در این کار تجربی لایه‌های نازک اکسید ایندیم آلاییده با اکسید قلع  (ITO) با ترکیب‌های مختلفی از 60 تا wt%95 اکسید ایندیم و 40 تا wt%5 اکسید قلع با استفاده از روش تبخیر با باریکه الکترونی بر روی زیرلایه‌های شیشه‌ای نهشته شدند. لایه‌ها پس از نهشت، به مدت 3 ساعت در هوا در دمای Cْ450 تحت عملیات حرارتی قرار گرفتند. تاثیر غلظت آلاینده اکسید قلع با تغییر غلظت آن از 5 تا wt%40 بر روی خواص ساختاری و اپتیک...

در این کار تجربی لایه های نازک اکسید ایندیم آلاییده با اکسید قلع  (ito) با ترکیب های مختلفی از 60 تا wt%95 اکسید ایندیم و 40 تا wt%5 اکسید قلع با استفاده از روش تبخیر با باریکه الکترونی بر روی زیرلایه های شیشه ای نهشته شدند. لایه ها پس از نهشت، به مدت 3 ساعت در هوا در دمای cْ450 تحت عملیات حرارتی قرار گرفتند. تاثیر غلظت آلاینده اکسید قلع با تغییر غلظت آن از 5 تا wt%40 بر روی خواص ساختاری و اپتیک...

در این تحقیق، لایه‌های نازک نانوساختار اکسید قلع خالص و آلاییده شده با فلز روی به روش لایه‌نشانی اشعه الکترونی لایه‌نشانی شدند. پراش اشعه ایکس از لایه‌های نازک ایجاد شده وجود اکسید قلع آمورف با ترکیب شیمیایی (SnO) را نشان داد. سیکل عملیات حرارتی در دمای °C 500 و به مدت 10 ساعت بر روی فیلم‌های نازک تشکیل شده انجام شد که منجر به ایجاد ساختار تتراگونال دی اکسید قلع (SnO2) نانوساختار شد. تصاویر میک...

لایه­های نازک اکسیدی فلزی مانند اکسید ایندیم آلاییده با قلع (ito) دارای ویژگی­های منحصربفردی از قبیل رسانندگی خوب، تراگسیلندگی اپتیکی بالا در ناحیه مرئی، چسبندگی عالی به زیرلایه، پایداری شیمیایی و خواص فوتوشیمیایی هستند. این خواص از رفتار نیمرسانای تبهگن نوع n و گاف باندی پهن آنها ناشی می­شود. بنابراین لایه­های نازک ito به طور گسترده در سلول­های خورشیدی، ابزارهای فوتوولتائیک، نمایشگرهای صفحه تخ...

در تحقیق حاضر سنتز و بررسی خواص نانوساختارهای اکسید قلع ایندیم (ito) به روش شیمیایی تر مورد مطالعه قرار گرفته است. نانوذرات اکسید قلع ایندیم با استفاده از نمک های کلرید قلع و کلرید ایندیم و عامل رسوب دهنده آمونیاک به دو روش سل – ژل و هم رسوبی تهیه شدند. با استفاده از روش سل – ژل نانوذرات اکسید قلع ایندیم در دماهای مختلف سنتز شدند و تاثیر تغییر دما بر نانوذرات سنتز شده مورد بررسی قرار گرفت. در ر...

لایه‌های نانوساختار اکسید ایندیم (In2O3) خالص و آلاییده با مقادیر مختلف از سرب، به روش انباشت الکتروشیمیایی لایه‌نشانی شدند. نتایج حاصل از آنالیز الگوی پراش، وجود فاز اکسید ایندیم را در دو فاز بلوری مکعبی و رومبوهدرال تایید کردند. تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی نشان می‌دهند که مواد رشد داده دارای ابعاد نانومتری بوده و اندازه آنها در محدوده nm 81-45 می‌باشد. طیف نور تابناکی نیز باندهای گسیلی در...

در این تحقیق، لایه های نازک اکسید ایندیوم آلاییده با قلع ( ito ) در ضخامت های مختلف به روش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی بستره شیشه ای در دمای اتاق تهیه شده است. ضخامت لایه ها 100 ، 150 و 250 نانومتر می باشد. با استفاده از تحلیل فرکتالی، فرآیند رشد لایه (افزایش ضخامت) بر خصوصیات مورفولوژیکی سطح در حالت آمورف مورد بررسی قرار گرفت. مشاهده شد که با افزایش ضخامت، ناهمواری سطح ( rms ) w و طول همبستگ...

     ساختارهای دی اکسید قلع (SnO2) خالص و آلاییده شده با روی (Zn doped SnO2)  به روش سولوترمال سنتز شدند. در این روش، سنتز اکسیدهای فلزی بدون استفاده از مواد افزودنی دیگر و تنها با انتخاب پیش ماده­های جدید در حلال بر پایه اوره انجام گرفت. حلال مورد استفاده در این روش می­تواند به عنوان عامل کنترل کننده شکل و اندازه برای جلوگیری از رشد بیش از اندازه ذرات مورد استفاده قرار گیرد.  علاوه بر آن با مت...

هدف این پروژه تهیه فیلم های لایه نازک نانوساختار ito:m (m=tio2,zro2) به روش سل ژل و با تکنیک غوطه وری و سپس بررسی خواص اپتیکی و الکتریکی آن ها می باشد. بنابرین پروژه شامل سه مرحله می باشد. مرحله اول ،تهیه فیلم مناسبی از ito، مرحله دوم تهیه سل tio2 و zro2 و سپس لایه نشانی آن ها روی فیلم ito اولیه و مرحله سوم، بررسی تاثیر این فیلم ها روی خواص ساختاری و الکتریکی ito است. برای تهیه سل ito مناسب، از...

خواص ساختاری، الکترونیکی و اپتیکی اکسید ایندیم خالص و آلاییده با sc ، y ، la و ac بصورت نظری و تجربی بررسی شده است. در انجام محاسبات نظری از روش پتانسیل کامل موج تخت افزوده شده خطی(fp-lapw) و از تقریب چگالی موضعی، که پتانسیل هوبارد به آن اضافه شده (lda+u)، استفاده گردیده است. نتایج محاسبات نظری نشان می دهد که اکسید ایندیم دو نوع گاف نواری دارد و نیز گاف نواری اکسید ایندیم آلاییده با sc و y ،در ...