در این تحقیق به بررسی ساختار چاه کوانتومی تحت کرنش ingan/ganورتزیت پرداخته ایم. هدف اصلی ما در این پایان نامه محاسبه میدان الکتریکی در چاه کوانتومی ingan/gan و نیز چاه های کوانتومی چندتایی آنها است. روش ما برای این محاسبه، حل معادله کرنش به منظور بدست آوردن بارهای پلاریزاسیون که عمدتاَ بدلیل تغییر ناگهانی ثابت-های پیزوالکتریک در سطح مشترک چاه و سد حاصل می شود می باشد، حل خود سازگار معادلات پواسون و k.p شرودینگر 8- نواری برای محاسبه حامل های آزاد در دیواره های چاه کوانتومی انجام شده است. این شبیه سازی یک بعدی برای میدان الکتریکی و حاملهای آزاد با استفاده از نرم افزار nextnano++برای حالتهای مختلف پلاریته سطح gan، ضخامتهای مختلف و نسبتهای ایندیم متفاوت چاه ingan و چاه های چندتایی ingan با ضخامتهای مختلف چاه و سد، ارائه شده است. در این بررسی مشاهده شده است که با افزایش پهنای چاه تا پهنای بحرانی افت پتانسیل بطور خطی افزایش یافته و میدان ثابت می ماند در حالیکه پس از آن افت پتانسیل ثابت ولی میدان کاهش می یابد همچنین در چاه های کوانتومی چندتایی، کنار هم قرار گرفتن چاه ها باعث ایجاد میدان قابل ملاحظه ای در لایه های سد می گردد.