خواص الکترونیکی نیم رساناها مبنای توسعه ی شگفت انگیزی در ایجاد قطعات مینیاتوری در حدود ابعاد کوانتومی یا ابعاد نانو متر شده است . اساسی ترین تفاوت در خاصیت نیم رساناها به نوار گاف در ساختار نواری آنها مربوط می شود . فصل یک این پایان نامه مختصری از این خواص را بیان می کند . پیشرفت تکنولوژی ساخت قطعات ، امکان ایجاد لایه های نازک ماده ای روی ماده دیگر را فراهم نموده است . ساختارهای ترکیبی قطعات نیم رسانا و محاسبه ضریب عبور الکترون ها از این ساختارها موضوع فصل دوّم می باشد . فصل سوّم نیز شرح کوتاهی برای چند نمونه از این قطعات ارائه می دهد . عبور الکترون از این ساختارها که به پدیده تونل زنی کوانتومی معروف است ، ایجاب می کند که الکترون ها رفتار موج گونه داشته باشند . فیزیک نیمه کلاسیک از توجیه این رفتار عاجز است و می باید از دید کوانتومی به این مسئله نگاه کرد که در ابتدای فصل چهارم بطور مختصر توضیح داده می شود . در ادامه این فصل تونل زنی تشدیدی از ساختارهای سد دو گانه و ویژگی های جریان – ولتاژ این ساختارها در ایجاد مقاومت دیفرانسیل منفی مورد بحث قرار می گیرد . در پایان این فصل خلاصه ای از مکانیزم تونل زنی در نیم رساناها بیان می شود . فصل پنجم نیز یک مدل ساده میکروسکپی از تونل زنی تشدیدی سد دو گانه در یک سیستم کوانتومی ارائه می دهد . حالت های تشدیدی در ساختارهای سد دو گانه ، یعنی حالت هایی که ضریب عبور الکترون از این ساختارها نزدیک به یک و یا حتّی یک است ، مورد توجه می باشد . مطالعه نظری بر روی انرژی های حالت های تشدیدی در این ساختارها با توجه به ساده سازی های ارائه شده هنگامی که پهنای چاه نوسان می کند و مقایسه آنها با انرژی های حالت تشدید این ساختارها در حالت استاتیک نیز موضوع فصل پایانی می باشد.

لایه¬های نازک نیمرسانای سولفید روی (zns) از جمله نیمه هادیهای ترکیبی گروههای ii-vi می¬باشد که به دلیل کاربرد وسیعش دراپتو الکترونیک، مانند دیودهای منتشرکننده نور آبی، قطعات الکترولومینسانس و سلولهای فوتو ولتائیک تحقیقات فراوانی روی آن صورت گرفته است. در این تحقیق لایه¬های نازک سولفید در دو دمای مختلف زیر لایهc º 25 وcº 200 و در ضخامتهای مختلفnm 600-nm 100 بر روی زیرلایه شیشه¬ای به روش تبخیر در خلاء لایه¬نشانی شدند. برای مطالعه مورفولوژی، اندازه دانه¬ها، ساختار لایه¬ها و شفافیت لایه¬ها از آنالیزهای afm,xrd stm, و اسپکتروفوتومتری استفاده شد. طیف پراش اشعه x نشان داد که لایه¬های zns تهیه شده در دمای ℃25 در ضخامت nm100 دارای ساختار هگزاگونال با جهت رشد ترجیحی(002) و در ضخامتnm500 دارای ساختار مکعبی با جهت ترجیحی(111) هستند. با افزایش دمای زیر لایه تا ℃200 ماده ساختار مکعبی خود را حفظ کرد. گاف انرژی این لایه¬ها با افزایش دمای زیرلایه یا کاهش ضخامت لایه¬ها، کاهش می¬یابد. بطوریکه با افزایش ضخامت از nm100 تا nm600 گاف انرژی از ev98/3 تاev 56/3 کاهش می¬¬یابد.