در گرافین بدون گاف به دلیل طیف الکترونی منحصر به فردش، رسانش الکتریکی در نقطه دیراک، یک کمینه از مرتبهe^2/h دارد. این موجب شده است که استفاده از این ماده در قطعات الکترونیکی به سهولت امکان پذیر نباشد. یک راه برای غلبه بر این مشکل ایجاد گاف در طیف انرژی گرافین می باشد که شکست تقارن وارونی(تقارن زیر شبکه ها) به وجود می آید. همزمان با شکست تقارن وارونی مفهوم فاز بری و انحنای بری و اثرات نابهنجار آ...

در این مقاله تصحیح نیروی پراکندگی دور برد از نوع واندروالس (vdw-df) برای یک سامانه مرکب شامل نانو زنجیره نقره جذب سطحی شده بر روی تک لایه گرافین بررسی شده است. محاسبات در چارچوب نظریه تابعی چگالی و با استفاده از تقریب‏های lda، pbe و blyp انجام گرفته است. به دلیل جذب ضعیف زنجیره نقره بر روی صفحه گرافین، نمی‏توان سهم نیروی واندروالس در انرژی جذب را نادیده گرفت. اعمال این تصحیح منجر به تغییرات بنی...

فرمیون¬های¬ دیراک می-توانند در سدهای عریض و طویل الکترواستاتیک، با احتمال نفوذ بالا، نفوذ کنند، به ویژه اگر به صورت عمود بر سد بتابند.در این تحقیق نشان داده می شود که فرمیون¬های بی¬جرم دیراک را در یک ورقه گرافین تک لایه، می¬توان به وسیله میدان¬های مغناطیسی غیر یکنواخت، محبوس کرد. این، به ما اجازه طراحی ساختارهای مزوسکوپیک را در گرافین [به کمک سدهای مغناطیسی] می-دهد. پس می¬توان نتیجه گرفت: «بر خ...

در این مقاله اثر صحیح کوانتومی هال با اعمال ناخالصی, به دو صورت تابع دلتای دیراک و تابع گوسی به روش تبدیل پیمانه ای بررسی شده است. در حضور این ناخالصیها, ترازهای لاندائو به دو دسته ترازهای گسترده و جایگزیده تبدیل شده و پله هال ایجاد می گردد. در ادامه یک ناخالصی به صورت نقطه کوانتومی به سیستم دارای ناخالصی, اضافه می شود و مشاهده می گردد که افزایش پهنا و ارتفاع نقطه کوانتومی در جهت از بین بردن پل...

در گرافین، الکترون های رسانش شبیه ذرات نسبیتی بدون جرم دیراک با یک خاصیت کایرال رفتار می کنند. به همین دلیل، مقید کردن الکترون ها در گرافین به شکل هندسه های نقطه کوانتومی ناممکن است. در گرافین بدون گاف، به دلیل طیف الکترونی منحصر به فرد آن، رسانش الکتریکی در نقطه? دیراک دارای یک کمینه است. این موضوع استفاده از ماده فوق را در قطعات الکترونیکی دشوار کرده است. یکی از روش های غلبه بر این مشکل، ایجا...

در این مقاله، ترابرد ذرات مانند فرمیون های دیراک روی سطح یک عایق توپولوژیک در عبور از میدان الکتریکی خارجی و میدان مغناطیسی ناشی از حضور یک لایه فرومغناطیس بررسی شده است. در ابتدا مروری بر ویژگی های عایق توپولوژیک داشته و سپس با استفاده از معادلات دیراک هامیلتونی الکترون‌های عبوری از روی سطح را می‌نویسیم. با استفاده از تبدیلات لورنتس هامیلتونی مورد نظر را حل کرده و ویژه انرژی ها یا ویژه مقادیر ...

گرافین یک ساختار دو بعدی تک لایه از اتم های کربن است که در آرایش لانه زنبوری چیده شده اند. حامل های بار در این ساختار به صورت فرمیون های دیراک بدون جرم رفتار می کنند و اثرات جالب توجهی مانند پارادوکس کلاین و رفتار شبه پخشی از خود نشان می دهند. یک لایه از گرافین که در تماس با ابررسانا است به واسطه اثر مجاورت خاصیت ابررسانایی پیدا می کند. بازتاب اندریف در گرافین به دو شکل معمولی و ویژه صورت می گی...

طی سالهای اخیر گرافن به یکی از جالب توجه ترین سوژه های دنیای فناوری تبدیل شده است. خواص عجیب و منحصر به فرد گرافن نسبت به نیم رساناهای استاندارد باعث شده است محققان به سختی بتوانند جایگزینی برای گرافن پیدا کنند. با توجه به ساختار باند گرافن و فاقد گاف بودن آن نمی توان از گرافن در کاربردهایی همچون ساخت ادوات الکترونیکی و اپتیکی استفاده کرد. یکی از راههای ایجاد گاف در گرافن ساخت نقاط کوانتومی است...

ما در این پایان نامه، یک اتصال جوزفسون گرافینی با ساختار قرص کاربینو را در نظر می گیریم که در آن ابررسانای داخلی به شعاع ‎r1‎ و گرافین به شعاع r2‎ و طول l‎ و ابررسانای بیرونی به صورت توده است. برانگیختگی های الکترون و حفره در گرافین در حالت ابررسانایی از معادله دیراک-بوگولیوبوف-دژن تبعیت می کنند. ما با استفاده از حل این معادله و استفاده از روش پراکندگی، انرژی ترازهای مقید اندریف را به دست آورده...