Control of Carrier Concentration by Ag Doping in N-Type Bi2Te3 Based Compounds

Role of Ag doping in Ba8Si46 compounds

N. Kamakura,1 T. Nakano,2 Y. Ikemoto,3 M. Usuda,4 H. Fukuoka,5 S. Yamanaka,5,6 S. Shin,1 and K. Kobayashi3 1Soft X-ray Spectroscopy Laboratory, RIKEN/SPring-8, Mikazuki, Hyogo 679-5148, Japan 2Department of Physics, Graduate School of Science, Osaka University, Toyonaka, Osaka 560-0043, Japan 3JASRI/SPring-8 Mikazuki, Hyogo 679-5198, Japan 4JAERI/SPring-8 Mikazuki, Hyogo 679-5198, Japan 5Depart...

High active carrier concentration in n-type, thin film Ge using delta-doping

We demonstrate CVD in situ doping of Ge by utilizing phosphorus delta-doping for the creation of a high dopant diffusion source. Multiple monolayer delta doping creates source phosphorous concentrations above 1 × 10cm, and uniform activated dopant concentrations above 4 × 10cm in a 600-800nm thick Ge layer after in-diffusion. By controlling dopant out-diffusion, near-complete incorporation of p...

Compensation of native donor doping in ScN: Carrier concentration control and p-type ScN

control of the optical properties of nanoparticles by laser fields

در این پایان نامه، درهمتنیدگی بین یک سیستم نقطه کوانتومی دوگانه(مولکول نقطه کوانتومی) و میدان مورد مطالعه قرار گرفته است. از آنتروپی ون نیومن به عنوان ابزاری برای بررسی درهمتنیدگی بین اتم و میدان استفاده شده و تاثیر پارامترهای مختلف، نظیر تونل زنی(که توسط تغییر ولتاژ ایجاد می شود)، شدت میدان و نسبت دو گسیل خودبخودی بر رفتار درجه درهمتنیدگی سیستم بررسی شده اشت.با تغییر هر یک از این پارامترها، در...

prevalence of atopic dermatitis in children with type 1 diabetes mellitus in southeastern of iran (kerman province): a case-control study

چکیده ندارد.