در این مقاله ضریب عبور الکترونی یک حلقه بنزنی متصل به دو هادی فلزی را در اتصال های پارا و متا، در حضور برهمکنش الکترون ـ الکترون (مدل هابارد) محاسبه می کنیم. برای این منظور از روش تابع گرین و رهیافت تنگ بست در تقریب نزدیک ترین همسایه بهره می جوییم. سپس با توجه به شکل برهمکنش، رسانش را با یک روش عددی خودسازگار به صورت تابعی از انرژی به دست می آوریم. نتایج نشان می دهد که در حضور برهمکنش الکترون ـ...

در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگ بست و رژیم پاسخ خطی، به مطالعه ی رسانش الکتریکی یک نانوسیم شامل اتم های سطحی مرتعش که بین دو هادی صلب ساده قرار گرفته است، پرداخته ایم. با بهره گیری از فضای فوک، اثر برهمکنش الکترون ـ فونون را در ضریب عبور الکترونی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج نشان می دهد که مکان قله های تشدیدی رسانش با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون به سمت انرژی ها...

در این مقاله پراکندگی رامان پسرو با استفاده از کد ولاسوف یک بعدی مورد مطالعه قرار گرفته است. شرایطی شبیه به آزمایش های انجام شده در این زمینه برای بررسی چگونگی تشکیل و رشد پراکندگی رامان مورد استفاده قرار گرفته است. مطالعه تابع توزیع الکترون ها، میدان های الکتروستاتیکی طولی و الکترومغناطیسی عرضی، و چگالی الکترون ها نشان می دهد که پراکندگی رامان که به دلیل اثرات جنبشی ایجاد شده با تقویت دامنه می...

در این مقاله ترابرد الکترونها در ریزنوار یک ابرشبکه نیمرسانا تحت اثر میدان الکتریکی و میدان مغناطیسی که در راستاهای متفاوت بر ابرشبکه اعمال می شوند, مورد بررسی قرار گرفته است. نمودارهای سری زمانی و نمای لیاپانوف با استفاده از روش رانگ- کوتای مرتبه چهارم محاسبه شده است. محاسبات عددی نشان می دهد که برای مقادیر معینی از پارامترها که وابسته به خصوصیات ابر شبکه و میدانهای اعمال شده بر آن است, الکترو...

در این مقاله، با استفاده از تابع تصحیح میدان موضعی هابارد و همچنین تابع ساختار، به بررسی اثر برهمکنش های کوتاه برد الکترونی و پهنای چاه کوانتومی بر رفتار تابع دی الکتریک سیستم گاز الکترون دوبعدی در حالات دمای صفر و دمای محدود می پردازیم. برای چگالی های الکترونی پائین تقریب فاز تصادفی معتبر نبوده و لازم است اثرات کوتاه برد از طریق تصحیح هابارد وارد محاسبات شود. نشان خواهیم داد با وجودی که رفتار ...

در مقالۀ حاضر، توابع موج اکسیتونی و ممان دوقطبی الکتریکی مربوط به آنها در یک نقطۀ کوانتومی مخروطی با قاعدۀ کروی به صورت عددی محاسبه می‌شود. برای انجام محاسبات از یک کد رایانه‌ای استفاده می‌شود که نویسندگان برای حل معادلۀ شرودینگر بر اساس روش اختلالی ”برهمکنش پیکربندی“ تدوین کرده‌اند. نتایج محاسبات نشان می‌دهد که اگر جرم مؤثر الکترون و حفره با هم برابر باشد آنگاه ممان دوقطبی اکسیتون برای تمام وی...

در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگ بست و رژیم پاسخ خطی، به مطالعه ی رسانش الکتریکی یک نانوسیم شامل اتم های سطحی مرتعش که بین دو هادی صلب ساده قرار گرفته است، پرداخته ایم. با بهره گیری از فضای فوک، اثر برهمکنش الکترون ـ فونون را در ضریب عبور الکترونی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج نشان می دهد که مکان قله های تشدیدی رسانش با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون به سمت انرژی ها...