موضوع ترابرد الکتریکی، ترموالکتریکی و ترمومغناطیسی یکی از موضوعات مهم در علم نانوترموالکترونیک می باشد. با دانستن هر چه بیشتر خواص ترمومغناطیسی مواد، می توان تحولات اساسی در صنعت الکترونیک ایجاد کرد و باعث طراحی دقیقتر و بهتر ادوات الکتریکی اپتوالکترونیکی وابسته به اسپین در مقیاس نانو شد. اندازه گیری کمیت های ترموالکتریکی مانند توان ترموالکتریک، در ساختارهایی با ابعاد پایین، به دلیل کاربرد فراو...

گرافن ماده ای دو بعدی است که به واسطه قابل کنترل بودن رسانش الکتریکی آن، می تواند در طراحی فرامواد تنظیم پذیر بکار گرفته شود. در این مقاله، ساختار دو فراماده شامل آرایه ای از حلقه های شکافدار (srr ) و ساختار مکمل حلقه ها (csrr ) بر پایه ی گرافن را معرفی نموده و تغییرات پذیرفتاری الکتریکی موثر فراماده طراحی شده را با تغییر پتانسیل شیمیایی گرافن، تغییر ابعاد ساختار و قطبش نور فرودی بررسی می کنیم....

در گرافین بدون گاف به دلیل طیف الکترونی منحصر به فردش، رسانش الکتریکی در نقطه دیراک، یک کمینه از مرتبهe^2/h دارد. این موجب شده است که استفاده از این ماده در قطعات الکترونیکی به سهولت امکان پذیر نباشد. یک راه برای غلبه بر این مشکل ایجاد گاف در طیف انرژی گرافین می باشد که شکست تقارن وارونی(تقارن زیر شبکه ها) به وجود می آید. همزمان با شکست تقارن وارونی مفهوم فاز بری و انحنای بری و اثرات نابهنجار آ...

گرافن ماده ای دو بعدی است که به واسطه قابل کنترل بودن رسانش الکتریکی آن، می تواند در طراحی فرامواد تنظیم پذیر بکار گرفته شود. در این مقاله، ساختار دو فراماده شامل آرایه ای از حلقه های شکافدار (SRR ) و ساختار مکمل حلقه ها (CSRR ) بر پایه ی گرافن را معرفی نموده و تغییرات پذیرفتاری الکتریکی موثر فراماده طراحی شده را با تغییر پتانسیل شیمیایی گرافن، تغییر ابعاد ساختار و قطبش نور فرودی بررسی می کنیم....

در این مقاله، رسانش وابسته به اسپین یک سیم کوانتومی فرومغناطیس را در حضور یک یا دو نقص با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت بستگی قوی محاسبه نموده و تأثیر چرخش گشتاور مغناطیسی نقص (ها) را بر روی رسانش سامانه بررسی می کنیم. نتایج نشان می دهد که در سیم مغناطیسی، مستقل از وجود یا عدم وجود نقص، بازه مجاز انرژی نسبت به حالت غیرمغناطیسی به اندازه پارامتر وارونگی اسپینی جا به جا می شود. با ایجاد نقص ...

شیشه های اکسیدی شامل اکسیدهای عناصر واسطه بطور وسیع بخاطر خواص نیمرسانایی آنها مورد بررسی قرار گرفته اند. شیشه های تهیه شده بر اساس اکسید تلور (teo2) دارای توانایی جالب تشکیل شیشه بوده و خواص رطوبتی از خود نشان نمی دهند، دارای ضریب انبساط حرارتی بالا، دمای گذار شیشه ای پایین بوده و نیز نقطه ی ذوب پایینی از خود نشان می دهند. رسانش الکتریکی در این شیشه ها با مدل جهش پولارون کوچک (sph) تفسیر می شو...

با مشخص شدن مزایای ترانزیستورهای تونلی برای استفاده در کاربردهای توان پایین، نیاز به یک مدل تحلیلی برای توصیف مشخصه های آنها همانند جریان، شیب زیرآستانه و خازن نیز بیشتر می شود. وجود یک مدل تحلیلی علاوه بر ایجاد دید فیزیکی لازم برای درک عملکرد ترانزیستور، برای استفاده درمدل¬های مداری نیز بسیار ضروری است. ما در این پایان نامه به ارائه یک مدل تحلیلی دو بعدی برای ترانزیستورهای تونلی دوگیتی پرداختی...

ضریب رسانش حرارتی از مهم‌ترین خواص نانوسیالات در فرآیندهای انتقال حرارت به شمار می‌رود. برای پیش‌بینی مقدار ضریب رسانش حرارتی نانوسیالات روابط تئوری، تحلیلی و تجربی متعددی ارائه شده است. در این پژوهش از 434 داده آزمایشگاهی در سیستم‌های آلومینیوم ‌اکسید- آب، آلومینیوم ‌اکسید- اتیلن‌گلایکول، آلومینیوم ‌اکسید- آب- اتیلن‌ گلایکول، تیتانیوم ‌دی ‌اکسید- آب و تیتانیوم ‌دی‌ اکسید- اتیلن‌گلایکول استفاده...

روش مگنتوتلوریک (زمین مغناط برقی mt) یکی از روش های الکترومغناطیسی است که با استفاده از میدان های طبیعی الکترومغناطیسی متغیر با زمان زمین اطلاعاتی راجع به ساختار رسانش ویژه الکتریکی زیر سطحی فراهم می کند. جابه جایی ایستا یکی از اختلال هایی است که به واسطة حضور توده های رسانای سطحی ایجاد می شود. لذا این جابه جایی به منزله یکی از مراحل پردازش داده های مگنتوتلوریک، باید تصحیح شود. در نبود اطلاعات ...

ترابرد الکترونی در ساختار nsn گرافینی, که در آن دو ناحیه نرمال با یک نوار ابررسانا به ضخامت d به هم متصل شده اند, را بررسی می کنیم. ترابرد از اتصال را در چارچوب معادله dbdg بر حسب فرایندهای مختلف پراکندگی شامل تونل زنی کوانتومی و بازتاب محلی و ضربی اندریو توصیف می کنیم. مقایسه با ساختار تمام نرمال نشان می دهد که وابستگی زاویه ای احتمال عبور در حضور همبستگیهای ابررسانایی به شدت مختل می شود. این ...