Analytic modeling of a hybrid power module based on diamond and SiC devices

نویسندگان

چکیده

Unlike SiC unipolar devices, the on-state resistance of diamond devices based on bulk conduction has a negative temperature coefficient (NTC) which reduces losses at high junction temperatures. Thus, in order to associate these opposed coefficients, current article focuses modeling hybrid power device composed n-type 4H-SiC MOSFET and p-type FET device. The optimal performances sizing are introduced calculated, as an initial benchmark under same specifications. Based analytical both switching losses, temperatures associated heatsink parameters, evaluated for synchronous buck converter operating 1200 V–1 A ambient 300 K. results described manuscript highlight equilibrium total over large range well reduction by two active area. proposed analysis could be further extended different voltage/current classes meet requirements alternative applications.

برای دانلود رایگان متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

Hybrid SiC Power Module with Low Power Loss

Mitsubishi Electric has developed a 1.7 kV hybrid SiC power module consisting of 6th generation Si-IGBT and SiC Schottky Barrier Diode (SBD). Adopting SiC-SBD enables a significant power loss reduction during the diode turn-off and IGBT turn-on. And adopting of 6th generation IGBT enables the reduction of the IGBT turn-off loss. By using the newly developed chip set, high temperature enduring g...

متن کامل

application of upfc based on svpwm for power quality improvement

در سالهای اخیر،اختلالات کیفیت توان مهمترین موضوع می باشد که محققان زیادی را برای پیدا کردن راه حلی برای حل آن علاقه مند ساخته است.امروزه کیفیت توان در سیستم قدرت برای مراکز صنعتی،تجاری وکاربردهای بیمارستانی مسئله مهمی می باشد.مشکل ولتاژمثل شرایط افت ولتاژواضافه جریان ناشی از اتصال کوتاه مدار یا وقوع خطا در سیستم بیشتر مورد توجه می باشد. برای مطالعه افت ولتاژ واضافه جریان،محققان زیادی کار کرده ...

15 صفحه اول

Impact of SiC Power Electronic Devices for Hybrid Electric Vehicles

The superior properties of silicon carbide (SiC) power electronic devices compared with silicon (Si) are expected to have a significant impact on next-generation vehicles, especially hybrid electric vehicles (HEVs). The system-level benefits of using SiC devices in HEVs include a large reduction in the size, weight, and cost of the power conditioning and/or thermal systems. However, the expecte...

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: Diamond and Related Materials

سال: 2022

ISSN: ['1879-0062', '0925-9635']

DOI: https://doi.org/10.1016/j.diamond.2022.108936