Automated Growth of Si 1− x Ge x Single Crystals with Constant Axial Gradient by Czochralski Technique
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
Diffusion in Si(x)Ge(1-x)/Si nanowire heterostructures.
Si0.48Ge0.52/Si tip/nanowire heterostructures were grown by pulsed laser vaporization (PLV) at a growth temperature of 1100 degrees C. Ge diffusion in [111]-growth Si nanowires was studied for different post-synthesis annealing temperatures from 200 degrees C to 800 degrees C. Ge composition profiles were quantified by energy-dispersive X-ray spectroscopy in a transmission electron microscope. ...
متن کاملComposition controlled synthesis and Raman analysis of Ge-rich Si(x)Ge(1-x) nanowires.
Here, we report the synthesis of Si(x)Ge(1-x) nanowires with x values ranging from 0 to 0.5 using bulk nucleation and growth from larger Ga droplets. Room temperature Raman spectroscopy is shown to determine the composition of the as-synthesized Si(x)Ge(1-x) nanowires. Analysis of peak intensities observed for Ge (near 300 cm(-1)) and the Si-Ge alloy (near 400 cm(-1)) allowed accurate estimatio...
متن کاملMOS Memory Using Germanium Nanocrystals Formed by Thermal Oxidation of Si(1-x)Ge(x)
In this work, we propose a novel technique of fabricating germanium nanocrystal quasi-nonvolatile memory device. The device consists of a MOSFET with Ge charge-traps embedded within the gate dielectric. This trap-formation method provides for precise control of the thicknesses of the oxide layers which sandwich the charge-traps, via thermal oxidation. Memory devices with write/erase speed/volta...
متن کاملپیوندهای هالوژنی در ملکولهای دارای si-x و ge-x (x=f, cl, br)
پیوندهای غیرکوالانسی مدلی از برهم کنش های درون ملکولی و بین ملکولی هستند که به دلیل نیروهای الکتروستاتیک و نیروهای لاندنی میان اتم های مختلف بوجود می آیند. پیوند هالوژنی به برهم کنش میان اتم هالوژن و گونه ی الکترون دهنده نسبت داده می شود. این واقعیت که هم اتم هالوژن و هم گونه ی الکترون دهنده دارای بار منفی هستند، برهم کنش های میان این دو بار منفی را چالش برانگیز کرده است. دو مفهوم "حفره ی سیگما...
15 صفحه اولPolyanionic Hexagons: X6n- (X = Si, Ge)
The paper reviews the polyanionic hexagons of silicon and germanium, focusing on aromaticity. The chair-like structures of hexasilaand hexagermabenzene are similar to a nonaromatic cyclohexane (CH2)6 and dissimilar to aromatic D6h-symmetric benzene (CH)6, although silicon and germanium are in the same group of the periodic table as carbon. Recently, six-membered silicon and germanium rings with...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Crystal Research and Technology
سال: 2019
ISSN: 0232-1300,1521-4079
DOI: 10.1002/crat.201900097