاله به کمک روش تابع گرین و رهیافت تنگابست، رسانش الکترونی یک نانو حلقه ی پلی استیلنی را در اندازه های متفاوت در حضور و غیاب میدان مغناطیسی بررسی می کنیم. دو موردی از نانو حلقه را که تعداد پیوندهای یگانه و دوگانه در دو مسیر ممکن الکترون یکسان باشد و نباشد، مورد بررسی قرار می دهیم. نتایج نشان می‌دهد که با افزایش طول نانو حلقه، رسانش تونل زنی در ناحیه ی گاف به صورت نمایی کاهش و تعداد قله ...

خواص الکترونی فلز پادفرومغناطیس ubi2 را با محاسبات ابتدا به ساکن بر پایه نظریه تابعی چگالی با استفاده از روش امواج تخت بهبود یافته به علاوه اوربیتال های موضعی بررسی کرده ایم. برای محاسبه انرژی پتانسیل تبادلی همبستگی از روش تبادلی دقیق برای الکترون های همبسته (eece) تحت چند تابعی هیبرید استفاده کرده ایم. گرادیان های میدان الکتریکی (efg) در مکان اورانیوم در ترکیب ubi2 محاسبه و با مقدار تجربی مقای...

در این مقاله روشی جدید برای بهبود اثرات کانال کوتاه بدون پیچیدگی در فرآیند ساخت افزاره‌های سیلیسیم روی عایق در مقیاس نانو ارائه شده است. فکر اساسی در این مقاله تحقق اکسید U شکل با استفاده از ماده Si3N4 در داخل اکسید مدفون و ناحیه کانال است. مسیر میدان الکتریکی جانبی از سمت درین و سورس پس از برخورد به اکسید تعبیه شده منحرف شده و مقدار کمتری از خطوط میدان الکتریکی توانایی کافی برای عبور از اکسید ...

در این مقاله رسانش بایاس صفر را بر حسب دما در اتصالی مطالعه می کنیم که بین یک نانو سیم فلزی و یک ابررسانای موج- d قرار گرفته است. ابررسانا را در جهت111 ( و ) 111 ( در نظر می گیریم و بر اساس نظریه پراکندگی رسانش بایاس صفر را بر حسب دما و شدت پتانسیل اتصال به دست می آوریم و نتایج را با موارد حجیم (مقایسه خواهیم کرد. نتایج نشان می دهند که در جهت ) 111 ( منحنی های رسانش بطور کیفی تفاوتی بین نانو سی...

در این مقاله توسط رهیافت تنگابست با استفاده از روش ماتریس انتقال و تقریب همسایه اول به بررسی رسانش الکترونی یک چندپار پلی استیلن محصور بین دو زنجیره ساده پرداخته؛ و با افزودن مولکول های بنزن به پلی استیلن رسانش سامانه را در تبدیل آن به چندپار پلی استیرن به دست می آوریم. نتایج نشان می دهد هر چه تعداد مولکول های بنزن در سامانه مرکزی بیشتر باشد، رسانش الکترونی در ناحیه تونل زنی پلی استیلن بهبود یا...

در این مقاله در رهیافت تنگابست و به روش تابع گرین رسانش الکترونی یک نانو حلقه کربنی را برای موقعیت های مختلف اتصال هادی ها به آن در حضور و غیاب میدان مغناطیسی بررسی کردیم. نتایج نشان می دهد که با نزدیک شدن هادی ها در نانو حلقه، رسانش تونل زنی در ناحیه گاف بهتر می شود. همچنین اعمال میدان مغناطیسی تأثیر زیادی بر طیف رسانش این نانو حلقه دارد، به گونه ای که وجود میدان باعث می شود مواردی که طیف رسان...

در این مقاله رسانش الکترونی یک زنجیره ی ساده و یک چند پار پلی استیلنی که هر یک به سه هادی ساده متصل می شود، بررسی می شود. محاسبات براساس رهیافت تنگابست و به روش تابع گرین در تقریب نزدیک ترین همسایه انجام شده است. دو نوع رسانش یکی آنچه بین هادی های چپ و راست و دیگری آنچه بین هادی های چپ و بالا وجود دارد، به صورت تابعی از انرژی محاسبه شده و رفتار آن ها نسبت به مکان اتصال هادی بالا مورد مطالعه قرا...