آزمایشات نشان می دهد که وقتی چگالی گاز حامل کم باشد سیستم رفتار عایق گونه از خود نشان می دهد(با افزایش دما رسانندگی افزایش می یابد) و وقتی چگالی گاز حامل بیشتر از مقدار بحرانی باشد رفتار فلز گونه مشاهده می شود. چگالی بحرانی (nc) ، مرز گذار فلز - عایق را مشخص می کند. در رهیافت های متفاوتی که تاکنون در مطالعه ی این پدیده ی فیزیکی استفاده شده است کل گاز حامل شبه دوبعدی با تقریب یک سیستم دو بعدی درنظر گرفته شده است ولی گاز الکترونی یا حفره ای موجود در آن ها در ضخامتی حدود آنگستروم توزیع شده است. در این پایان نامه، گاز حامل بار را به صورت شبه دو بعدی ( حرکت حامل ها در جهت محور رشد محدود، در حالی که در صفحه رشد حرکت آزاد است) در نظر گرفتیم. در چاه های کوانتومی gaas و si ماسفت، با ارزیابی پهنای تابع موج حامل ها در چاه کوانتومی، تغییرات فاصله ی حامل ها بر حسب چگالی دوبعدی آنها محاسبه گردید. نتایج نشان می دهد که چگالی بحرانی در گذار، متناسب با چگالی ناخالصی های زمینه است و فاصله حامل های گاز، از مرتبه فاصله ناخالصی های زمینه و مستقل از نوع حامل و چاه کوانتومی می باشد. در بررسی ساختار ، با در نظر گرفتن گاز الکترونی به صورت لایه های نازک با ضخامت nm2 و انجام محاسبات، پراکندگی توسط ناخالصی های زمینه مهم ترین عامل محدودیت تحرک پذیری است. همچنین در بررسی گاز حامل به صورت سه بعدی (حرکت آزاد حامل ها در هر سه جهت) در مقایسه با حالت سه بعدی مشاهده شد که برازش نقاط نظری و تجربی در گستره کمتری از چگالی حامل انجام می گیرد. افزایش ضخامت لایه های گاز حامل در محدوده گذار اثری در تحرک پذیری کل ندارد و در این حالت، رهیافت شبه دو بعدی معادل با رهیافت دوبعدی است. در غیاب میدان مغناطیسی و در دمای نتایج حاصل از برازش در وابستگی دمایی رسانندگی گاز الکترون دوبعدی در ساختار دورآلاییده مذکور، نقش اصلی استتار در محدوده گذار را نشان می دهد.

زی چنگ در یک رشته از پژوهش های اخیر خود به بررسی چگالش فوتونی در جسم سیاه ناخطی کر پرداخته است. نتایج این پژوهش ها که ما آن را نظریه ی چنگ می نامیم نه تنها برای پژوهش گران فوتونیک بلکه برای پژوهش گران در زمینه های چگالش بوز - اینشتین، ابررسانایی و ابرشارگی هم می تواند جالب باشد. او در چارچوب نظریه ی میدان کوانتومی و با توجه به نظریه bcs (باردین- کوپر- شریفر) ابررسانایی نشان داده است که دستگاه فوتونی درون جسم سیاهی که از بلور ناخطی کر پر شده است در یک حالت چگالیده می باشد. در این حالت، زوج فوتون های برهنه ی دارای بردارهای موج مخالف و چرخش های مخالف با هم به صورت جفتی پیوند برقرار می کنند و فوتون های برهنه ی جفت نشده به حالت جدیدی از شبه ذره به نام نان پلاریتون تبدیل می شوند. از جمله پیامدهای این تغییر حالت، چلانده شدن تابش گرمایی و شکست تقارن فازی ای می باشد که تابع توزیع شبه احتمالی q معرف آن است. چلاندگی بیانگر کاهش آثار افت و خیزهای کوانتومی و شکست تقارن فازی بیانگر مشخص تر شدن نظم یافتگی و افزایش آن می باشد. ما در این پایان نامه، با توجه به جایگاه و اهمیت بنیادی و کاربردی نظریه چنگ، ضمن اثبات و تجزیه و تحلیل روابط و معادله های این نظریه، به بررسی و نقد نظریه ی چگالش فوتونی پرداخته ایم. همچنین از منظر نظریه bcs ابررسانایی چگالش در یک دستگاه بوزونی را بررسی کرده و به مقایسه چگالش در یک دستگاه فرمیونی با چگالش در یک دستگاه بوزونی پرداخته ایم. از تفاوت های مهم بدست آمده وجود گاف انرژی در طیف برانگیختگی های بنیادی دستگاه فرمیونی چگالیده و عدم وجود چنین گافی در طیف دستگاه بوزونی چگالیده (نان پلاریتون ها) است. همچنین ما نتیجه گرفته ایم که با افزایش دما پارامتر نظم در هر دو دستگاه به صورت همواری کاهش یافته و در دمای گذار به صفر می روند.

قطعه های تداخل کوانتومی ابررسانایی، به ویژه قطعه های دو پیوندگاهی از جالب ترین دستگاه های فیزیکی می باشند که لازم است بیش از پیش مورد توجه پژوهش گران قرار گیرند. به تازگی این قطعه ها با طرح های جدید و قابلیت های ویژه هم ساخته و بررسی شده اند که تحولی در این زمینه را به دنبال داشته اند. یکی از نیازهای مهم در مسیر طراحی و بهینه سازی رفتار سامانه های شامل این قطعه ها، یک فرمول بندی تحلیلی دقیق برای مشخصه ی ولتاژ- جریان یک قطعه است که به ازای مقادیر مختلف پارامترها ، با در نظر گرفتن آثار انحراف رابطه جریان- فاز از شکل سینوسی، آثار افت وخیزها، آثار عدم تقارن دو پیوندگاه معتبر باشد. آثار انحراف مذکور در مشخصه های ولتاژ - جریان قطعه های دو پیوندگاهی به ویژه اسکوئید های dc دمای بالا مهم می باشد. ما برای یک اسکوئید متقارن دارای رابطه ی جریان - فاز شامل هماهنگ های اول، دوم و سوم با دامنه های (3و2و1=n) و مقاومت عادی برای هر پیوندگاه دو معادله لنجوین در نظر گرفته و با استفاده از معادله فوکر- پلانک دو بعدی معادل آن ها رابطه تحلیلی برای مشخصه ولتاژ- جریان- شار اسکوئید بدست آورده ایم که برای اسکوئیدهای dc دمای بالای دارای القائیدگی بزرگ (ph100l>)، معتبر می باشد. طبق رابطه بدست آمده، با حضور هماهنگ دوم و سوم، مقدار تعدیل ولتاژ کاهش می یابد و روند این کاهش در جهت توافق با نتایج تجربی است. افزایش دامنه هماهنگ دوم، سهم بیشتری در جابه جایی بیشینه تعدیل ولتاژ به سمت جریان های بایاس بزرگتر و افزایش دامنه هماهنگ سوم سهم بیشتری در خود کاهش تعدیل ولتاژ دارد. بعلاوه اگر در رابطه بدست آمده سهم هماهنگ سوم را حذف کنیم، رابطه ما به یک شکل تصحیح شده ای از رابطه گرینبرگ [ya. s. greenberg et al. eur. j. phys. b44, 57(2005)] تبدیل می شود.

در این پایان نامه مشخصات جریان- ولتاژ ماسفت های کانال کوتاه دو دروازه ای با طولهای مختلف مورد مطالعه قرار گرفته است. در ابتدا جریان زیر آستانه ی این قطعات برای طولهای کانال 100 و 50 و 20 نانومتر محاسبه شده است و نشان داده ایم که جریان زیر آستانه برای قطعه با طول کانال کوچکتر، مقدار بزرگتری دارد و هر چه طول کانال بزرگتر باشد بستگی جریان زیر آستانه به جریان دررو کمتر است. همچنین نشان داده ایم که جریان زیر آستانه برای قطعات با طول کانال بالای 100 نانومتر به ولتاژ دررو بستگی ندارد.در این پایان نامه همچنین نمودار جریان- ولتاژدر تمامی نواحی ,ضریب رسانایی کانال و ضریب رسانایی متقابل با استفاده از دو مدل متفاوت برای قطعاتی با طول کانالهای مختلف یعنی 30،40،50،100،150،250 نانومتر نانومتر محاسبه و رسم نموده ایم و سپس نتایج حاصل از دو مدل را برای سه طول کانال 100،60 و 250 نانومتر را با هم مقایسه نموده ایم و نشان دادیم که دو مدل برای طول کانال های بالای 100 نانومتر انطباق قابل توجهی دارند. اما برای طول کانال های کوچکتر نتایج آنها اندکی متفاوت است. به همین دلیل نتایج هر یک از دو مدل را برای طول کانال 20 نانومتر با مدل یک ماسفت بالستیکی مقایسه نموده ایم و نشان داده ایم که هر دو مدل نتایج نزدیک به نتایج مدل بالستیکی ارائه می دهند و حتی در بعضی از مقادیر ولتاژ دروازه نتایج کاملا یکسانی دارند. در نهایت مدلی که همخوانی بیشتری با مدل بالستیک داشت یعنی مدل دوم را به عنوان مدل برتر معرفی نمودیم. ?

در سطح آزاد نیم رساناها برای مثال سطح سیلیکن، حالت تناوبی اتم های بلور گسیخته می شود به طوری که بعضی از پیوندهای اتمی به صورت پیوندهای آزاد باقی می مانند. در نتیجه حالت های سطحی دهنده و یا پذیرنده زیادی در گاف نواری سطح سیلیکن وجود دارد. به طور مشابه در اتصال شوتکی فلز – نیم رسانا (ti-si)، حالت های میان گاهی الکترونیکی در گاف نواری القا می شوند. به هر حال حالت های سطحی (و یا میان-گاهی) توانایی به دام انداختن الکترون ها یا حفره های داخل نیم رسانا را دارند. بنابراین مشخصه یابی سطح در طراحی قطعات میکروالکترونی سیلیکنی ضروری است. همچنین کنترل (به عنوان مثال از طریق خنثی سازی) ویژگی های الکتریکی سطح si (میان گاه si-vacuum و یا si-metal) در تکنولوژی si مورد توجه بوده است. متفاوت با پژوهش های تجربی و نظری گذشته، در این کار از چگالی گاز حفره ای دوبعدی (2dhg) محبوس در چاه کوانتومی sige در ساختار دورآلاییده معکوس p-si/sige/si به عنوان روشی برای مشخصه یابی سطح si(100) استفاده شده است. در این پایان نامه، ابتدا میان گاه si-vacuum مشخصه یابی شد و محل اتصال (چسب گاه) تراز فرمی و چگالی بار سطحی در سطح si ساختار رونشانده p-si/sige/si با استفاده از تحلیل نتایج آزمایش هال در دمای پایین و بر اساس مدل چسب گاه میان گاف (mpm) ارزیابی شد. به طور مشابه، میان گاه si-ti مشخصه یابی شد و چگالی بارهای میان گاهی، ارتفاع سد شوتکی و چگالی حالات فلزی القایی در گاف در میان گاه si-ti از ساختارهای p-si/sige/si-ti ارزیابی شد. همچنین رونشانی لایه نازکی از مولکول آلی فنانترن کینون(pq) بر روی این ساختارها باعث کاهش نسبی بارهای سطحی شده و در خاتمه به کمک مدل اصلاح شده چسب-گاه میان گاف (mmpm) چگالی حالات سطحی و موقعیت تراز فرمی در سطح ساختارp-si/sige/si-pq ارزیابی شد.

ایران و مصر به عنوان دوکشورمهم تاریخی و تمدنی درجهان اسلام می باشد و چگونگی روابط دوجانبه می توان بر تحولات منطقه ای و حتی جهان اسلام تاثیر تعیین کننده داشته باشد. اشتراک در دین، سابقه درخشان تمدنی، موقعیت مناسب جغرافیایی دوکشور، منابع طبیعی، منافع اقتصادی، سیاسی وسازمانی، امنیتی و منطقه ای، می تواند ازمهمترین زمینه های تقویت روابط دیپلماتیک میان این دوکشور محسوب شود. ایران و مصر با شناسایی و تاکید بر فرصت ها، توانمندی ها و اتخاذ سیاست همکاری جویانه و راهبرد مشترک در برابرکشورهای رقیب و همچنین با کنارگذاشتن اختلافات، می توانند منافع مشترک و راهبردی خود را درسطح منطقه ای و بین المللی تقویت نمایند. با انقلاب 2011 مصر، زمینه های گسترش روابط دوجانبه درسطوح مختلف فراهم گردید و امید می رفت تا روند روبه بهبود روابط دوکشور ادامه یابد؛ اما چالش های فراروی انقلاب مصر بار دیگر آینده روابط دوکشور را با چالش مواجه نمود؛ اما به نظر می رسد با توجه به ظرفیت ها و قابلیت های میان دوکشور در عرصه های سیاسی، اقتصادی و فرهنگی امکان غلبه بر چالش ها و تحکیم روابط دوجانبه درجهت منافع مشترک همچنان وجود دارد. شناسایی این فرصت ها می تواندگامی مهم و موثری در تدوین سیاست های راهبردی دوکشور درجهت بهبود روابط دوجانبه و تأمین منافع دوکشور باشد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.

در عصر تکنولوژی اطلاعات استفاده از ابررایانه ها امری اجتناب ناپذیر است. در این رایانه ها ترانزیستورهای با سرعت بسیار بالا و زمان سویچینگ بسیار کوتاه ، حرف اول را می زنند . بنابراین مطالعه پژوهش در ساختارهای چندلایه ای می تواند ما را در شناخت ساختار و اصلاح و بهینه سازی عملکرد اینگونه ترانزیستورها جهت استفاده بهتر یاری نماید.در ساختارهای مدوله آلائیده گاز حفره ای دوبعدی به دلیل اختلاف در گاف نوار انرژی دو ماده مختلف در فصل مشترک ‏‎si/sige‎‏ تشکیل می گردد. حفره ها توسط یک لایه نازک از اتمهای پذیرنده در لایه ‏‎sige‎‏ جداشده و این امر باعث کاهش پراکندگی ناشی از ناخالصی ها می شود و در نتیجه تحرک پذیری حفره ها افزایش می یابد. در این پایان نامه ساختار آلائیده مدوله شده بررسی و تحرک پذیری حفره ها بر حسب چگالی بار سطحی در کانال فعال بررسی و محاسبه شده است.