A survey on the reactive ion etching of silicon in microtechnology
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
Cryogenic Deep Reactive Ion Etching of Silicon Micro and Nanostructures
OF DOCTORAL DISSERTATION HELSINKI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY P.O. BOX 1000, FI-02015 TKK
متن کاملReactive Ion Etching of Dielectrics and Silicon for Photovoltaic Applications
Reactive Ion Etching of Dielectrics and Silicon for Photovoltaic Applications Prakash N. K. Deenapanray1*,y, C. S. Athukorala, Daniel Macdonald, W. E. Jellett, E. Franklin, V. E. Everett, K. J. Weber and A. W. Blakers Centre for Sustainable Energy Systems, FEIT, The Australian National University, Canberra ACT 0200, Australia Department of Engineering, FEIT, The Australian National University, ...
متن کاملsurvey on the rule of the due & hindering relying on the sheikh ansaris ideas
قاعده مقتضی و مانع در متون فقهی کم و بیش مستند احکام قرار گرفته و مورد مناقشه فقهاء و اصولیین می باشد و مشهور معتقند مقتضی و مانع، قاعده نیست بلکه یکی از مسائل ذیل استصحاب است لذا نگارنده بر آن شد تا پیرامون این قاعده پژوهش جامعی انجام دهد. به عقیده ما مقتضی دارای حیثیت مستقلی است و هر گاه می گوییم مقتضی احراز شد یعنی با ماهیت مستقل خودش محرز گشته و قطعا اقتضاء خود را خواهد داشت مانند نکاح که ...
15 صفحه اولReactive ion etching
The reactive ion etching ofInP, InGaAs, and InAIAs in CClzF2/02 or C2R(/H2 discharges was investigated as a function of the plasma parameters pressure, power density, flow rate, and relative composition. The etch rates of these materials are a factor of 3-5 X faster in CC12F 2/0 2 (-600--1000 AminJ ) compared to CzHJH2 (160-320 AminI ). Significantly smoother morphologies are obtained with C2H6...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Journal of Micromechanics and Microengineering
سال: 1996
ISSN: 0960-1317,1361-6439
DOI: 10.1088/0960-1317/6/1/002