در این پایان نامه یک کلید نانو الکترواستیک با حضور نیروی مویینگی به روش تحلیلی مورد مطالعه قرار گرفته است. روش تحلیلی بکار رفته، روش تجزیه آدمین تصحیح شده می باشد. برای این منظور و برای نشان دادن صحت نتایج، روش عددی هم زمان با روش تجزیه آدمین تصحیح شده مورد استفاده قرار گرفته است. نتایج حاصل از روش تجزیه آدمین تصحیح شده با نتایج حاصل از روش عددی و مراجع معتبر مقایسه شده است و دقت خوبی را نشان می دهد. برای تحلیل یک کلید نانوالکترواستاتیک نقاط انتهایی پایداری کلید مورد بررسی قرار گرفته است. پارامترهای مهم مورد بررسی از قبیل پارامتر دی الکتریک، مویینگی، کاسیمیر و ولتاژ در وضعیت نهایی محاسبه شده است. نتایج نشان می دهد که نقاط پایدار یک نانوکلید وابسته به پارامترهای معرفی شده می باشد و محدوده پایداری یک نانوکلید را با تغییر پارامترهای آن می توان تا حد خاصی افزایش و یا کاهش داد، لذا چینش خاص پارامترها باعث ایجاد رفتار متفاوت کلید می گردد. با قرارگیری چند پارامتر خاص پدیده ویژه ای بنام ضخامت دی الکتریک متعادل به وجود می آید. در این ضخامت، افزایش و یا کاهش مقدار پارامتر مویینگی تاثیری بر پایداری کلید ندارد. در تمامی حالات افزایش پارامتر ها باعث افزایش ولتاژ می شود. افزایش ولتاژ نیز باعث افزایش جابجایی، نیروی برشی و ممان خمشی نانوکلید در وضعیت انتهایی پایداری می گردد.