Al4(Cr, Fe): single crystal growth by the Czochralski method and structural investigation with neutrons at FRM II

نویسندگان
چکیده

برای دانلود رایگان متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

INVESTIGATION ON GROWTH AND CHARACTERIZATION OF NONLINEAR OPTICAL DICHLORO-DIGLYCINE ZINC II SINGLE CRYSTAL

The study of amino acid based nonlinear optical (NLO) materials with optimum physical properties is an important area due to their practical applications such as optical communication, optical computing, optical information processing, optical disk data storage, laser fusion reactions, laser remote sensing, colour display, medical diagnostics, etc. Also, microelectronic industries require cryst...

متن کامل

an investigation about the relationship between insurance lines and economic growth; the case study of iran

مطالعات قبلی بازار بیمه را به صورت کلی در نظر می گرفتند اما در این مطالعه صنعت بیمه به عنوان متغیر مستفل به بیمه های زندگی و غیر زندگی شکسته شده و هم چنین بیمه های زندگی به رشته های مختلف بیمه ای که در بازار بیمه ایران سهم قابل توجهی دارند تقسیم میشود. با استفاده از روشهای اقتصاد سنجی داده های برای دوره های 48-89 از مراکز ملی داده جمع آوری شد سپس با تخمین مدل خود بازگشتی برداری همراه با تعدادی ...

15 صفحه اول

Development of Crystal Growth Technique of Silicon by the Czochralski Method

We report on the Czochralski method for single silicon crystal growth and discuss heat and mass transfer and defect formation in the crystal. A re ector was used for separation of the heating and cooling areas in the furnace enabling us to speed up crystal growth. The melt ow to stabilize the temperature distribution in a crucible was controlled using transverse magnetic elds in a large-scale s...

متن کامل

Crystal Temperature Control in the Czochralski Crystal Growth Process

This work proposes a control configuration and a nonlinear multivariable model-based feedback controller for the reduction of thermal gradients inside the crystal in the Czochralski crystal growth process after the crystal radius has reached its final value. Initially, a mathematical model which describes the evolution of the temperature inside the crystal in the radial and axial directions and...

متن کامل

Numerical Modeling of Czochralski Silicon Crystal Growth

Modeling of heat transfer is presented for the entire Czochralski Si-growth furnace. The axisymmetric steady-state approach with moving computational grids is used. Melt turbulent flow, inert gas flow, heat transfer in solid parts, and radiative heat transfer in the system are considered. The Reynolds-averaged Navier-Stokes equations written with the Boussinesq approximation and the energy equa...

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: Zeitschrift für Kristallographie - Crystalline Materials

سال: 2009

ISSN: 2196-7105,2194-4946

DOI: 10.1524/zkri.2009.1076