مردانی, محمد
. گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد
[ 1 ] - وابستگی رسانش الکترونی یک نانو‌حلقه کربنی به محل اتصال هادی‌ها و میدان مغناطیسی اعمالی
در این مقاله در رهیافت تنگابست و به روش تابع گرین رسانش الکترونی یک نانو‌حلقه کربنی را برای موقعیت‌های مختلف اتصال هادی‌ها به آن در حضور و غیاب میدان مغناطیسی بررسی کردیم. نتایج نشان می‌دهد که با نزدیک شدن هادی‌ها در نانو‌حلقه، رسانش تونل‌زنی در ناحیه گاف بهتر می‌شود. همچنین اعمال میدان مغناطیسی تأثیر زیادی بر طیف رسانش این نانو‌حلقه دارد، به گونه‌ای که وجود میدان باعث می‌شود مواردی که طیف رسانش …
[ 2 ] - اثر تغییر مکان یک‌بار یا دوقطبی الکتریکی بر ترابرد الکترونی یک نانو بلور با ساختار مکعبی ساده
در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگابست با فرض برهمکنش نزدیک‌ترین همسایه به بررسی رسانش و چگالی حالت‌های الکترونی یک نانو بلور نامتناهی با ساختار مکعبی ساده شامل یک بار یا دوقطبی الکتریکی واقع در سطح مقطع آن می‌پردازیم. نتایج نشان می‌دهد که با انتقال بار الکتریکی از مرکز به سمت سطح نانو بلور، ضریب عبور سامانه افزایش می‌یابد درحالی‌که انتقال دوقطبی از مرکز به سمت سطح نانو بلور ر…
[ 3 ] - اثر چرخش گشتاور مغناطیسی نقص ها روی رسانش وابسته به اسپین یک نانو سیم فرومغناطیس
در این مقاله، رسانش وابسته به اسپین یک سیم کوانتومی فرومغناطیس را در حضور یک یا دو نقص با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت بستگی قوی محاسبه نموده و تأثیر چرخش گشتاور مغناطیسی نقص (ها) را بر روی رسانش سامانه بررسی می کنیم. نتایج نشان می دهد که در سیم مغناطیسی، مستقل از وجود یا عدم وجود نقص، بازه مجاز انرژی نسبت به حالت غیرمغناطیسی به اندازه پارامتر وارونگی اسپینی جا به جا می شود. با ایجاد نقص و …
[ 4 ] - رسانش وابسته به اسپین یک نانو ساختار استخوان ماهی نوعی
در این پژوهش به مطالعه نظری خواص ترابرد الکتریکی وابسته به اسپین یک نانوساختار استخوان ماهی شامل دو اتم مغناطیسی در دو انتهایش پرداخته شده است. رسانش الکتریکی این نانو ساختار برای چند جهت‌گیری متفاوت گشتاورهای مغناطیسی این اتم‌ها که به دو رسانای غیرمغناطیسی نیمه نامحدود متصل‌اند، مورد بررسی قرار گرفته است. به کمک روش تابع گرین در رهیافت تنگابست به محاسبه و مقایسه ضریب عبور الکترونی وابسته به اسپی…
[ 5 ] - ترابرد الکترونی یک نانو ساختار نردبانی در حضور نقص‌های شبکه‌ای
در این تحقیق، به مطالعه عددی رسانش الکتریکی یک نانو ساختار نردبانی نامتناهی ایده‌آل در حضور و غیاب نقص‌های شبکه‌ای به کمک روش تابع گرین در رهیافت تنگابست پرداخته شده است. نقص‌های شبکه‌ای را می‌توان به عنوان اتصال‌های یک نردبان متناهی مرکزی به دو نردبان نیمه متناهی به عنوان هادی‌ها در نظر گرفت. نتایج نشان می‌دهد که ناحیه همپوشانی دو کانال رسانش نردبان را مقدار انرژی پرش در راستای پله تعیین می‌کند …
نویسندگان همکار