نتایج جستجو برای: ترانزیستور اثر میدان فلز نیمه هادی

تعداد نتایج: 184388  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ارومیه - دانشکده علوم 1387

چکیده ندارد.

ژورنال: :مهندسی مکانیک و ارتعاشات 0
نادر رهبر عضو هیات علمی/ دانشگاه آزاد سمنان مرضیه سیاه مرگویی دانشجو

ترموالکتریکها دستگاههای حرارتی حالت جامد هستند. آنها نیمه هادیهایی هستند که با استفاده از اثر سیبک تولید جریان الکتریکی و بر اساس اثر پلتیر به عنوان نیمه هادی خنک کننده استفاده میشوند. ترموالکتریک دارای قابلیتهای جالبی در مقایسه با دستگاههای برقی و خنککنندههای معمولی است. عدم وجود قطعات در حال حرکت منجر به افزایش قابلیت اطمینان، کاهش در تعمیر و نگهداری، و افزایش عمر سیستم میشود. عدم وجود سیال ب...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید بهشتی - دانشکده علوم 1377

بررسی خواص ساختاری مواد، بویژه نیمرساناها، یکی از موضوعات مهم مورد بحث در فیزیک حالت جامد است . در این میان محاسبه مواردی همچون انرژی همدوسی، ثابت شبکه، مدهای فونی، ثابتهای الاستیک و ساختار اتمی سطوح بلورها از اهمیت شایانی برخوردارند. محاسبه مستقیم موارد فوق در سه بعد و آنهم در ساده ترین حالتها یعنی در غیاب کاستی های بلور، اعم از ناخالصی، تهی جا و دررفتگیها همواره مشکل آفرین بوده و حتی در موارد...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شیراز - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر 1393

این پایان نامه به تشریح روش های بهبود در عملکرد qd-vcsoa از جمله سرعت بخشیدن به فرآیند بازیابی بهره و فاز و همچنین افزایش پهنای باند بهره می پردازد. نیاز به ارتباطات سریع تر، دائماً رو به افزایش است. بنابراین، شمار زیادی از پژوهش های مرتبط با تقویت کننده های نوری نیمه هادی، به موضوع زمان بازیابی بهره اختصاص یافته است. این مشخصه ی زمانی، به خصوص در نرخ بیت های زیاد اهمیت زیادی دارد. برای اولین ب...

ژورنال: :فیزیک زمین و فضا 2000
غلام رضا نوروزی ناصر حسین زاده گویا محمدرضا حاتمی

اگر ماده رسانایی دریک میدان مغناطیسی قرارگیرد‘ در آن جریانهای الکتریکی که به جریانهای ادی معروفند القا می شود و در مسیرهای بسته ای جاری می شوند. این جریانها به نوبه خود تولید یک مغناطیسی ثانویه می کنند. بنابراین در هر نقطه از فضای اطراف هادی ‘ میدان کلی ترکیبی از دو میدان مغناطیسی اولیه و ثانویه است. بطور کلی نتیجه این ترکیب یک میدان مغناطیسی است که بیضی وار قطبیده شده است. در روش vlf میدان ا ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده علوم پایه 1393

در سالهای اخیر بررسی اثرات همدوسی و تداخل کوانتومی از سیستم های اتمی و مولکولی به سیستم های نیمه هادی خصوصا در حالت های با ابعاد کاهش یافته گسترش پیدا کرده است. برهمکنش نور همدوس با مواد نیمه¬هادی، پدیده های کوانتومی بسیار جالبی را موجب می¬شود. از جمله این پدیده ها می توان به شفافیت القایی الکترومغناطیسی اشاره کرد. در این اثر تغییر خواص محیط اپتیکی درحضور میدان الکترومغناطیسی انجام می شود. در ا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید بهشتی - دانشکده علوم 1376

هدف از این رساله دست یابی به تکنولوژی رسد بلور نیمه هادی insb و اندازه گیری مشخصات ان و نهایتا ساخت اشکار سازهای فوتو رسانای insb می باشد. برای این منظور ضمن معرفی روشهای استاندارد رشد بلور با استفاد از روش برجیمن عمودی، نمونه هایی از تک بلور insb رشد داده شد. برای مقایسه این نمونه با نمونه های تجارتی، مشخصات بلور اندازه گیری قرار گرفت . این مشخصات عبارتند از تغییرات ثابت هال، رسانندگی، تحرک ال...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان - دانشکده شیمی 1393

نانو بلور های فلز سولفید شامل zns، cds، pbs، ag2s و hgs با مورفولوژی های گوناگون شامل ذرات، میله ها، کره ها و درختسان ها با استفاده از یک روش سولوترمال تهیه شدند. واکنش ها در دما و زمان های مختلف، در حضور عامل سولفیدکننده ی جدید از دسته ی تیوبازشیف ها (2- (بنزیل ایدن آمینو) بنزن تیول) بدون حضور سورفکتانت انجام شدند. اثر عوامل مختلف نظیر دما، زمان، نوع حلال و غلظت عامل سولفیدکننده بر روی مورفولو...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
فرامرز صحراگرد f sahra gard sultan qaboos university of omanدانشگاه سلطان قابوس عمان

یک سلول uhv شکست اتمی هیدروژن جهت تولید هیدروژن اتمی به منظور تمیز سازی درجای نمونه های نیمه هادی ساخته شده است. این سلول به منظور تمیز سازی نمونه های گروه سه تا پنج جدول تناوبی عناصر نظیر gaas تنظیم و مورد آزمایش قرارگرفته است. درکارحاضر فرایند شیمیایی تمیزسازی هیدروژن نمونه های gaas توسط طیف سنجی جرمی مورد مطالعه قرارگرفت. روش xps روی نمونه ها در مراحل مختلف تمیزسازی به کارگرفته شد. دفع اکسید...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه علم و صنعت ایران - دانشکده مهندسی برق 1384

دیود گان یکی از مهمترین ادوات نیمه هادی مایکروویو محسوب می شود که برای تولید و تقویت توان در محدوده پایین و متوسط، و فرکانس ighz تا بیش از 100ghz بکار گرفته می شود ویژگی های مثبت باعث استفاده گسترده از آن در نواحی مدارهای مایکروویو برای کاربردهای گوناگون شده است. این دیودها از نیمه هادی معدودی مانند inp, gaas و gan با ساختار باند انرژی ویژه قابل ساختند و روش های مختلف رونشانی برای ساخت آن ها ...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید