ترکیبات دو عنصر سیلیکون و کربن c را کربیدسیلیکون می گویند ودارای خوشه های بسیار زیادی می با شند. انواع مختلف و متنوعی از ترکیب دو عنصر سیلیکون و کربن وجوددارد و در تکنولوژی مواد بسیار با اهمیت است. کربید سیلیکون دارای خواص مطلوب بسیار زیادی مانند رسانایی گرمایی بالا، شکنندگی بالا درمیدان الکتریکی، پایداری حرارتی بالا، ایستادگی در رابطه با تغییرات شیمیایی است. این خواص جالب ،کربید سیلیکون را برای استفاده مدارات مجتمع الکترونیکی در درجه حرارت، فرکانس و ولتاژهای بالا بسیار مناسب ساخته است. در مطالعه ساختار الکترونی خوشه های ( ) تئوری تابع چگالی با تقریب وبا انتخاب دستگاه پایه مورد استفاده قرار گرفته است. با استفاده از برنامه گوسین 3 اطلاعاتی را در خصوص انرژی پیوند، فرکانس ارتعاش، گاف هومو-لومو، پتانسیل یونیزاسیون، الکترون خواهی خوشه هایی که اپتیمم شدند به دست آوردیم. خوشه هایی که دارای تعداد سیلیکون و کربن برابر بودند از پایداری خاصی برخوردارند. بخصوص با توجه به در نظرگرفتن معیار های همزمان انرژی پیوند بالا، باند گاف بالا، پتانسیل یونیزاسیون بالا و الکترون خواهی پایین خوشه را به عنوان پایدارترین خوشه (خوشه جادویی ) معرفی کردیم. این نتایج با اغلب نتایج تئوری و آزمایشگاهی که ارائه شده است مطابقت خوبی دارد.

چکیده پایان نامه آلیاژ های حافظه دار ،آلیاژ هایی هستند که در دمای پایین تحت تغییر شکل قابل ملاحظه ای قرار می گیرند و این تغییر شکل تا گرم شدن آن ها باقی می ماند. این آلیاژ ها امروزه در صنعت و پزشکی مورد استفاده قرار می گیرند. این آلیاژ ها در دماهای بالا ،فاز آستنیت مکعبی دارند و با سرد شدن در دماهای پایین تغییر فاز داده و به فاز مارتنزیت تتراگونال که دارای تقارن کمتری است، دگرگون می شوند. ماده در فاز مارتنزیت یک ساختار دوقلویی تشکیل می دهد ،که اگر یک تنش به ماده اعمال شود،دوقلویی ها مجدداً سمتگیری کرده و در جهت یکسان قرار می گیرند که این مرحله حذف دوقلویی1 نامیده می شود.هنگامی که ماده گرم می شود،مارتنزیت تغییر شکل یافته به شکل اولیه آستنیت مکعبی برمی گردد و ماده شکل اصلی خود را به دست می آورد.این رفتار اثر حافظه داری شکلی گفته می شود.ما در این پایان نامه دگرگونی فازها را مورد بررسی قرار داده و آلیاژ های حافظه دار خانواده ni2 mnga را از لحاظ ویژ گی های مغناطیسی و ساختار و ویژ گی های الکترونیکی آن بررسی می نماییم.

در مورد مفهوم واپاشی غیر لپتونی عبارت " فاکتور گیری " معمولا برای نزدیک سازی عنصر ماتریس عملگر چار فرمیونی به طریق تولید یک فرم فاکتور و یک ثابت واپاشی به کار می رود . تصحیح های این تقریب را "غیر قابل فاکتور گیری " می نامند. در مورد واپاشیb غیرلپتونی ، ساده سازی در ابتدا از این نوع (ساختار ساده) بشمار می رود ، ما آن را اثرات غیر قابل فاکتورگیری می نامیم که به ویژگی های طول بلند مزون b و هر دو مزون حالت پایانی به شکل ترکیبی بستگی دارند. همچنین می توان فاکتور گیری را به معنی جداسازی سهم های طول بلند یک فرآیند از قسمت طول کوتاه دانست که وابسته به مقیاس بزرگ می باشد. قسمت طول کوتاه در یک بسط و در جفت شدگی قوی قابل محاسبه خواهد بود و سهم های طول بلند باید به شکل غیر اختلالی محاسبه گردیده و یا از روی تجربه تعیین می شوند. فایده این کار این است که این پارامتر های غیر اختلالی غالبا در پیکره و ساختار ساده تر از کمیت اصلی می باشند و یا مستقل از یک فرآیند یافت می شوند. برای مثال فاکتورگیری بکار رفته در فرآیند های سخت و در برخورد های فراگیر هادرون-هادرون تنها نیازمند توزیع و انتشار پارتون به عنوان یک ورودی غیر اختلالی می باشد.در مقایسه با عنصر ماتریس اصلی با دو هادرون اولیه توزیع های پارتون موضوعات ساده تری می باشند. به سخن دیگر فاکتورگیری بکار رفته در فرم فاکتورb?d منجر به یک مورد غیر اختلالی (تابع ایزگور- وایز) می گردد که هنوز یک تابع انتقال تکانه به حساب می آید.البته سود این کار در این است که تقارن ها به مرتبط کردن این تابع به فرم فاکتور های دیگر می پردازد. ویژگی های فاکتورگیری دامنه های واپاشی غیر لپتونی بستگی به وضعیت پایانی دو مزون دارد.ما یک مزون را زمانی سبک می نامیم که جرم آن در حد کوارک سنگین، متناهی باقی بماند. و یک مزون را زمانی سنگین می نامیم که جرم آن با در حد کوارک سنگین مورد قیاس قرار گیرد به طوری که ثابت باقی بماند.در واقع ما هنوز می توانیم را برای یک مزون سبک داشته باشیم.مزون های چارم می توانند به عنوان مزون های سبک در این معنا ومفهوم تلقی شوند البته مگر این که آنها را به نوعی دیگر ذکر کرده باشیم. 3-1-1 فرمول فاکتوریزیشن: حال به ملاحظه واپاشی های ضعیف در حد کوارک سنگین پرداخته و به تفکیک واپاشی های موجود در حالات پایانی حاوی مزون سنگین و سبک اقدام میکنیم. تصحیحات توان از مرتبه عنصر ماتریس انتقال یک عملگر oi،در یک رابطه هامیلتونین موثر ضعیف به شکل زیر خواهد بود: در صورتی که و هر دو سبک باشد (3-1) در صورتی که سنگین و سبک باشد در اینجا به فرم فاکتور b? اشاره دارد.و دامنه توزیع مخروط نوری جهت حالت فوک کوارک-آنتی کوارک مزون x می باشد . ما این کمیت های اختلالی را در بخش های بعدی تعریف خواهیم کرد . و توابع پراکندگی سخت می باشد که به شکل اختلالی قابل محاسبه هستند . کرنل های پراکندگی سخت و دامنه های انتشار مخروط نور به مقیاس فاکتورگیری بستگی دارد که این در معادله (3-1) حذف شده است . و سرانجام m1,2 نمادی از جرم مزون های سبک می باشند . معادله (3-1) به شکل نموداری درشکل (3-1) نشان داده شده است (خط دوم معادله اول در(3-1) به گونه ای ساده گردیده است که ممکن است نیازمند یک انتگرال گیری تکانه عرضی در مزونb که از مرتبه شروع میگردد، باشد [21] . همانطور که معلوم است معادله اول در (3-1) برای واپاشی های موجود در دو مزون سبک بکار می رود که در مورد آنها کوارک تماشاگر در مزونb می تواند در هر کدام از مزون های حالت نهایی قرار گیرد . اگر کوارک ناظر(تماشاگر) بتواند به یکی از حالت های پایانی برود مثل مورد در این مورد عبارت سوم در طرف سمت راست (3-1) که عامل برهمکنش های سخت با کوارک ناظر می باشد می تواند حذف گردد چون در حد کوارک سنگین بطریق توان سرکوب می شود. در موقعیت مخالف وعکس که کوارک ناظر به مزون سبک می رود اما مزون دیگر سنگین می باشد چون مزون سنگین نه سریع و نه کوچک می باشد و قابل فاکتور گیری از انتقال گذار m1 b? نیست (البته چنین دامنه هایی باز در حد کوارک سنگین و در رابطه با دامنه هایی در آن کوارک ناظر به یک مزون سنگین می رود و در حالیکه مزون دیگر سبک می باشد) بوسیله توان سرکوب می گردند. شکل(3- 1 ):نمودار فرمول فاکتوریزیشن. بخاطر سادگی تنها یکی از عبارات فرم فاکتور در معادله (3-1) نشان داده شده است. یادآور می شویم که توپولوژی انهدام و نابودی در فرمول فاکتور گیری ظاهر نمی گردد . آنها در lo در بسط کوارک سنگین سهمی ندارند. هر برهم کنش سختی به یک ضریب می انجامد. در نتیجه عبارت سوم در معادله(3-1) در مرتبه وجود ندارد .از آنجا که در این مرتبه توابع مستقل از هستند انتگرال همگردشی منجر به ثابت واپاشی مزون گردیده و ما ناظر آن خواهیم بود که معادله (3-1) به تولید مجدد فاکتوریزیشن ساده بپردازد. فرمول فاکتوریزیشن به ما اجازه می دهد تا به محاسبه تصحیح های تابشی در مورد این نتیجه و در تمام مرتبه های بپردازیم.تصحیح های بیشتر بطریق توان در محدوده کوارک سنگین سرکوب می شوند. سودمندی فرمول فاکتوریزیشن ناشی از این حقیقت است که کمیت های غیر اختلالی که در سمت چپ آن ظاهر می شوند خیلی ساده تر از عنصر ماتریس اصلی غیر لپتونی که در سمت چپ آن ظاهر می شوند ، می باشند. و این بدلیل آن است که یا به انعکاس ویژگی ها ی همگانی یک حالت تک مزونی(دامنه انتشار مخروط نوری) پرداخته و یا تنها به یک عنصر ماتریس گذار b? مزون در جریان محلی (فرم فاکتور) اشاره دارند. در حالیکه اگر این کار غیر ممکن نباشد بسیار دشوار است که بتوان به محاسبه عنصر ماتریس اصلی در شبکه اقدام نمود ، دامنه های انتشار مخروط نوری قبلا به این طریق محاسبه شده اند هر چند که در حال حاضر این روند با خطا های قابل توجه منظم صورت می گیرد . در نتیجه فرم فاکتور ها می توانند با استفاده از داده های موجود درباره ی واپاشی های نیمه لپتونی و دامنه های انتشار مخروط نوری در مقایسه با دیگر فرآیند های خاص سخت بدست بیایند. از آنجا که فرم فاکتورها و دامنه های انتشار مخروط نور واقعی اند، تمام برهمکنش های حالت پایانی و فازهای نیرومند ایجاد شده بوسیله آنها بخشی از توابع قابل محاسبه پراکندگی سخت هستند. این مورد و فقدان تصحیح های غیر قابل فاکتور گیری ، غیر محتمل است که فراتر از مرتبه تقدمی در بسط و گسترش کوارک سنگین واقعی باشند، چون تاثیرات گلئون(نرم) سبک که به پیوند و می پردازند و به وسیله یک توان سرکوب می شوند، وجود دارند دامنه های انتشار مخروط نوری مزون های ارتباط دامنه های توزیع مخروط نور مزون های زیاد نیستند چون کوارک ناظر در مزون در چهارچوب سکون پر انرژی نیست. بنابراین اگر ما به اختصاص تکانه l به کوارک ناظر بپردازیم ، تمام مولفه های l در مرتبه می باشند.دامنه توزیع مخروط نور مزون b تنها در جمله سوم و در سمت راست معادله (3-1) یعنی عبارت برهمکنشی ناظر سخت ظاهر می شود. همانطور که می دانیم این عبارت تنها توان تقدمی جهت واپاشی دو مزون سبک و یا واپاشی های یک مزون سبک و یک اونیوم می باشد .لذا در مرتبه s? می توانیم دریابیم که دامنه برهمکنشی ناظر سخت تنها به p? • l در lo در 1/mb بستگی دارد ، که p تکانه مزون سبک می باشد که به گزینش کوارک تماشاگر می پردازد.مولفه های مخروط نور جهت هر بردار شامل (3-4) می باشند.اگر ما به گزینش به صورتی اقدام کنیم که مقدار آن غیر صفر باشد ،دامنه ناظر سخت تنها بستگی به خواهد داشت.دامنه واپاشی برای دو حالت کلی ذره فوک مزون b توسط انتگرال تابع موج کامل بته-سالپتر و با دامنه واپاشی پارتونی ارائه خواهد شد. (3-5) (نقطه ها نشان دهنده ، نمای مرتبه مسیر مورد نیاز جهت ایجاد ناوردایی پیمانه ای عنصر ماتریس می باشند). پس تقریب ما به شکل زیر خواهد بود: (3-6) که تا تصحیح های توان معتبر هستند. از آنجا که تابع موج را میتوان روی جمع زد این کار مستلزم آن است که ما نیازمند فقط برای z شبه سبک مانند باشیم . جهت تجزیه خیلی کلی دامنه توزیع مخروط نور در ما به استفاده از این حقیقت که در چهارچوب سکون مزون ، تنها دو مولفه بالایی اسپینور کوارک بزرگ می باشد ، می پردازیم. البته از آنجا که کوارک ناظر نه پر انرژی و نه سنگین می باشد ، هیچ محدودیت بیشتری در مولفه های موجود اسپینور کوارک- ناظر وجود ندارد. پس در آن صورت ما در خواهیم یافت که مزون توسط دو موج نرده ای و توابع آن در توان تقدمی توصیف می شوند که گزینه آن به شکل زیر خواهد بود: (3-7) که و شرایط بهنجارش نیز شامل (3-8) هستند. در محاسباتی که شامل دامنه توزیع مزون باشد ما فقط به اولین اندازه حرکت تابع موج مزون یعنی نیاز داریم که به روش زیر به دست می آید [22] : (3-9) تا زمانی که تابع موج به که از مرتبه است، بستگی دارد از مرتبه خواهد بود.اگر مقیاس برهمکنش قوی را انتخاب کنیم نیز همان مقدار را به خود می گیرد و با داریم تابع موج مزون نیز از رابطه زیر به دست می آید [23و 24] : (3-10) و ثابت های نرمال کردن هستند که تابع موج فوق را نرمال میکنند .یعنی می تواند یا باشد . اگر آن را انتخاب کنیم را به دست می آوریم . برای را داریم. و اگر را انتخاب کنیم را به دست خواهیم آورد و داریم . تا اینجا سه عدد متفاوت برای جواب انتگرال تابع موج مزون که در ضرایب کاربرد دارد را به دست آورده ایم. برخلاف دامنه های انتشار مزون های سبک، دامنه های انتشار مزون حتی از نظر تئوریکی زیاد قابل شناخت نیستند. در مقیاس های خیلی بزرگتر از ، مزون مانند یک مزون سبک می باشد و دامنه توزیع باید به یک فرم تقارنی نزدیک گردد. در مقیاس های مرتبه و کوچکتر هر کسی انتظار دارد دامنه های انتشار در مورد ی مرتبه خیلی نا متقارن باشند. ضرایب فاکتور کردن a_i برای ذرات به ازای عدد رنگ 3 (n_c=3) و عدد کوارک فعال 5 (f=5) ماتریس های?^((0) ) و ?^در ضرایب ویلسون به کار می روند . این بدان معنی است که عدد کوارک فعال در واپاشی های فوق یعنی تعداد کوارک های فعال درگیر در برهمکنش ها ، به طوری که مجموع آنها می تواند3و4و5 باشد ، در تمام واپاشی های b?d یک کوارک b وجود دارد. همانطور که می دانیم در این بر همکنش ها سه مزون شرکت می کنند که هر یک از آنها از یک کوارک و یک پادکوارک تشکیل شده است پس در مجموع می توان گفت که شش کوارک فعال f داریم از طرفی عدد کوارک فعال در هر واپاشی باید برابر f=u+d باشد که u تعداد کوارک های بالا(up) و d تعداد کوارک های پایین(down) می باشد .از آنجایی که در اکثر واپاشی ها سه کوارک فعال u و دو کوارک فعال d شرکت می کنند بنابراین ما عدد کوارک فعال را f=5 در نظر می گیریم که جواب های بهتری به ما می دهد.با جاگذاری?^((0) ) و?^((1) ) در رابطه(3-29) می توانیم ضرایب ویلسون را محاسبه کنیم که این محاسبات برای c_1^eff و c_2^eff در مقیاس ?=m_b?2 به شکل زیر است : c_1^eff=c_1+?_s/4? (?_s^0 ln m_b/?+?_s^1 ) (_1i^)c_i c_2^eff=c_2+?_s/4?(?_s^0 ln m_b/?+?_s^1)(_2i^)c_i برای ماتریس های ?^((0) ) و?^((1) ) وقتی بسط را از i=1 تا i=6 باز کنیم فقط دو جمله اول غیر صفر می شوند و بقیه جملات صفر هستند بنابراین برایc_1^eff وc_2^eff داریم: c_1^eff=1.137+0.286/4? [(-2ln(2)+7?3)1.137+(6×ln??(2)-7? )(-0.295)+0]=1.18 c_2^eff=-0.295+0.286/4? [(6ln(2)-7)1.137+(-2×ln??(2)+7?3? )(-0.295)+0]=-0.37 میدانیم که در برهمکنش های ضعیف ، هامیلتونی موثر بر حسب ضرایب ویلسون نوشته می شود ولی آنها فقط شامل سهم های قابل فاکتور گیری می شوند ، بنابراین ما باید ضرایب ویلسون را به ضرایب ویلسون موثر که شامل سهم های غیر قابل فاکتور گیری نیز باشد تبدیل کنیم و سپس از آنها برای به دست آوردن ضرایب فاکتوری کردن a_i بر اساس فرمول های زیر استفاده می کنیم. a_2i=c_2i^eff+(1/(n_c^eff ))_2i c_2i^eff a_(2i-1)=c_(2i-1)^eff+(1/(n_c^eff ))_(2i-1) c_2i^eff (i=1,…,5) که در آن (1/(n_c^eff ))_i=1/n_c +x_i x_i مرتبه ی ، سهم های غیر قابل فاکتور کردن می باشد.که سهم عمده آن مربوط به عملگرهای جریان است. در نبود برهمکنش های حالت نهایی باید فرض کنیم که x_i و به واسطه ان n_c^eff اعداد حقیقی اند . به طور کلی n_c^eff می تواند مقادیر مختلفی را به خود بگیرد . در یک حالت خاص اگر n_c^eff را برابر ? قرار دهیم ضرایب موثر ویلسون با ضرایب a_i برابری خواهند کرد . 4-3 دامنه و آهنگ گذار واپاشی ها حال به بررسی دامنه های واپاشی و آهنگ گذار واپاشی برای واپاشی های b_q?d_q p ، که q=u,d,s ،p=?,k,d_q می باشند ، می پردازیم . در سطح کوارک ، هامیلتونین موثر برای b_q?d_q ?[k,k^* ] به صورت زیر می باشد: h_eff=g_f/?2 {v_cb v_uq^* (c_1 o_1^uc_2 o_2^u )} در این رابطه o_1^u و o_2^u عملگر های کوارک به وسیله رابطه زیر به دست می آیند. o_1^u=(¯q_i u_i )_(v-a) (¯c_j b_j )_(v-a),o_2^u=(¯q_i u_j )_(v-a) (¯c_j b_i )_(v-a) که q=d,s و (¯q_1 q_2 )_(v?a)=¯q_1 ?^? (1±?_5 ) q_2 .هر چند که هامیلتونین موثر برای b_q?d_q (d_q^* ) d_q و b_q?d_q (d_q^* ) d_q^* در سطح کوارک می تواند به وسیله رابطه زیر نوشته شود: h_eff=g_f/?2 {v_cb v_cq^* (c_1 o_1^c+c_2 o_2^c )+v_tb v_tq^* ?_(n=3)^10??c_n o_n ?} در این جا o_n عملگر های کوارک هستند و توسط روابط زیر به دست می آیند: o_1^c=(¯q_i c_i )_(v-a) (¯c_j b_j )_(v-a), o_2^c=(¯q_i c_j )_(v-a) (¯c_j b_i )_(v-a) o_3(5) =(¯q_i b_i )_(v-a) (¯c_j c_j )_(v-a), o_4(6) =(¯q_i b_j )_(v-a) (¯c_j c_i )_(v-a) o_7(9) =?3/2 (¯q_i b_i )?_(v-a) e_q (¯c_j c_j )_(v+(-a) ), o_8(10) =3/2 (¯q_i b_j )_(v-a) e_q (¯c_j c_i )_(v+(-a) ) که e_q عدد بار الکتریکی کوارک c ، iو j نیز رنگ را نشان می دهند. عملگرهای o_1 و o_2 عملگرهای جریان_جریان نامیده می شوند،o_(3,…,) o_6 عملگرهای پنگوئنی qcd اند و o_(7,…,) o_10 عملگرهای پنگوئنی الکتروضعیف نامیده می شوند. ضرایب ویلسون c_n در طرح های متفاوتی محاسبه می شوند . ارزش c_n در ??m_b با تصحیحات qcd مرتبه تقدمی بعدی(nlo) به صورت زیر می باشد [37] : c_1=1.117 , c_2=?0.257 , c_3=0.017 , , c_4=-0.044 , c_5= 0.011 , , c_6=-0.056 , c_7=-1×?10?^(-5) , c_8=5×?10?^(- , c_9=-0.010 , c_10=0.002 . آهنگ گذار واپاشی فرآیند غیر لپتونی b_q?d_q m که m مخفف مزون های v یا p است به صورت زیر نوشته می شود: ?(b_q?d_q m)=1/(16?m_(b_q)^3 ) |a|^2 ?(?(m_(b_q)^2,m_(d_q)^2,m_m^2 ) ) که ?(x,y,z)=x^2+y^2+z^2-2xy-2xz-2yz تابع مثلثی مفید می باشد. برای اینکه بتوانیم پهنای واپاشی را به دست بیاوریم ابتدا باید دامنه a را محاسبه کنیم. بنابراین با استفاده از روش فاکتوریزیشن و تعریف عناصر ماتریس مربوطه در ترم های فرم فاکتور f_+ ,f_- و خواهیم داشت: ?d_q (p^ )?¯c ?_? (1±?_5 )b?b_q (p) ?= (p+p)_? f_+ (q)^2+(p-p)_? f_- (q)^2 که َa برای واپاشی های b_q?d_q p (p=? ,k) به صورت جملات زیر می باشد: (4-25) a^(b_q?d_q p)=i g_f/?2 {v_cb v_uq^* a_1 } m_p f_p [f^(b_q?d_q p) (m_p^2 )] (4-26) f^(b_q?d_q p) (m_p^2 )=(m_(b_q)^2-m_(d_q)^2 ) f_+ (m_p^2 )+m_p^2 f_- (m_p^2 ) در روابط بالا p و p چهار بردار اندازه حرکت b_q و d_q هستند. مقادیر a_i در مرتبه های ضرایب c_i به صورت زیر می باشند: (4-27) a_i=c_i+1/n_c c_(i+1) (i=odd) که مقادیر i به صورت i=1,…,10 می باشد و n_c عدد رنگ در qcd است.حال به محاسبه ی آهنگ گذار واپاشی برای b_q?d_q p می پردازیم . بیان واضح برای آهنگ گذار واپاشی با جملات زیر داده می شود [40] : ?(b_q?d_q p(p=?,k))=(g_f^2)/(32?m_(b_q)^3 ) v_cb^2 v_uq^2 a_1^2 m_p^2 f_p^2 ?(?(m_(b_q)^2,m_(d_q)^2,m_p^2 ) ) [f^(b_q?d_q p) (m_p^2 )]^2 با استفاده از این رابطه آهنگ گذار برای واپاشی های b_q?d_q p به دست می آید . جدول(5-13): نسبت های شاخه ای واپاشی ها در br br br br br 3.0±07e-4 2.14e-05 2.19e-05 2.28e-05 3.2±0.5e-3 2.19e-05 2.24e-05 2.34e-05 4.85±0.15e-3 1.10e-04 1.12e-04 1.17e-04 3.68±0.33e-4 1.09e-04 1.11e-04 1.16e-04 2.68±0.13e-3 1.12e-04 1.15e-04 1.19e-04 2±0.6e-4 1.07e-04 1.09e-04 1.14e-04 جدول(5-14): نسبت های شاخه ای واپاشی ها در 3.0±07e-4 2.17e-05 2.23e-05 2.36e-05 3.2±0.5e-3 2.22e-05 2.29e-05 2.41e-05 4.85±0.15e-3 1.12e-04 1.15e-04 1.21e-04 3.68±0.33e-4 1.10e-04 1.13e-04 1.20e-04 2.68±0.13e-3 1.14e-04 1.17e-04 1.23e-04 2±0.6e-4 1.08e-04 1.11e-04 1.18e-04 هدف ما در این بحث ، مطالعه واپاشی های غیر لپتونی مزون به دو مزون سنگین و سبک در محدوده ی کوارک های سنگین و نشان دادن مقیاس بر همکنش قوی می باشد. نتایج به دست آمده اهمیت مورد توجه قرار دادن این پارامتر ها را نشان می دهد. اگر در محاسبات متغیر های وابسته به مقیاس قوی ، بدون در نظر گرفتن آن مقیاس خاص عمل کنیم ، جواب های متفاوتی به دست خواهد آمد. ما به طور کلی ضرایب مربوط به واپاشی های را محاسبه کردیم و به بررسی بستگی آن به مقیاس بازبهنجارش پرداختیم و دیدیم که ضریب دارای وابستگی خیلی ضعیف روی) و انتخاب ساختار بازبهنجارش می باشد. همچنین وابستگی خیلی ضعیف روی نشان می دهد که طبق پیش بینی نزدیک به واحد و در سازگاری با پدیده شناختی فاکتور گیری قرار دارد. نتایج به دست امده در جدول های(5-13) و(5-14) شامل یک مقاسیه از نتایج ما با پیشگویی های موجود از pqcd در قیاس با مقادیر آزمایشی می باشد . ازاین جدول ها ما یک ثبات خوبی را در میان این روش و آزمایش می بینیم . ثبات درمیان پیشگویی های ما و نتایج آزمایش یک امتحان مناسب برای روش فاکتوریزیشن qcd می باشد . در پایان می توان گفت که روش فاکتوریزیشن qcd مورد استفاده ،اگر با توجه به سهم های از جریان-جریان ، پنگوئنیqcd و عملگرهای پنگوئنی الکتروضعیف و با در نظر گرفتن نمودارهای فاینمن و همچنین تصحیحات دقیق تر انجام شود به نتایج بهتری خواهیم رسید.

یکی از حوزه های مورد بررسی در ابعاد نانو، چگونگی ترابرد الکترون در ساختارهای نانو و چگونگی تغییرات این خصوصیات با تغییرات ساختار و نوع مواد در ابعاد نانو می باشد. کاربرد روز افزون قطعات فوق ریز در صنایع الکترونیک و کامپیوتر موجب گردیده است که تحقیقات بیشماری در حوزه های عملی و نظری در این زمینه ادامه یابد. در نقطه شروع به لازم است که به بررسی خواص مولکول ها و بلورها بپردازیم. برای بررسی خواص مولکول ها و بلورها نیازمند محاسبه انرژی مربوط به آنها هستیم. عمومی ترین روش محاسبه انرژی، حل معادله شرودینگر سیستم است. حل تحلیلی معادله شرودینگر تنها برای دستگاه های تک ذره ای به سادگی امکانپذیر است و در دستگاه های چند (بس) ذره ای، معمولاً هنگامی که بیشتر از دو ذره داریم، حل تحلیلی دستگاه کاری دشوار و تنها با اعمال تقریب های گوناگون ممکن می شود. در اینجا منظورمان از حل مساله غالباً تعیین ویژه مقادیر و ویژه توابع سیستم بس ذره است.

لایه های نازک نیترید مولیبدن، به دلیل خواص فیزیکی فوق العاده شان از قبیل: رسانایی الکتریکی خوب و پایداری شیمیایی، استحکام عالی، توانایی کاتالیزوری و ابر رسانایی به صورت گسترده ای در صنعت استفاده می شوند و کاندیدای آتی برای استفاده به عنوان سد پخش، و الکترودها در میکرو الکترونیک هستند. بازپخت، یک تکنیک بسیار مهم برای بهبود ساختار میکروسکوپی لایه های نازک است. زیرا نانو ساختارها با دما، به خوبی فشار، تغییر می کنند. در این فعالیت ابتدا لایه های نازک مولیبدن به روش کندوپاش dc برروی زیرلایه های سیلیکون، با ضخامت زیر nm 100، انباشته شد و سپس در معرض شار نیتروژن، در پنج دمای مختلف: ? 900 و 775 و650 و 525 و 400 فرآیند بازپخت انجام گرفت. ساختار کریستالی این لایه ها به وسیله پراش پرتو-x، مورفولوژی سطح این لایه ها با استفاده از میکروسکوپ نیروی اتمی(afm) بررسی شد. همچنین در ادامه به آنالیز های سختی سنجی و تست سایش برای بررسی خواص مکانیکی لایه ها نیز پرداختیم. نتایج دریافتی از پراش پرتو-x، نشان داد که نمونه های بازپخت شده در دماهای?650 و 525، بس بلوری از ??-mo?_(2 ) n نیترید مولیبدن هستند، در حالی که نمونه های بازپخت شده در دماهای?900و 775، بس بلوری از ?mo?_(2 ) n هستند. نتایج دریافتی afm نشان داد که افزایش دمای بازپخت، سبب افزایش اندازه دانه ها و زمختی سطح می شود. بررسی خواص مکانیکی نمونه نیز نشان داد که با افزایش دمای بازپخت تا دمای ?650، سختی نمونه ها افزایش و سپس کاهش پیدا می کند، در حالی که با افزایش دمای بازپخت تا دمای ?650، ضریب اصطکاک نمونه ها کاهش و سپس افزایش پیدا می کند.

لایه های نازک مولیبدن با ضخامتnm 50، با استفاده از سیستم کندوپاش مغناطیسی بر روی زیرلایه (400) si انباشت شدند و در دماهای مختلف (?700، 575، 450، 325، 200) در حضور شار ثابت اکسیژن (cc/min200) بازپخت شدند. ساختار بلوری نمونه ها با پراش اشعه- x تحلیل شد و از یک میکروسکوپ نیروی اتمی(afm) برای بررسی ریخت شناسی سطح نمونه ها استفاده شد. مقاومت ویژه لایه های نازک اکسید مولیبدن نیز با استفاده از ابزار چهار میله نوک تیز (fpp) تحلیل شد. نتایج پراش پرتو-x نشان داد ساختار بلوری لایه های نازک اکسید مولیبدن قویاً به دمای بازپخت وابسته است، همچنین نتایج نشان داد که افزایش دمای بازپخت سبب افزایش اندازه دانه ها، زمختی سطح نمونه ها می شود. همچنین نتایج بررسی الکتریکی نشان داد مقاومت ویژه نمونه ها با افزایش دمای بازپخت تا ? 575 افزایش وسپس کاهش می یابد.

یکی از فناوری های نوظهور توسعه یافته در چند دهه اخیر، نانو فناوری است. با کم کردن اندازه و ثابت نگه داشتن نوع ماده، ویژگی های اساسی از قبیل نقطه ذوب ، هدایت الکتریکی، رنگ?و استحکام ماده تغییر می کند. خواص فوق موجب می شود که نانوذرات در کلیه صنایع مورد استفاده قرار گیرند. خواص?نانوذرات علاوه بر نوع ماده به شکل و اندازه و در واقع به روش ساخت آنها بستگی?دارد. یکی از مهمترین خواص ماده، دمای ذوب آن است که با تغییر ابعاد ذره در مقیاس نانو به شدت تغییر می کند. در این رساله، ما به بررسی وابستگی دمای ذوب نانوذرات به ابعاد آنها، بررسی مدل های ارائه شده دیگر، خواصی از نانوذرات که در فرآیند ذوب موثرند و ... پرداخته ایم و با ارائه مدلی بر مبنای مدل ترمودینامیکی برای پیش بینی دمای ذوب نانوذرات فلزی کروی و مقایسه داده های حاصل از مدل با داده های تجربی کفایت مدل را بررسی کرده ایم. شبیه سازی نظری نشان می دهد آثار حجمی در دمای ذوب اهمیت ویژه ای دارند که با لحاظ کردن آنها می توان دمای دقیقتری برای ذوب ذرات پیش بینی کرد، هرچند این آثار عامل شکل و نوع ماده را نیز در خود جای می دهد. داده های حاصل از شبیه سازی کاملاً با داده های تجربی همخوانی دارند. در انتها با استفاده از نتایج این نظریه، علت تفاوت بین داده های تجربی بدست آمده توسط محققان مختلف برای ذرات گوناگون مثل ایندیوم شرح داده شده است، همچنین توسط این مدل می توان دمای ذوب کوچکترین ذره ذوب شونده ممکن که خروجی حاصل از برون یابی نتایج مدل است را بدست آورد. مشاهده می شود که شبیه سازی-های نظری توافق خوبی با نتایج تجربی دارد.

وابستگی خواص الکتریکی و مکانیکی لایه های نازک نیترید تیتانیوم انباشت شده بر روی زیرلایه های سیلیکون به روش کندوپاش مغناطیسی dc، به شار گاز آرگون بررسی شد. ساختار بلوری و ریخت شناسی لایه ها به ترتیب به وسیله پراش پرتو-x (xrd) و میکروسکوپ نیروی اتمی(afm) بررسی شد. خواص مکانیکی و الکتریکی لایه ها نیز بوسیله آزمون سختی سنجی (nano-indentation) و دستگاه جستجوگر چهار نقطه ای (four point probe)، تحقیق شد. الگوهای پراش پرتو-x ، شکل گیری نیترید تیتانیوم با ساختار fcc را برای همه نمونه ها نشان داد. همچنین نتایج نشان داد جهت بلورنگاری (111) می تواند به عنوان جهت ترجیحی برای لایه های نازک تیتانیوم نیترید باشد. تصاویر میکروسکوپ نیروی اتمی (afm) یک ساختار ستونی یا سوزنی شکل را برای لایه های نازک تیتانیوم نیترید نشان داد. نتایج همچنین نشان داد افزایش شار گاز آرگون سبب افزایش سختی، اندازه دانه ها، زمختی سطح و سبب کاهش ضریب کشسانی و چگالی جا بجایی(dislocation density) در لایه ها می شود. بررسی های الکتریکی نشان داد وابستگی ولتاژ با جریان را در همه نمونه ها به صورت خطی است و نیز نشان داد مقاومت ویژه الکتریکی لایه ها با افزایش جریان گاز آرگون افزایش پیدا می کند.

نیترید براساس پوششهای سخت به طورگسترده ای برای کاربردهای مکانیکی استفاده میشود .درمیان این پوششها نیتریدکروم ها به طور ویژه قابل توجه هستند زیرا از خواص مکانیکی واصطکاکی خوبی برخوردارهستند.دراین کار تاثیر جریان گاز نیتروژن بر خواص مکانیکی و اصطکاکی لایه های نازک نیترید کروم مورد مطالعه قرار گرفت. لایه های نازک نیترید کروم روی آلومینیم 5083 بوسیله تکنیک کندوپاش مغناطیسی جریان dc درجریانهای مختلف گاز نیتروژن در رنجsccm 20-5 قرارگرفتند.شکل سطح وترکیبات شیمیایی لایه ها با استفاده از میدان گسیلی میکروسکوپ الکترونی روبشی (fesem) مورد مطالعه قرارگرفت. ضخامت لایه به وسیله دستگاه کنترل وتنظیم کریستال کوآرتز و بررسی تصاویر سطح مقطع میکروسکوپ الکترونی (fesem) تعیین شد. خواص مکانیکی و اصطکاکی نمونه ها به وسیله آزمون نانو دندانه کردن وتست خراش بررسی شد. نتایج نشان داد که سختی لایه ها با جریان گاز نیتروژن افزایش پیدا کرد درحالی که ضریب حجمی مالش و خراش کاهش پیدا کرد. بررسی ساختاری نشان داد که این رفتارها به علت کاهش چگالی جابجا شدگی و بهبود کیفیت کریستال بود.

در این پژوهش، طراحی و ساخت ضدبازتاب مقاوم در محدوده 8 تا 12 میکرومتر که در سیستم های تصویر برداری فروسرخ مورد استفاده قرار می گیرند و مطابق با استاندارد mil-48616 باشد، تحقیق و بررسی شد. پنجره های ضدبازتاب ها با افزایش عبور امواج فروسرخ گسیل شده از جسم هدف باعث افزایش کیفیت تصویر سیستم های تصویر برداری فروسرخ می شوند. از سولفیدروی به عنوان زیرلایه و جهت انباشت لایه ها از روش تبخیر فیزیکی به همراه پرتوی یونی با گاز آرگون برای ساخت ضدبازتاب تک لایه استفاده شد، همچنین برای کوتاه کردن زمان بهینه سازی ضخامت موردنیاز لایه ضد بازتاب از نرم افزار برای محاسبات آن استفاده شد. ماده irf900 به مقدار 2000 نانومتر بعنوان لایه ضدبازتاب دردوطرف زیر لایه و برای افزایش دوام آن 5 نانومتر از کربن الماس-گون روی لایه خارجی پنجره انباشت شد. نمونه های تولید شده با آنالیز ftir و طیف سنجی رامان، از نظر کمی و با آزمایش هایی مطابق با استاندارد mil-48616 از نظر کیفی مورد بررسی قرار گرفتند. مشاهده شد که ضدبازتاب تولید شده در 8 میکرومتر 99% عبور دارد. بررسی ها ی کیفی براساس استاندارد گفته شده نشان داد استفاده از پرتوی یونی برای جلوگیری از ترک خوردن لایه irf900 و سخت سازی آن ضروری است. همچنین جهت مقاوم سازی لایه انباشتی در مقابل حلالیت در بخار آب دمای زیرلایه برای انباشت لایه irf900 باید250 درجه سانتی گراد باشد. آنالیزهای رامان نشان داد پارامتر های لایه نشانی دما و نرخ انباشت در تولید مقدار هیبریداسیون sp3 که در لایه نازک کربن بی شکل عامل اصلی خصوصیات الماس-گون است تعیین کننده می باشند, مشاهده شد نمونه هایی که با نرخ انباشت 30 آنگسترم بر ثانیه و در دمای چمبره 100 درجه سانتی گراد تولید می شوند در مقایسه با دیگر نمونه ها، بهترین مقاومت مکانیکی را در آزمایش های کیفی از خود نشان دادند ودارای 32% هیبریداسیون sp3 می باشند. و این نمونه استاندارد mil-48616 را برآورده می کند و در این پژوهش یک روند تکرار پذیر جهت تولید ضدبازتاب طراحی شد.

آلیاژهای حافظه دار دو خاصیت منحصر بفرد حافظه داری و سوپرالاستیکی دارند.آلیاژ نیکل –تیتانیوم با نام تجاری نایتینول بر خلاف آلیاژهای دیگر دستخوش ساختار کریستالی انتقال فاز جامد به جامد از طریق پدیده گرمایی و مکانیکی است.فاز دمای بالا را فاز آستنیت با یک ساختار مکعب مرکز سطحی می دانیم.اگر فاز آستنیت در یک دمای معین سرد شود،اتمها به موقعیت جدید انتقال می یابند اما همان حجم مواد را می بینیم که در مقیاس اتمی مارتنزیت با فاز دمای پایین نام داردکه تقارن کمتر دارد .برای ساخت نایتینول از دو روش ریخته گری ومتالوژی پودری استفاده می شود.ناخالصی ها بر روی نایتینول اثرهای متفاوتی دارند ?مثلا ناخالصی نیوبیوم خواص زیست سازگاری آنها را افزایش می دهد،مس حساسیت دمای استحاله به ترکیب شیمیایی را کاهش می دهد و کنترل خواص ماده را راحت می کند و ناخالصی های گازی بر سختی نایتینول می افزایندو...در این پایان نامه به بررسی ساختار وساخت و تاثیر ناخالصی بر آلیاژ نایتینول پرداخته شده است.

در این پژوهش تشکیل لایه های نانوساختار نقره بر روی نانولوله های کربنی مورد بررسی قرار گرفت. ابتدا لایه نازکی از نیکل را به روش باریکه الکترونی به عنوان کاتالیستی برای رشد نانولوله های کربنی بر روی ویفر سیلیکون نشاندیم و سپس به روش لایه نشانی بخار شیمیایی با استفاده از پلاسمای فزاینده (pecvd) نانولوله های کربنی را بصورت عمودی رشد دادیم. در ادامه با استفاده از روش لایه نشانی کندوپاش مغناطیسی با جریان مستقیم فلز نقره را با ضخامت های مختلف 20، 35، 60، 85 و 100 نانومتر لایه نشانی کردیم. سپس برای بررسی خصوصیات نمونه ها، آنالیزهای sem، afm، آنالیزپراش پرتو اشعه ایکس(xrd) و آنالیز طیف سنجی رامان صورت گرفت. این بررسی نشان داد نحوه لایه نشانی لایه کاتالیست بر تراکم و ضخامت نانولوله های کربنی رشد یافته تأثیر بسیاری دارد و با کاهش زمان رشد، نانولوله ها مستقل از یکدیگر با تراکم کمتر و ارتفاع کمتر رشد یافته و برای بررسی ساختار و مورفولوژی مناسب تر هستند. همچنین دریافتیم که نرخ لایه نشانی نقره باید تقریباً آهسته باشد تا به صورت یکنواخت بر روی نانولوله ها بنشیند و در نتیجه نتایجی که از آن ها گرفته می شود صحیح تر باشند. با بدست آوردن پارامترهای زبری مشخص شد که نمونه های ما از زبری بالایی برخوردارند. از پراش پرتوی ایکس، متوجه شدیم که فازهای موجود همان نقره، کربن و نیکل می باشند و از طرفی ساختارهای کریستالی هر کدام از عناصر نقره و کربن مکعبی، و برای نیکل هگزاگونال بدست آمد. همچنین جهت های ترجیحی برای نقره و کربن یکسان (برابر (111) ) بدست آمد که نشان دهنده ی هم راستا شدن نقره با جهت نانولوله های کربنی می باشد. طیف سنجی رامان به ما نشان داد که با پوشش نانولوله های کربنی بوسیله لایه ای از نقره افزایش رسانندگی خواهیم داشت و با بیشتر شدن ضخامت لایه ی نقره این رسانندگی بیشتر خواهد شد. نواقص ساختاری نانولوله ها نیز با این افزایش کمتر می شود. آنالیز طیف سنجی رامان با نشان دادن بهبود خواص رسانایی الکتریکی نانولوله های کربنی، تأیید کننده نانوکامپوزیت بودن لایه های تشکیل شده بود.

تهیه و مطالعه بر روی لایه های نازک برای سال های طولانی است که توسط محققین انجام می شود. ولی در طی60 سال گذشته، لایه های نازک اهمیت روزافزونی را بدست آورده و کاربردهای صنعتی متعددی پیدا کرده اند. این کاربردها بیشتر در زمینه های اپتیکی، مغناطیسی و الکترونیکی بوده است. اما استفاده عملی از لایه های نازک فقط در طی40 سال اخیر انجام گرفته است که دلایل متعددی برای این موضوع وجود دارد

لایه های نازک زیرکونیوم، به وسیله روش کندوپاش مغناطیسی dc بر روی زیرلایه سیلیکون انباشت شدند و سپس در دماهای ( 750-150) و زمان های متفاوت (min 180و60 ) با شار اکسیژن، بازپخت گردیدند. روش پراش پرتو - x برای مطالعه ساختار بلوری استفاده شد. نتایج، ساختاری مکعبی از فاز ارتورهمبیک اکسید زیرکونیوم برای لایه های بازپخت شده تحت 150 و ساختار مرکبی از منوکلینیک و تتراگونال برای لایه های بازپخت شده در دماهای بالاتر( 750-300 ) را نشان داد. همچنین5 نتایج xrd نشان داد که افزایش دما و زمان بازپخت باعث افزایش اندازه بلورک ها می شود. از میکروسکوپ نیروی اتمی برای تحلیل ریخت شناسی سطح نمونه استفاده شد. افزایش دما و زمان بازپخت باعث افزایش زمختی سطح و اندازه دانه ها گردید. بررسی خواص الکتریکی و مکانیکی نمونه ها همچنین نشان داد که افزایش دما و زمان بازپخت سبب افزایش مقاومت الکتریکی و کاهش سختی لایه ها می شود.