ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه‌هادی (MOSFET (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (SOI) به‌طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می‌روند. بنابراین، دست‌یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می‌آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می‌گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...

برای اولین بار، در این مقاله یک ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی تونل زنی جدید پیشنهاد شده است که در این ساختار جدید به جای استفاده از یک دوپینگ سنگین در ناحیه درین ساختار متداول، از یک دوپینگ خطی استفاده شده است. این دوپینگ از وسط ناحیه درین به صورت خطی به سمت ناحیه کانال گسترش یافته است. میزان ناخالصی در محل اتصال کانال-درین صفر است. این ساختار ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی تونل ...

هدف: میزان بالای همبودی میان اختلال دوقطبی و اختلال وسواسی جبری می­تواند به دلیل فرآیندهای فراتشخیصی مشترک باشد؛ بنابراین، هدف پژوهش حاضر ارزیابی نقش سه فرآیند راهبردهای تنظیم شناختی هیجان، اضطراب و تکانشگری در ایجاد و تداوم اختلال دوقطبی و اختلال وسواسی جبری بود. روش: 25 بیمار مبتلا به اختلال دوقطبی (11 زن و 14 مرد)، 25 بیمار مبتلا به اختلال دوقطبی همبود با وسواس/ جبری (12 زن و 13 مرد) و 25 نف...

اختلالات خلقی از شایع ترین اختلالات روان پزشکی می باشند که در این میان اختلال دوقطبی از اهمیت ویژه ای برخوردار است، زیرا مراجعه بیمار در دوره افسردگی باعث تشخیص اشتباه بیماری گردیده، درمان این افراد را دچار مشکل می نماید. در این مطالعه ما به بررسی شیوع طیف دوقطبی در بیماران با تشخیص اولیه افسردگی پرداختیم . روش کار: این تحقیق یک مطالعه ی توصیفی می باشد که بر روی 250 بیمار مراجه کننده به کلینیک...

امواج الکترومغناطیسی در برخورد با بردهای الکترونیکی، جریان و ولتاژ در مدارها القا می کنند. اندازه میدان کوپل شده، به خصوصیات جبهه موج و برد الکترونیکی بستگی دارد. در این مقاله با حل معادلات ماکسول به روش fdtd1 و شبیه سازی سه بعدی از شرایط مرزی لایه های کاملا منطبق2 و روش tf/sf3، برای شبیه سازی انتشار موج در برد و محیط و بررسی تأثیر مشخصات موج تابشی در القا بر روی خطوط میکرواستریپ برد مدار چاپی ...

دما یکی از کمیاتی است که نقش مهمی در تصمیم گیری دارد. بنابرین لازم است این کمیت با دقت کافی اندازه¬گیری شود. امروزه، سنسورهای دمایی نظیر مقاومت پلاتینیوم و ترموکوپل که سنسورهای دقیقی هستند، جای خود را به سنسورهای دمای طراحی شده در تکنولوژی cmos، با دقت بالا، داده¬اند. در این پایان نامه به شرح نحوه¬ی طراحی حسگر هوشمند دمایی که در تکنولوژی 0.18?m طراحی شده است پرداخته می¬شود. این حسگر دمای ?c ??-...

در این مقاله ساختار جدیدی برای ترانزیستور سه‌گیتی (SG-TD) ارائه شده است. در این ساختار با به کار بردن سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس و ایجاد تونل‌زنی به درون ناحیه سورس، مشخصه‌های ماسفت سه‌گیتی در مقایسه با ساختار ماسفت‌های سه‌گیتی مرسوم (C-TG) بهبود داده شده است. در ساختار پیشنهادی علاوه بر اینکه عایق بودن ترانزیستور در زیر کانال حفظ می‌شود، اثرات منفی آن نیز کاهش می‌یابد. در ساختار ارائه  شده...

هدف این پژوهش مقایسه کیفیت‏زندگی و سلامت‏روانی همسران بیماران مبتلا به اختلال اسکیزوفرنی، دوقطبی، افسردگی ‏اساسی و افراد بهنجار بود. جامعه‏ آماری این پژوهش را همسران بیماران اسکیزوفرن، دوقطبی و افسرده ‏اساسی مراجعه‏کننده به بخش روان‏پزشکی بیمارستان امام حسین(ع) و بیمارستان روان­پزشکی رازی، همین‏طور همسران بیماران اسکیزوفرن در انجمن حمایت از افراد اسکیزوفرن «احبا» و همسران افراد بهنجار تشکیل داد...

صفحات دوقطبی فلزی از کلیدی ترین اجزای پیل سوختی می باشند که به عنوان بهترین جایگزین به جای صفحات گرافیتی محسوب می شوند. انتخاب فرایند شکل دهی مناسب، تاثیر زیادی در هزینه تمام شده و کیفیت صفحات تولید شده ایجاد می کند. از فرآیندهای نو در ساخت صفحات دوقطبی فلزی شکل دهی با دمش گاز می باشد. در این پژوهش شکل پذیری صفحات آلومینیوم 8111 با ضخامت 200 میکرون در قالب های شیاری مقعر مورد بررسی قرار گرفت. ش...

نانو ذرات  siبه روش تبخیر با باریکه بر روی زیر لایه  p-si(111)در زاویای °0، °75 و °85 ساخته شد. مقاومت سطحی نمونه ها به روش ون در پاو اندازه گیری و با نمونه زیر لایه سیلیکان مقایسه شد. نتائج نشان داد به علت افزایش زاویه از °75 به °85 نانو ذرات سیلیکان با تخلخل بیشتری شکل می گیرند در نتیجه نمونه °85 توانایی حمل جریان بیشتر در ولتاژ های مشابه از خود نشان می دهد. این در حالیست که مساحت سطحی و در ن...