بررسی عددی جریان نانو سیال با حضور نیروهای الکتریکی توسط روش dpd

پایان نامه
چکیده

الکتروریسی یکی از فرآیند های بسیار مهم در تولید نانو الیاف است که در چند سال اخیر بسیار مورد توجه قرار گرفته است. هدف از این پایان نامه، استفاده از روش dpd برای مدل کردن بخشی از فرآیند الکتروریسی می باشد. روش dpd یک روش نویدبخش در مدل کردن فرآیند های مزوسکوپی است که در مقیاس های بزرگ معادلات این روش منطبق بر معادلات محیط پیوسته بوده و این در حالی است که در مقیاس های کوچک جواب های این روش منطبق بر جواب های به دست آمده از روش های میکروسکوپی می باشد. در این پایان نامه چندین نمونه شبیه سازی در ابعاد نانو و میکرو انجام شده است که همگی موید توانمندی روش dpd در شبیه سازی مسائل پیچیده و دور از دسترس روش های دیگر، می باشند. برای شبیه سازی فرآیند الکتروریسی ابتدا سعی شده است که ابعاد روش dpd به خوبی شناخته شده و جزئیات آن مشخص گردند. در این راستا مدل های دوفاز و سطح آزاد در روش dpd مورد بررسی قرار گرفته اند و برای تصدیق آنها، معادله ی لاپلاس برای قطره ها ی ساکن در ابعاد میکرو و نانو شبیه سازی گردیده است و نشان داده شده است که این روش بخوبی توانسته، وابستگی خطی معادله ی لاپلاس به شعاع انحناء را مدل سازی نماید. علاوه بر این افتادن قطره در ابعاد نانو تحت نیروهای گرانشی و فشاری نیز شبیه سازی شده است. نتایج این شبیه سازی با شبیه سازی های صورت گرفته در مقیاس ماکرو و آزمایشگاهی، تطابق بسیار خوبی از خود نشان می دهد. نتایج نشان می دهند که در مقیاس نانو افتادن قطره در مدت زمان کمتری رخ می دهد. این پدیده به دلیل بزرگ بودن طول حرارتی بی بعد که معیاری از نوسانات مولکولی بر روی سطح مشترک است، در مقیاس نانو می باشد. نوسانات مولکولی بر روی سطح مشترک در تمامی مقیاس ها حضور دارند ولی اثر آنها بستگی معکوس به مقیاس طولی مسأله دارد. در این پایان نامه، برای اعمال نیروهای الکتریکی نیز الگوریتمی جدید براساس معادلات ماکسول ارائه گردیده که به کمک آن بررسی پدیده های دوفازی در حضور میدان الکتریکی در مقیاس نانو و میکرو توسط روش dpd، امکان پذیر شده است. در راستای تصدیق الگوریتم ارائه شده، فرآیند تشکیل مخروط تیلور در ابعاد نانو مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج بیانگر آن هستند که این الگوریتم به خوبی می تواند زاویه ی مخروط تیلور را که برابر 6/98 درجه می باشد را شبیه سازی کند. تشکیل جت سیال نانو و همچنین افتادن قطره با ابعاد نانو تحت میدان الکتریکی که بخش مهمی از فرآیند الکتروریسی را تشکیل می دهند، نیز انجام شده است. نتایج نشان می دهتد که افتادن قطره تحت میدان الکتریکی رفتاری متفاوت در صورت عدم حضور این میدان دارد. همچنین قطره تحت نیروهای الکتریکی با سرعت بیشتری به شعاع مینیمم و طول ماکزیمم خود می رسد.

منابع مشابه

حل عددی انتقال گرمایی جریان طبیعی نانو سیال در کانالهای با مقطع مستطیلی

در این تحقیق از روش عددی حجم­ محدود برای مطالعه دوبعدی همرفت آزاد و تراکم­ناپذیر جریان داخل محفظه­ای با سطح مقطع مربعی شکل پر شده با  نانو سیال آب،  تحت دیواره گرم متفاوت استفاده شده است. به عنوان شرایط مرزی، محفظه شامل دو دیوارۀ افقی آدیاباتیک و دیواره­های عمودی هم­دما می­باشد. معادلات ناویر– استوکس و انرژی به صورت عددی حل شده­اند. مساله برای تعیین نرخ انتقال گرما در اثر تغییر پارامترهای مانند...

متن کامل

حل عددی انتقال گرمایی جریان طبیعی نانو سیال در کانالهای با مقطع مستطیلی

در این تحقیق از روش عددی حجم­ محدود برای مطالعه دوبعدی همرفت آزاد و تراکم­ناپذیر جریان داخل محفظه­ای با سطح مقطع مربعی شکل پر شده با  نانو سیال آب،  تحت دیواره گرم متفاوت استفاده شده است. به عنوان شرایط مرزی، محفظه شامل دو دیوارۀ افقی آدیاباتیک و دیواره­های عمودی هم­دما می­باشد. معادلات ناویر– استوکس و انرژی به صورت عددی حل شده­اند. مساله برای تعیین نرخ انتقال گرما در اثر تغییر پارامترهای مانند...

متن کامل

شبیه‌سازی عددی جریان سیال در میکرومیکسرهای دوبعدیی با کمک روش حجم محدود (یادداشت فنی)

امروزه با رشد فناوری ساخت در ابعاد کوچک، کاربرد تجهیزات در ابعاد میکرو و نانو در صنایع مختلف نظیر پزشکی، بیومکانیک، بیو شیمی و صنایع شیمیایی رشد چشمگیری یافته است. با توجه به مشکلات و هزینه‌های ساخت در این ابعاد، شبیه‌سازی و بهینه نمودن دستگاه قبل از ساخت و آزمایش ضروری به نظر می‌رسد. یکی از قسمت‌های تأثیرگذار در تجهیزات سیالاتی در این ابعاد که وظیفه اختلاط سیالات قبل از واکنش یا آماده‌سازی ترک...

متن کامل

بررسی تجربی ویسکوزیته نانو سیال رسانا در حضور و عدم حضور میدان مغناطیسی

ویسکوزیته نانوسیال مغناطیسی اتیلن گلایکول-  Fe4O3 تحت میدان مغناطیسی ثابت، موازی و در جهت جریان نانوسیال به طور آزمایشگاهی مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان داد با افزایش شدت میدان مغناطیسی ویسکوزیته نانوسیال کاهش می­یابد. همچنین آزمایشات نشان داد افزایش زمان قرارگیری نانوسیال در معرض میدان مغناطیسی تأثیر کاهش ویسکوزیته نانوسیال را بیشتر میکند

متن کامل

شبیه سازی عددی جریان سیال لزج با استفاده از روش المان‌های مرزی

به منظور استفاده از روش المانهای مرزی در حل مسایل سیالات, بایستی علاوه بر انفصال روی مرز، تعدادی سلول داخلی برای محاسبه انتگرال‌های ناشی از ترم‌های جابجایی نیز در نظر گرفت. برای این منظور از روش تابع پنالتی که کاربرد زیادی در روش المان‌های محدود دارد استفاده شده است. با استفاده از این روش، ترم فشار از معادلات حاکم حذف شده و معادلات به شکل معادلة ناویر در الاستواستاتیک تبدیل می‌شود. این روش از ب...

متن کامل

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی اصفهان

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023