نتایج جستجو برای: فیلم فرا نازک

تعداد نتایج: 13876  

احمد مولایی راد حمیده روحانی نژاد سلیمه رئیسی,

فیلم نازک (نازک لایه)، لایه‌ای از مواد آلی با ضخامتی در حد نانومتر تا میکرومتر است. سنتز کنترل‌شده فیلم‌های نازک موضوع مهمی در کاربردهای آنهاست. فیلم های نازک آلی با ضخامت نانومتری، ساختارهایی مفید برای کاربرد در حسگرها، شناساگرها، نمایشگرها و اجزای مدارهای الکترونیکی به‌شمار می‌آیند. لایه نشانی چرخشی و لانگمور- بلاجت از روش‌های کاربردی تهیه فیلم‌های نازک محسوب می‌شوند. در لایه نشانی چرخشی، نیر...

ژورنال: :مواد پیشرفته در مهندسی (استقلال) 0
علی بهاری a. bahari department of physics, university of mazandaran, babolsarگروه فیزیک ، دانشکده علوم پایه، دانشگاه مازندران، بابلسر ماندانا رودباری شهمیری m. roodbari shahmiri department of physics, university of mazandaran, babolsarگروه فیزیک ، دانشکده علوم پایه، دانشگاه مازندران، بابلسر نورالدین - میرنیا n. mirnia department of physics, university of mazandaran, babolsarگروه فیزیک ، دانشکده علوم پایه، دانشگاه مازندران، بابلسر

در سال های اخیر، موادی با ثابت دی الکتریک بالا نظیر اکسید آلومینیوم و اکسید تیتانیوم به جای گیت اکسید سیلیکون فرانازک مورد مطالعه قرار گرفته اند. در کار حاضر چنین اکسیدهایی در دماهای مختلف و تحت شرایط فراخلا بر روی زیرلایه ی si(100) رشد یافته اند. نتایج بدست آمده نشان می دهند که اکسید آلومینیوم از ساختار مناسب تری نسبت به ساختار اکسید تیتانیوم برخوردار است و می تواند به عنوان یک گیت دی الکتریک ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان تهران - پژوهشکده فیزیک 1391

برای رشد فیلم های فرانازک، عواملی مانند تونل زنی، جریان نشتی، نفوذ اتم های سبک از دیواره ی محفظه فرا خلأ، استحکام و مقاومت در محفظه ها را کاهش می دهد. از آن جایی که بیشتر نواقص مواد در لایه سطحی آن ها رخ می دهد که ریزساختارهای سطحی بر بدنه ظرف های فراخلأ می تواند بر ویژگی های نانوساختاری و ماندگاری آن تأثیر بگذارد. در همین راستا به تأثیر شرایط در سنتز سل- ژل نانوبلورک های نیکل بر آلیاژ فولاد زن...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه مازندران 1388

لایه ی میانی بین گیت دی الکتریک اکسیدی و سیلیکون بسیار مهم است زیرا عملکرد ترانزیستورها و قابلیت اعتبار افزاره ها به وسیله ی گیت و گیت دی الکتریک اکسیدی ترانزیستور تعیین و کنترل می شود. علاوه بر این وقتی که اکسید برای سازگاری با سرعت های بالاتر در مدارهای مجتمع نازک و نازک تر می شود نقش لایه ی میانی مهم تر می شود. در این پایان نامه سعی کردیم ساختار فصل مشترک si(111)/sio2 را به وسیله ی تکنیک xps...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
علی بهاری a. bahari physics department, faculty of science, the university of mazandaranگروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه مازندران، بابلسر کبرا حسن زاده k. hasanzadeh physics department, faculty of science, the university of mazandaranگروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه مازندران، بابلسر مونا امیرصادقی m. amir sadeghi physics department, faculty of science, the university of mazandaranگروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه مازندران، بابلسر ماندانا رودباری m. roodbari physics department, faculty of science, the university of mazandaranگروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه مازندران، بابلسر

اکسید تیتانیوم و نیترید آلومینیوم را در شرایط به ترتیب فشار بالا و فشار بسیار پایین بر زیر لایه سیلیکونی رشد داده ایم و با استفاده از تکنیکهایی نظیر تابش سینکروترونی,( aes (auger electron spectroscopy و( sem (scanning electron microscope به مطالعه ساختار آنها پرداختیم. بررسیهای به عمل آمده نشان می دهند که فیلم آمورف اکسید تیتانیوم و یا نیترید آلومینیوم بر زیر لایه سیلیکون شکل گرفته است که این و...

ژورنال: فیزیک کاربردی 2016

در این مقاله، فرآیند لایه نشانی فیلم های نازک طلا، به کمک روش تبخیر حرارتی شبیه سازی شد. برای این منظور از نرم افزار COMSOL Multiphysics استفاده گردید. مدل سه بعدی در محیط نرم افزار ایجاد شده و هندسه، تحلیل مش ها، شرایط مرزی و روابط مورد نیاز معرفی و مورد مطالعه قرار گرفتند. ضخامت، چگالی، شار گرما، فشار و سایر پارامتر های مرتبط با لایه نشانی مورد بررسی قرار گرفتند. با استفاده از رگرسیون صفحه ای...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده علوم پایه 1391

در این کار اثر دمای زیرلایه، فلوی گاز اکسیژن و زاویه زیرلایه بر خواص اپتوالکتریکی، ساختاری و ریخت شناسی سطحی اکسید قلع خالص به منظور دست یابی به یک اکسید رسانای شفاف نانوساختار برای کاربردهای سلول خورشیدی بررسی شد. بهترین نتایج در دمای زیرلایه ?c 500 با فلوی اکسیژن sccm 200-100 و در فاصله cm 5 از پیش ماده بدست آمد. در گام بعدی تلاش کردیم تا اکسید قلع آلائیده با نیتروژن با رسانندگی نوع p بدست آ...

ژورنال: :فیزیک کاربردی 0
محمد حسین احسانی هیات علمی مجمود جلالی مهر آباد کارشناس عباس حوادیان هیات علمی دانشگاه سمنان

در این مقاله، فرآیند لایه نشانی فیلم های نازک طلا، به کمک روش تبخیر حرارتی شبیه سازی شد. برای این منظور از نرم افزار comsol multiphysics استفاده گردید. مدل سه بعدی در محیط نرم افزار ایجاد شده و هندسه، تحلیل مش ها، شرایط مرزی و روابط مورد نیاز معرفی و مورد مطالعه قرار گرفتند. ضخامت، چگالی، شار گرما، فشار و سایر پارامتر های مرتبط با لایه نشانی مورد بررسی قرار گرفتند. با استفاده از رگرسیون صفحه ای...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه اصفهان - دانشکده علوم 1389

در این پژوهش فیلم های لایه نازک نانو ساختار روی اکسید حاوی نقره و روی اکسید فرونشانی فتوشیمیایی شده با نانو ذرات نقره روی بستر شیشه ای بوسیله فرایند سل-ژل و با استفاده از تکنیک های پوشش دهی چرخشی و غوطه وری تهیه شدند. برای تهیه سل روی اکسید حاوی نقره، از ترکیب سل روی اکسید و محلول نقره در اتانول استفاده شده است. و برای ساخت فیلم های روی اکسید فرونشانی شده با نانو ذرات نقره، فیلم های روی اکسید د...

ژورنال: بسپارش 2014
آرزو سروش نیا فریبا گنجی

دارورسانی به شکل خوراکی، به دلیل پذیرش زیاد بیمار از با اهمیت ترین روش های دارورسانی است. زیس تدسترس پذیری و پذیرش کم دراطفال، سالمندان و بیمارانی که دارای مشکل بلع هستند، سبب شد تا قرص های سریع ح لشونده وارد بازار شوند. ولی این قرص ها، دارای زیس تدسترس پذیری کمی هستند، در نتیجه فیلم های دهانی با انعطاف پذیری مناسب، زیس تدسترس پذیری زیاد و راحتی استفاده، مورد توجه قرار گرفتند و به عنوان جای...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید