در حال حاضر در مبحث ابررسانائی مطالعات متعددی روی تک بلورهائی از ابررساناهای دمای بالا (htsc ) به فرم لایه نازک صورت گرفته است. نوارهای ابررسانای htsc در حال پیشرفت برای استفاده در کابل های انتقال توان ac ، نوارهای لایه نازک همبافته برای بررسی کاربردهای منفعل میکروویو، مانند فیلترهای ارتباط بی سیم، قراردارند. در کاربردهای عملی کاهش اتلاف انرژی از اهمیت زیادی برخوردار است. در این پایان نامه قصد داریم تاثیر جریان را در کاهش اتلاف انرژی بررسی کنیم. اتلاف ac روش حل عددی در ابررساناهائی است که تحت اثر میدان عمود بر سطح قراردارند. خواص الکترومغناطیسی نوار را بوسیله توزیع جریان سطحی و مولفه عمودی میدان مغناطیسی در طول نمونه، می-توان بدست آورد. معادلات تجربی چگالی جریان سطحی ومیدان مغناطیسی عمودی برای چگالی جریان سطحی توسط mc donald و clem ارائه شده اند. برای حل این معادلات خود سازگار از روش حل عددی، که بوسیله برنامه نویسی کامپیوتری امکان پذیر است، استفاده می کنیم. برای مطالعه وابستگی چگالی جریان موضعی بحرانی به میدان مغناطیسی، مدل های متفاوتی وجود دارد که از آن جمله می توان به مدل های kim ، bean ، ire – yamafuji و بینابین اشاره کرد.کاهش اتلاف ac برای نوار ابررسانای واقع در میدان مغناطیسی عمودی توسط k. kajikawa و همکارانش در سال 2005 محاسبه شده است. جریان را در دو جهت، مثبت ومنفی محور y اعمال می کنیم و به بررسی تاثیر جریان انتقالی در تغییرات اتلاف ac در حالی می پردازیم که نمونه در یک میدان مغناطیسی خارجی عمود بر آن قرار دارد. پس ازمحاسبه معادلات مورد نیاز برای اتلاف ac در یک نوار ابررسانا، تغییرات حاصل شده در مغناطش ونمودارهای پسماند آن، همچنین تغییرات در اتلاف ac انرژی را برای یک نوار ابررسانا محاسبه می کنیم، ونمودارهای مربوطه را رسم می نمائیم. سپس تغییرات ایجاد شده در اتلاف و مغناطش را پس از اعمال جریان انتقالی، با حالت بدون جریان مقایسه می کنیم.