ویراساینس.
مقاله

بررسی خواص پراکندگی سیلیکان متخلخل

رضا ثابت داریانی، r. sabet-dariani عبدالله مرتضی علی، a. morteza ali & h nurani حکیمه نورانی

چکیده

سیلیکان متخلخل (ps) بر اثر آندیزاسیون الکتروشیمیایی روی ویفر سیلیکان به وجود می آید. تاکنون تحقیقات فراوانی درباره چگونگی تشکیل این ماده و خواص نوری آن به ویژه فوتولومینسانس (pl) انجام شده, اما هنوز سازوکار دقیق آنها شناخته نشده است. در این مقاله ابتدا نظریه پراکندگی نور از سطوح ناهموار تصادفی و سپس انعکاس و پراکندگی, جذب و عبور نور از ps بررسی می شود و سرانجام کارهای عملی انجام شده بر روی نمونه هایی که ساخته ایم و مقایسه آنها با نظریه پراکندگی ارایه می شود.

اسناد مشابه

  • بررسی خواص پراکندگی سیلیکان متخلخل

    مقاله۲۰۱۹پژوهش فیزیک ایرانرضا ثابت داریانی، عبدالله مرتضی علی، حکیمه نورانی

    سیلیکان متخلخل (PS) بر اثر آندیزاسیون الکتروشیمیایی روی ویفر سیلیکان به وجود می آید. تاکنون تحقیقات فراوانی درباره چگونگی تشکیل این ماده و خواص نوری آن به ویژه فوتولومینسانس (PL) انجام شده, اما هنوز سازوکار دقیق آنها شناخته نشده است. در این مقاله ابتدا نظریه پراکندگی نور از سطوح

  • بررسی وابستگی میکروساختارهای سطحی سیلیکان متخلخل و خواص اپتیکی آن

    مقاله۲۰۱۹پژوهش فیزیک ایرانسعیده رمضانی ثانی، عبدالله مرتضی علی

    در این مقاله اثر افزایش تخلخل و تغییرات میکروساختاری سطحی بر روی خواص اپتیکی و دی الکتریکی سیلیکان متخلخل بررسی شده است. تخلخل به عنوان یک ناهمواری سطحی در ابعاد میکرونی یا کوچکتر, که اثرات کوانتومی در فرایند جذب و انعکاس از سیلیکان متخلخل را نشان می دهد و نسبت به خواص اپتیکی سیل

  • بررسی وابستگی میکروساختارهای سطحی سیلیکان متخلخل و خواص اپتیکی آن

    مقالهپژوهش فیزیک ایرانسعیده رمضانی ثانی، saeideh rhramezani sani physics department, al-zahra university, tehran, iranگروه فیزیک، دانشگاه الزهرا، تهران عبدالله مرتضی علی، abdollah morteza ali physics department, al-zahra university, tehran, iranگروه فیزیک، دانشگاه الزهرا، تهران

    در این مقاله اثر افزایش تخلخل و تغییرات میکروساختاری سطحی بر روی خواص اپتیکی و دی الکتریکی سیلیکان متخلخل بررسی شده است. تخلخل به عنوان یک ناهمواری سطحی در ابعاد میکرونی یا کوچکتر, که اثرات کوانتومی در فرایند جذب و انعکاس از سیلیکان متخلخل را نشان می دهد و نسبت به خواص اپتیکی سیل

  • همبستگی تخلخل با زبری توسط طیف پراکندگی سطوح نانویی سیلیکان متخلخل

    مقالهپژوهش فیزیک ایرانرضا ثابت داریانی، r dariani department of physics, alzahra university, tehran, iranگروه فیزیک، دانشگاه الزهرا (س)، تهران ستاره ابراهیم نسب، s ebrahimnasab department of physics, alzahra university, tehran, iranگروه فیزیک، دانشگاه الزهرا (س)، تهران

    10 ma/cm2طیف بازتاب، چهار نمونه سیلیکان متخلخل تحت زمانهای خوردگی 2، 6، 10 و 14 دقیقه با چگالی جریاناندازه گیری شد. رفتار طیف بازتاب برای هر چهار نمونهیکسان، اما شدت آنها متفاوت بود و با افزایش زمان، شدت بازتاب، کاهش می یافت. دلیل عدم تغییر در رفتارهای طیف بازتاب ، یکسان بودن غلظ

  • همبستگی تخلخل با زبری توسط طیف پراکندگی سطوح نانویی سیلیکان متخلخل

    مقاله۲۰۱۹پژوهش فیزیک ایرانرضا ثابت داریانی، ستاره ابراهیم نسب

    10 mA/cm2طیف بازتاب، چهار نمونه سیلیکان متخلخل تحت زمانهای خوردگی 2، 6، 10 و 14 دقیقه با چگالی جریاناندازه‌گیری شد. رفتار طیف بازتاب برای هر چهار نمونهیکسان، اما شدت آنها متفاوت بود و با افزایش زمان، شدت بازتاب، کاهش می‌یافت. دلیل عدم تغییر در رفتارهای طیف بازتاب ، یکسان بودن غلظ

  • شبیه سازی اثرات نوع آلایش و چگالی جریان در رشد سیلیکان متخلخل به روش اصلاح شده انبوهش پخش محدود

    مقالهپژوهش فیزیک ایرانسکینه مینائی فرد، s. minaeifard alzahra universityدانشگاه الزهرا(س) رضا ثابت داریانی، r. dariani alzahra universityدانشگاه الزهرا(س)

    هدف از این مقاله وارد کردن اصلاحاتی به مدل انبوهش پخش محدود می باشد که بتواند اثرات نوع آلایش و چگالی جریان را درشکل ساختارهای به دست آمده طی رشد سیلیکان متخلخل شبیه سازی کند. برای تأثیر نوع آلایش, ضریب چسبندگی و برای تأثیر چگالی جریان, پارامتر میدان متوسط را به مدل انبوهش پخش مح