هگزافریت استرانسیم با ساختار مگنتوپلامبیت (ساختارهای هگزاگونال نوع m)، به دلیل ناهمسانگردی مغناطوبلوری زیاد، دمای کوری بالا، پایداری شیمیایی عالی و وادارندگی نسبتاً بالا یک گزینه مناسب برای استفاده های مختلف از جمله وسایل ضبط، آهنرباهای دائم، محیط های ضبط مغناطواپتیکی و وسایل مایکروویو به شمار می رود. در ساختار هگزاگونال نوع m پنج مکان مشخص برای یون آهن وجود دارد که شامل سه مکان هشت وجهی (2a, 12k, 4f2)، یک مکان چهاروجهی (4f1)و یک مکان تریگونال (2b) است. خواص مغناطیسی، الکتریکی و دی الکتریکی هگزافریت ها به روش ساخت، ترکیب و توزیع کاتیون های جایگزین شده در مکان های بلورشناسی فوق بستگی دارد. در این پژوهش اثر ناخالصی های منگنز، کروم و منگنز-کروم که به روش سل ژل تهیه شده است، مورد بررسی قرار گرفت. جایگزینی منگنز و کروم یک راه موثر برای تغییر خواص مغناطیسی نانوذرات هگزافریت استرانسیم می باشد. مشخصه یابی های مختلف از جمله مشخصه یابی های ساختاری((xrd، مغناطیسی(vsm) و میکروسکوپی ( (temبر روی نمونه ها انجام گرفته است. مقادیر مغناطش اشباع، مغناطش پسماند و وادارندگی با افزایش آلایش کاهش یافته است. این جانشانی کاربرد فریت ها در آهنرباهای دائم را محدود می کند اما در وسایل ذخیره اطلاعات کاربرد دارند.