هدف از این تحقیق بررسی رفتار دمایی ضریب هدایت حرارتی نانولوله های تک جداره زیگزاگ با تغییرات دما وشعاع نانولوله و شدت برهمکنش الکترون- فونون می باشد.جهت بررسی دینامیک الکترون در بلور از مدل هولشتاین که معادل برهمکنش الکترون- فونون اپتیکی، انرژی جنبشی فونون ها و مدل تنگ بست است استفاده می شود. برای یافتن ضریب هدایت حرارتی از روش تابع گرین و نظریه پاسخ خطی کوبو و از تقریب دوم اختلال برای محاسبه خودانرژی استفاده شده است. در این پایان نامه همچنین چگالی حالت برهمکنشی برای نانولوله های زیگزاگ و آرمچیر بررسی می شود.