Complementary analysis for dislocations of GaN compound semiconductors using STEM and APT

analysis of ruin probability for insurance companies using markov chain

در این پایان نامه نشان داده ایم که چگونه می توان مدل ریسک بیمه ای اسپیرر اندرسون را به کمک زنجیره های مارکوف تعریف کرد. سپس به کمک روش های آنالیز ماتریسی احتمال برشکستگی ، میزان مازاد در هنگام برشکستگی و میزان کسری بودجه در زمان وقوع برشکستگی را محاسبه کرده ایم. هدف ما در این پایان نامه بسیار محاسباتی و کاربردی تر از روش های است که در گذشته برای محاسبه این احتمال ارائه شده است. در ابتدا ما نشا...

Dislocations in Semiconductors

Properties of dislocations in semiconductors are reviewed, mainly dislocation velocities and influence on transport properties. Applications are described.

Mobility of dislocations in semiconductors

Atomic-scale calculations for the dynamics of the 90 partial glide dislocation in silicon are made using the effective-medium tight-binding theory. Kink formation and migration energies for the reconstructed partial dislocation are compared with experimental results for the mobility of this dislocation. The results confirm the theory that the partial moves in the dissociated state via the forma...

Compound Semiconductors

on the equivalence of constructed-response and multiple-choice : stem-equivalent, stem non-equivalent but content equivalent, and stem and content non-equivalent items in reading comprehension using multifaceted rasch

the present study investigated construct equivalence of multiple choice (mc) and constructed response (cr) item types across stem and content equivalent mc and cr items (item type ‘a’), non-stem-equivalent but content equivalent mc and cr items (item type ‘b’), and non-stem and non-content equivalent mc and cr items (item type ‘c’). one hundred seventy english-major undergraduates completed mc ...