Conduction Mechanism Analysis of Inversion Current in MOS Tunnel Diodes
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
A Comprehensive Study of Inversion Current in MOS Tunneling Diodes
The gate current of MOS tunneling diodes biased at inversion region with different substrate doping is investigated. For p-type substrate (1–5 -cm) devices, the tunneling diode works in the deep depletion region and the inversion current is dominated by the thermal generation rate of minority electrons via traps at Si/SiO2 interface and in the deep depletion region. The activation energy is app...
متن کاملGate Tunnel Current in an MOS Transistor
A theoretical description of gate tunnel current in an MOS transistor is proposed, and the results of calculations for the case of an n-channel MOSFET with extremely thin gate oxides are given. A comparison of the gate tunnel current with the drain current is made.
متن کاملOxide Roughness Effect on Tunneling Current of MOS Diodes
Two-dimensional (2-D) device simulation is used to investigate the tunneling current of metal ultra-thin-oxide silicon tunneling diodes with different oxide roughness. With the conformal nature of ultrathin oxide, the tunneling current density is simulated in both direct tunneling and Fowler–Nordheim (FN) tunneling regimes with different oxide roughness. The results show that oxide roughness dr...
متن کاملanalysis of power in the network society
اندیشمندان و صاحب نظران علوم اجتماعی بر این باورند که مرحله تازه ای در تاریخ جوامع بشری اغاز شده است. ویژگیهای این جامعه نو را می توان پدیده هایی از جمله اقتصاد اطلاعاتی جهانی ، هندسه متغیر شبکه ای، فرهنگ مجاز واقعی ، توسعه حیرت انگیز فناوری های دیجیتال، خدمات پیوسته و نیز فشردگی زمان و مکان برشمرد. از سوی دیگر قدرت به عنوان موضوع اصلی علم سیاست جایگاه مهمی در روابط انسانی دارد، قدرت و بازتولید...
15 صفحه اولEpitaxial Si-based tunnel diodes
Tunneling devices in combination with transistors offer a way to extend the performance of existing technologies by increasing circuit speed and decreasing static power dissipation. We have investigated Si-based tunnel diodes grown using molecular beam Ž . q q epitaxy MBE . The basic structure is a p layer formed by B delta doping, an undoped spacer layer, and an n layer formed by Ž . Sb delta ...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Materials Sciences and Applications
سال: 2013
ISSN: 2153-117X,2153-1188
DOI: 10.4236/msa.2013.412101