در این کار برخی از ویژگی‌های ساختاری، مغناطیسی و الکترونی ترکیبSrFe2O4  بررسی می‌شود. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت تقویت‌شدۀ خطی با پتانسیل کامل (FP-LAPW)، در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی با تقریب‌های مختلف برای انرژی تبادلی-‌همبستگی و با استفاده از نرم‌افزار Wien2k صورت گرفته است. نتایج نشان می‌دهند که برای ترکیب SrFe2O4 نظم فری‌مغناطیس، پایدارترین حالت مغناطیسی است که برای نظم فری‌مغناطیس،...

در این مقاله رسانش اسپینی گرافین گاف دار را محاسبه و نحوه تغییرات آن را با پارامتر های مختلفی از جمله مغناطش، اندرکنش کولنی و گاف انرژی بررسی می کنیم. برای هامیلتونی سیستم از مدل هابارد استفاده می کنیم. در دو وضعیت رسانندگی را به دست می آوریم. یکی بدون در نظر گرفتن اندرکنش کولنی بین الکترون ها و دیگری با حضور اندرکنش کولنی بین الکترون ها. می بینیم که در حالت غیر اندرکنشی با افزایش مغناطش و گاف ...

لایه های نازک zns در دو دمای مختلف زیر لایه 25oc و 200oc و در ضخامت های مختلف 100nm-600nm بر روی زیرلایه شیشه به روش تبخیر در خلاء لایه نشانی شدند. طیف جذب و عبور برای تعیین گاف انرژی، ضریب جذب و ثابت خاموشی نمونه ها تهیه گردید. از بررسی این طیف ها مشخص شد که با کاهش دمای زیر لایه گاف اپتیکی نمونه ها کاهش وبا کاهش ضخامت آنها گاف اپتیکی افزایش می یابد. این پدیده می تواند به اثر کوانتمی سایز ذرات...

اکسید قلع، نیمه رسانای نوع-n با گاف نواری پهن می باشد. این مواد در شکل فیلم نازک دارای مقاومت الکتریکی پایین ، تراگسیلندگی بالا در ناحیه مرئی و بازتابندگی مناسب در ناحیه فروسرخ می باشد . همچنین به علت پایداری خوب در تکنولوژی الکترونیک نوری نظیر پوشش های بازتابنده ، فیلتر های uv و ir ، لایه های حرارتی ، الکترودهای شفاف در سلول های خورشیدی ، نمایشگر های صفحه تخت و نیز به عنوان سنسور های گازی مورد...

در این پروژه، به ساخت و بررسی خصوصیات فتوولتائیکی سلول های خورشیدی پلیمری لایه نازک متشکل از پلیمر های پلی تری متیل تیوفن و پلی پیرول پرداخته شده است. سه نوع سلول متفاوت پلیمری: تک لایه پلیمری، تک لایه ترکیبی (کو پلیمری) و دو لایه پلیمری ساخته شد. بازدهی سلول تک لایه ترکیبی نسبت به دو سلول دیگر بیشتر بدست آمد که به نظر می رسد به دلیل کوپلیمریزاسیون و کوچک شدن گاف انرژی و افزایش جریانisc می باشد...