مقاله

وابستگی رسانش الکترونی یک نانو حلقه کربنی به محل اتصال هادی ها و میدان مغناطیسی اعمالی

چکیده

در این مقاله در رهیافت تنگابست و به روش تابع گرین رسانش الکترونی یک نانو حلقه کربنی را برای موقعیت های مختلف اتصال هادی ها به آن در حضور و غیاب میدان مغناطیسی بررسی کردیم. نتایج نشان می دهد که با نزدیک شدن هادی ها در نانو حلقه، رسانش تونل زنی در ناحیه گاف بهتر می شود. همچنین اعمال میدان مغناطیسی تأثیر زیادی بر طیف رسانش این نانو حلقه دارد، به گونه ای که وجود میدان باعث می شود مواردی که طیف رسانش آنها در غیاب میدان کاملاً بر هم منطبق هستند، از هم جدا گردند. بررسی نانو حلقه های شامل مولکول بنزن دوتایی نشان می دهد که تغییر مکان این حلقه های بنزنی در نانو حلقه، باعث جابه جایی ضد تشدیدها در نمودار رسانش می شود.

اسناد مشابه

  • وابستگی رسانش الکترونی یک نانو‌حلقه کربنی به محل اتصال هادی‌ها و میدان مغناطیسی اعمالی

    مقاله۲۰۱۹پژوهش فیزیک ایرانمحمد مردانی، حسن ربانی، فاطمه مقدسی

    در این مقاله در رهیافت تنگابست و به روش تابع گرین رسانش الکترونی یک نانو‌حلقه کربنی را برای موقعیت‌های مختلف اتصال هادی‌ها به آن در حضور و غیاب میدان مغناطیسی بررسی کردیم. نتایج نشان می‌دهد که با نزدیک شدن هادی‌ها در نانو‌حلقه، رسانش تونل‌زنی در ناحیه گاف بهتر می‌شود. همچنین اعما

  • بررسی خواص الکترونی و مغناطیسی نانو حلقه گرافینی در حضور میدان مغناطیسی خارجی

    پایان‌نامه۲۰۱۴وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان - دانشکده فیزیکمحبوبه السادات حسینی اصفهانکی

    در این تحقیق خواص الکترونی و مغناطیسی نانو ساختارهای گرافینی مورد بررسی قرار گرفته است. ویژگی¬های منحصر به فرد گرافین باعث شده است برای کاربرد¬های الکترونی در مقیاس نانو بسیار مورد توجه باشد. با این وجود، مشکل اصلی کاربرد گرافین در ادوات الکترونیکی، نبود گاف در طیف انرژی آن است.

  • تأثیر تغییر مکان یک ناخالصی بر ترابرد الکترونی یک نانو حلقه در حضور میدان مغناطیسی

    پایان‌نامه۲۰۱۴وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهرکرد - دانشکده علوم پایهفاطمه مقدسی بروجنی

    از پدیده های جالبی که در الکترونیک مولکولی مورد بررسی قرار می گیرد، اثر میدان مغناطیسی در سامانه های شامل مولکول های حلقوی است. از جمله این سامانه ها مولکول فولرن و حلقه پلی استیلن است. با استفاده از روش هایی مانند تغییر محل اتصال هادی های ورودی و خروجی، اعمال میدان خارجی، تزریق