A microscopic mechanism of dielectric breakdown in SiO2 films: An insight from multi-scale modeling
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
Effect of Microstructure on Dielectric Breakdown in Amorphous HfO2 Films
1. Department of Electronic Materials Engineering, Research School of Physics and Engineering, The Australian National University, ACT-0200, Australia 2. Centre for Advanced Microscopy, The Australian National University, ACT-0200, Australia 3. Research School of Astronomy and Astrophysics, The Australian National University, ACT-0200, Australia 4. Department of Physics, The University of Chitt...
متن کاملGate dielectric breakdown in the time-scale of ESD events
Transmission line pulse (TLP) measurements are used to demonstrate that oxynitride breakdown projections from DC measurements using conventional area and voltage-scaling techniques can be extended to the nanosecond timescale. ESD protection systems can thus be designed to prevent dielectric breakdown. Important concepts in gate dielectric breakdown such as the anode–hole injection model and are...
متن کاملMicroscopic and macroscopic dielectric description of mixed oxide thin films
Compact Si–Ti–O and Si–Zr–O mixed oxide thin films are studied by optical characterization refractive index, band gap energy and local probes Auger parameter obtained by x-ray photoelectron spectroscopy . Interpretation of the obtained results is discussed in the framework of the classical dielectric theory that correlates the macroscopic refractive index to the microscopic electronic polarizab...
متن کاملthe aesthetic dimension of howard barkers art: a frankfurtian approach to scenes from an execution and no end of blame
رابطه ی میانِ هنر و شرایطِ اجتماعیِ زایش آن همواره در طولِ تاریخ دغدغه ی ذهنی و دل مشغولیِ اساسیِ منتقدان و نیز هنرمندان بوده است. از آنجا که هنر در قفس آهنیِ زندگیِ اجتماعی محبوس است، گسترش وابستگیِ آن با نهاد ها و اصولِ اجتماعی پیرامون، صرفِ نظر از هم سو بودن و یا غیرِ هم سو بودنِ آن نهاد ها، امری اجتناب ناپذیر به نظر می رسد. با این وجود پدیدار گشتنِ چنین مباحثِ حائز اهمییتی در میان منتقدین، با ظهورِ مکتب ما...
ذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Journal of Applied Physics
سال: 2017
ISSN: 0021-8979,1089-7550
DOI: 10.1063/1.4979915