در این پژوهش خواص الکترونیکی و اپتیکی ترکیبga1-xalxas ‎ به ازای ‎x=0, 0.25, 0.75, 1‎ با استفاده از اصول اولیه و روش نظریه تابعی چگالی مطالعه شده است. این بررسی ها با استفاده از محاسبه انرژی کل و از طریق روش امواج تخت تقویت شده خطی (fp-lapw) که بر پایه نظریه تابعی چگالی dft هوهنبرگ-کوهن شم استوار است، به کمک کد wien2k صورت گرفته است. در ارتباط با برهمکنش های پتانسیل همبستگی تبادلی از تقریب چگالی...

در این مقاله ساختار الکترونی -کریستالی ترکیب های نیمه هادی گالیم نیترید، آلومینیوم نیترید و آلومینیوم گالیم نیترید که قطبش پذیری خودبه خودی در راستای محور 0001 دارند و از خصلت پیزوالکتریکی خوبی برخوردار هستند، مورد مطالعه قرار گرفتند. بررسی پارامترهای ساختاری، گاف نواری، عامل قطبش پذیری و شدت آن برای نیمه هادی های دوگانه آلومینیوم نیترید، گالیم نیترید و تأثیر متقابل آنها در جایگزینی گالیم با آل...

در این مقاله ساختار الکترونی -کریستالی ترکیب‌های نیمه‌هادی گالیم نیترید، آلومینیوم نیترید و آلومینیوم گالیم نیترید که قطبش‌پذیری خودبه‌خودی در راستای محور 0001 دارند و از خصلت پیزوالکتریکی خوبی برخوردار هستند، مورد مطالعه قرار گرفتند. بررسی پارامترهای ساختاری، گاف نواری، عامل قطبش‌پذیری و شدت آن برای نیمه‌هادی‌های دوگانه آلومینیوم نیترید، گالیم نیترید و تأثیر متقابل آنها در جایگزینی گالیم با آل...

این پایان نامه به بررسی و آنالیز مشخصات ترانزیستورهای اثر میدان فلز نیمه هادی و ارائه چندین ساختار نوین برای آنها می پردازد. با توجه به اهمیت ترانزیستورهای قدرت و کاربرد گسترده آنها در علوم مختلف از جمله در تجهیزات نظامی، در تمام ساختارهای ارائه شده سعی بر آن است که تا حد ممکن مشخصات توانی و فرکانسی ترانزیستور را بطور همزمان افزایش دهیم. ابتدا مسفتی از جنس گالیم آرسناید مورد مطالعه قرار گرفته ا...

در این پایان نامه به مطالعه ی خواص ترابرد الکترونی در نیمرسانای گالیم آرسناید به روش نظری پرداخته شده است. در ابتدا روش شبیه سازی بر پایه ی معادلات نفوذ رانش نیمه کلاسیک انجام شد و پس از بررسی ناکارامدی نسبی روش نیمه کلاسیک در بیان مشخصات قطعات نانومتری، بر روی معادلات تصحیحات کوانتومی اعمال گردید. با این تصحیحات نتایج شبیه سازی به مقادیر قابل انتظار تبدیل گردید و اثرات پدیده هایی چون تونل زنی...

در این مقاله به بررسی نقش خواص ذاتی مواد نیمرسانای مرکب، از جمله اختلاف انرژی بین دره های l و در ماده، جرم مؤثر حامل و همچنین فرایندهای پراکندگی برمشخصه های انتقال الکترون در کانال مِسفِت می پردازیم. به علاوه، تأثیر ساختار مِسفِت بر مشخصه های انتقال الکترون را در افزاره مطالعه می کنیم. برای بررسی این موضوع ساختار مِسفِت ingaas تعبیه شده برروی بستر نیم عایق inp و ساختار مِسفِت inp را با روش مونت کارلو ...

شهین مرادنسب بدرآبادی 1، داریوش سرداری2، میترا اطهری2آشکارسازهای ذرات یا پرتو ابزاری هستند که با آن‌ها ذرات پرانرژی را آشکار، ردیابی یا شناسایی می‌کنند. یکی از این آشکارسازها گالیم آرسناید (GaAs) می باشد. مشکلات در تولید لایه های ضخیم با دوپینگ (ناخالص سازی یا تغلیظ) به اندازه کافی کم نیاز به عمق‌های تهی سازی کافی (بیشتر از 100 میکرومتر) داشت، در حالی که مانع توسعه بیشتر می‌شدند. سپس، علاقه جدی...

امواج تراهرتز معمولاً به امواجی در بازه فرکانسی (100ghz-30thz) اطلاق می گردد. این امواج کاربردهای وسیعی در صنعت پزشکی، بیولوژی، عکسبرداری، مخابرات ایمن و باند پهن و ... دارد. از طرف دیگر مواد نیتریدی و بخصوص نانوساختارهای آنها، تحت میدانهای الکتریکی قوی از خود خاصیت ndr نشان می دهند لذا انتظار می رود با طراحی و مدل ساختاری بتوان امواج تراهرتز از ادوات مربوطه تولید نمود. در طرح شرایط متفاوت ایجاد...

در این پایان نامه به شبیه سازی سلول خورشیدی مبتنی بر گالیم- آرسناید و تاثیر اضافه نمودن لایه پنجره و لایه میدان سطح پشتی از جنس inxga1-xp پرداخته ایم، سپس اثر افزایش دما و تغییر ضخامت لایه های بیس و امیتر آن را بر روی عملکرد سلول خورشیدی بررسی نموده ایم. سلول های خورشیدی مبتنی بر گالیم آرسناید دارای سرعت بازترکیب سطحی بالایی میباشند و این امر موجب افت عملکرد سلول های خورشیدی مبتنی بر gaas میگرد...

هدف از این پایان نامه طراحی و رشد سلول خورشیدی با ساختار pn با نیمه هادی گالیم آرسناید، به روش رونشستی پرتو مولکولی (mbe) می باشد. اساس تولید انرژی الکتریکی در سلول های خورشیدی، پدیده فتوولتائیک است که طی آن در یک دیود pn براثر تابش نور، جریان الکتریکی تولید می شود. دلیل استفاده از دیود pn این است که برای تبدیل نور به انرژی الکتریکی لازم است الکترون ها و حفره های تولید شده توسط نور، از یکدیگر ج...