ارزیابی مشخصات ترانزیستورهای اثرمیدان نانولوله کربنی و بهبود عملکرد آنها از طریق تغییر ساختار

بررسی و شبیه سازی روش های بهبود عملکرد ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی از طریق تغییر درناحیه گیت

چکیده نانولوله هایکربنی قابلیت های منحصر به فرد زیادی دارند که چشم انداز مناسبی در کاربردهاینانوالکترونیکو در مدارات مجتمع آینده می توان برای آن ها متصور شد.به دلیل مشخصات الکترونیکی عالی نانولوله های کربنی نظیر قابلیت تحرک بالا، سازگاری با ثابت دی الکتریک بالا و قطر کوچک، استفاده از نانولوله های کربنی به عنوان یکی از بلوک های اصلی در کاربردهای آینده الکترونیک می تواند مطرح باشد. استفاده از ...

مدل بسته جریان - ولتاژ در ترانزیستورهای نانولوله کربنی آلاییده

In this paper a compact current-voltage model for MOSFET-like Carbon Nanotube Field Effect Transistors (MOSFET-like CNFET) is presented. To model these devices the one-dimensional drain/source current equation obtained from Landauer approach must be solved self-consistently with the equation relates the Fermi surface and carrier concentration. Also, numerically solve of the integral over densit...

تأثیر تغییرات ساختاری گیت و کانال در بهبود مشخصات کانال کوتاه ترانزیستورهای نانولوله کربنی

این پایان نامه به بررسی و شبیه سازی ترانزیستورهای نانولوله کربنی و ارائه سه ساختار جدید برای آنها می¬پردازد. با توجه به اهمیت کوچک شدن ترانزیستورها، در ساختارهای ارائه شده سعی کرده¬ایم که اثرات زیان بخش کانال کوتاه را کاهش دهیم. ترانزیستورهای نانولوله جدید پیشنهاد شده در این پایان نامه عبارتند از: 1- ترانزیستور نانولوله کربن با گیت دوقلو، 2- ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربن با دوپینگ پله¬ای د...

مدل بسته جریان - ولتاژ در ترانزیستورهای نانولوله کربنی آلاییده

در این مقاله مدل بسته­ای برای منحنی مشخصه جریان – ولتاژ ترانزیستورهای اثر میدانی شبه ماسفت با کانال نانولوله کربنی ارائه شده است. به منظور مدل سازی این نوع افزاره­ها باید معادله یک بعدی جریان درین – سورس که از مدل­سازی عمومی بالستیک به کمک فرمول لاندور به دست می­آید به همراه معادله­ای که وابستگی بین سطح فرمی و تراکم حامل­ها را ارائه می­دهد به صورت خودسازگار[i] حل شوند. همچنین برای محاسبه تراکم ...

بررسی امکان تولید نانولوله و نانوالیاف کربنی از طریق واکنش سنتز احتراقیدر سیستمC-Al-Fe2O3

ارائه ساختاری جدید از ترانزیستورهای اثرمیدان در مقیاس نانو به‌منظور بالابردن قابلیت اطمینان

ترانزیستورهای ماسفت با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق کاربرد وسیعی در صنعت الکترونیک دارند. اما وجود لایه عایق در این ساختارها باعث مشکلاتی مانند اثر بدنه شناور و اثر خودگرمایی می‌گردند. به‌منظور بالابردن عملکرد الکتریکی، در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق در مقیاس نانو ارائه می‌گردد. ساختار پیشنهادی با نام QSZ-MOSFET ارائه می‌گردد که در آن چهار ناحیه سیلیسیمی در کانال و در اکسید مدفو...