Multiplicative Properties of the Number of k-Regular Partitions
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
MULTIPLICATIVE PROPERTIES OF THE NUMBER OF k-REGULAR PARTITIONS
In a previous paper of the second author with K. Ono, surprising multiplicative properties of the partition function were presented. Here, we deal with k-regular partitions. Extending the generating function for k-regular partitions multiplicatively to a function on k-regular partitions, we show that it takes its maximum at an explicitly described small set of partitions, and can thus easily be...
متن کاملcontrol of the optical properties of nanoparticles by laser fields
در این پایان نامه، درهمتنیدگی بین یک سیستم نقطه کوانتومی دوگانه(مولکول نقطه کوانتومی) و میدان مورد مطالعه قرار گرفته است. از آنتروپی ون نیومن به عنوان ابزاری برای بررسی درهمتنیدگی بین اتم و میدان استفاده شده و تاثیر پارامترهای مختلف، نظیر تونل زنی(که توسط تغییر ولتاژ ایجاد می شود)، شدت میدان و نسبت دو گسیل خودبخودی بر رفتار درجه درهمتنیدگی سیستم بررسی شده اشت.با تغییر هر یک از این پارامترها، در...
15 صفحه اولk-Efficient partitions of graphs
A set $S = {u_1,u_2, ldots, u_t}$ of vertices of $G$ is an efficientdominating set if every vertex of $G$ is dominated exactly once by thevertices of $S$. Letting $U_i$ denote the set of vertices dominated by $u_i$%, we note that ${U_1, U_2, ldots U_t}$ is a partition of the vertex setof $G$ and that each $U_i$ contains the vertex $u_i$ and all the vertices atdistance~1 from it in $G$. In this ...
متن کاملmodification of nanoclay for improving the physico-mechanical properties of dental adhesives
هدف اصلی این مطالعه تهیه یک سامانه نوین چسب عاجی دندانی بر پایه نانورس پیوند شده با پلی متاکریلیک اسید، نانورس پیوند شده با پلی اکریلیک اسید، مخلوط نانوسیلیکا و نانورس پیوند شده با پلی متاکریلیک اسید، مخلوط نانوسیلیکا و نانورس پیوند شده با پلی اکریلیک اسید و نانورس پیوند شده با کیتوسان اصلاح شده با گلایسیدیل متاکریلات است. پیوند پلی متاکریلیک اسید و پلی اکریلیک اسید بر ری سطح نانورس در حضور و ...
investigation of the electronic properties of carbon and iii-v nanotubes
boron nitride semiconducting zigzag swcnt, $b_{cb}$$n_{cn}$$c_{1-cb-cn}$, as a potential candidate for making nanoelectronic devices was examined. in contrast to the previous dft calculations, wherein just one boron and nitrogen doping configuration have been considered, here for the average over all possible configurations, density of states (dos) was calculated in terms of boron and nitrogen ...
15 صفحه اولذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Annals of Combinatorics
سال: 2016
ISSN: 0218-0006,0219-3094
DOI: 10.1007/s00026-016-0309-x