نام پژوهشگر: فرهنگ سهیلیان

سنتز نانو ذرات pbs و تعیین برخی از مشخصات آنها
پایان نامه دانشگاه تربیت معلم - تهران - دانشکده علوم 1388
  عطیه بهنام   فرهنگ سهیلیان

چکیده ندارد.

بررسی نظری و عملی سلولهای خورشیدی از نوع نیمه رسانا-نیمه رسانا ‏‎si, cuinse2/gaas‎‏
پایان نامه وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت معلم تهران - دانشکده علوم 1380
  حسن خلیلیان   فرهنگ سهیلیان

در این رساله هدف آشنایی با انواع پیلهای خورشیدی و توان، بازده، و اصول کار آنهاست. بدین منظور پس از بررسی کلی طرز کار سیستمهای خورشیدی و معرفی انواع آن، مطالعه خواص اساسی نیمه هادی ها را ضروری میدانیم و عمدتا با فیزیک نیمه هادیهای ‏‎si, cuinse2, gaas‎‏ سروکار داریم. سپس سلول خورشیدی بعنوان واحد دریافت کننده انرژی خورشیدی و تبدیل آن به انرژی الکتریکی محور بحث است و در این راستا جذب نور و تولید حاملها و باز ترکیب آنها و پیوند ‏‎p-n‎‏ و جریان در تاریکی و روشنائی وعوامل موثر در بازده پیلهای خورشیدی تشریح گردیده است. پیلهای خورشیدی ساخته شده از موادی با شکاف مستقیم که فوتونهای مجاور سطح پیل را جذب میکنند برای پیلهای لایه نازک مناسبتریند. متداولترین پیلهای خورشیدی یعنی پیلهای سیلسیومی با پویند ‏‎p-n‎‏ دارای بازدهی بین 12 الی 17% هستند. در نهایت آزمایشهایی روی دو نمونه از سلولهای خورشیدی ‏‎si, cuinse2/gaas‎‏ انجام یافته و نتایج تجربی ثبت گردیده اند.

سنسورهای نوری (احساسگرهای نوری)
پایان نامه وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت معلم تهران - دانشکده علوم 1380
  علی دباغ   فرهنگ سهیلیان

در این رساله هدف آشنایی با طرز کار سنسورهای نوری و آشنایی با کاربرد انواع سنسورهای فیبر نوری است. بدین منظور ابتدا خواص اساسی نیمه هادیها، مخصوصا نیمه هادیهای سیلیکون و گالیوم ارسناید مورد بررسی قرار گرفته و بعد تاثیر ناخالصی بر روی این خواص بیان شده است در این راستا، گاف انرژی نیمه هادیها؛ حائز اهمیت است چون مقدار آن با عوامل خارجی مثل افزودن ناخالصی یا دادن گرما و نور به نیمه هادی تغییر می کند. تغییر گاف انرژی در جذب نور توسط نیمه هادی و همچنین در تولید و بازترکیب عاملها تاثیر می گذارد که این امر اساس کار سنسورهای نوری است. در ادامه سنسورهای فیبر نوری مورد بررسی قرار گرفته و مزایای انها نسبت به سنسورهای متداول الکتریکی و مکانیکی بیان شده است و همچنین طرز کار چند نمونه از سنسورهای فیبرنوری چند حالته بررسی شده است. شمارنده های گازی دسته دیگری از سنسورهای مورد بررسی هستند که در آنها گاز به عنوان ناخالصی به نیمه هادی تزریق می شود این سنسورها از روی تغیرات رسانندگی الکتریکی نیمه هادی می توانند ذرات گاز را تا دقت ‏‎100ppm‎‏ شمارش نمایند. در پاسخ به عطش انسان، برای ساخت حافظه الکترونیکی ارزانتر، و پردازندههای سریعتر و با توان بیشتر کمترین حد فیزیکی برای میکرو تراشه های سیلیکونی پیش بینی شده که مقدار آن در این رساله بیان شده است. در خاتمه آزمایشهایی که بر روی لایه های نازک ‏‎cds‎‏ انجام گرفته، بیان شده و نتایج تجربی بدست آمده ثبت و نمودار آنها ترسیم شده است.‏‎‎‏