Lattice Matching at the Interface between Organic Epitaxial Film and Graphite Substrate.

نویسندگان
چکیده

برای دانلود رایگان متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

Dislocation Arrays at the Interface between an Epitaxial Layer and Its Substrate

The relationship between the film thickness and dislocation spacing in the interface dislocation arrays is studied by using a criterion based on the energy difference between the relaxed film configuration and a selected, partially relaxed or unrelaxed reference configuration. It is shown that arrays with lower dislocation density are formed in relaxation processes that are more gradual. Stabil...

متن کامل

the relationship between multiple intelligences and english proficiency of efl learners at payame noor university

این پژوهش برای بررسی پیوند احتمالی میان هوش های چندگانه – پیشنهاد شد? هاوارد گاردنر، 1983– (هم به گونه یکپارچه و هم به گونه بند بند) از یک سو و توانش انگلیسی دانشجویان ایرانی دانشگاه پیام نور در رشته زبان انگلیسی از سوی دیگر انجام گرفت. برای این کار، تافلpbt و پرسش نامه هوش های چندگانه میان 102 دانشجو در دانشگاه پیام نور شهریار پخش شد. نتایج بررسی داده ها نشان می دهد که در اندازه معنا داری 5 در...

15 صفحه اول

Depth resolved lattice-charge coupling in epitaxial BiFeO3 thin film

For epitaxial films, a critical thickness (tc) can create a phenomenological interface between a strained bottom layer and a relaxed top layer. Here, we present an experimental report of how the tc in BiFeO3 thin films acts as a boundary to determine the crystalline phase, ferroelectricity, and piezoelectricity in 60 nm thick BiFeO3/SrRuO3/SrTiO3 substrate. We found larger Fe cation displacemen...

متن کامل

Substrate-interface interactions between carbon nanotubes and the supporting substrate

R. Czerw, B. Foley, D. Tekleab, A. Rubio, P. M. Ajayan, and D. L. Carroll School of Materials Science and Engineering, Clemson University, Clemson, South Carolina 29634 Department of Physics, Trinity College Dublin, Dublin 2, Ireland Departamento de Fisica de Materiales, UPV/EHU, Donostia International Physics Center (DIPC), Centro Mixto CSIC-UPV/EHU, 20018 San Sebastian, Spain Department of Ma...

متن کامل

Different void shapes in Si at the SiC thin film / Si ( 111 ) substrate interface

The shape of interfacial voids formed in the epitaxial SiC/Si(111) heterosystem just underneath the SiC film has been investigated using optical microscopy and transmission electron microscopy (TEM). SiC films are grown on Si(111) substrates at two different substrate temperatures (specimen type 1 at 850°C, specimen type 2 at 1050°C) using solid-source molecular-beam epitaxy (MBE). At 850°C sub...

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: Hyomen Kagaku

سال: 1995

ISSN: 0388-5321,1881-4743

DOI: 10.1380/jsssj.16.688