در این پروژه، رباتی موازی با چهار درجه آزادی (غلتش، چرخش، گردش، خیزش) سکوی متحرک، با ساختار جدید طراحی شده است که می توان تا حدودی از این ربات به عنوان یک ربات موازی کامل(شش درجه آزادی) استفاده نمود و این قابلیت، به برتری نسبی این ربات نسبت به سایر ربات های طراحی شده با درجات آزادی بالا تر، اشاره دارد. روابط و معادلات مربوط به طراحی ایزوتروپیک، سینماتیک معکوس، دینامیک و کنترل این ربات برای مانو...

. در این تحقیق ابتدا نحوه شکل گیری حلقه های مزوسکوپی در مرز دو نیمه رسانای ناهمگون بررسی شد. سپس ترابرد اسپین و رسانندگی هال اسپینی و همچنین تاثیر شدت جفت شدگی اسپین-مدار و تأثیر میدان مغناطیسی خارجی در حلقه های مزوسکوپی چهار پایانه ای مورد بررسی قرار گرفت.نشان داده شده است که اگرچه اثر راشبا موجب شکافت اسپینی ترازهای انرژی می¬شود اما از میزان قطبیدگی اسپینی ترازها می¬کاهد که این موضوع تأثیر نا...

چکیده از زمان پیشنهاد طرح ترانزیستور اثر میدانی اسپینی مبتنی بر برهمکنش اسپین- مدار راشبا در سال 1990 تا کنون تلاش های زیادی برای تزریق و آَشکارسازی جریان های اسپین قطبیده در یک ماده ی نیم رسانا منجر به گسترش حوزه های مگنتوالکترونیک و اسپینترونیک گردیده است. لذا مطالعه ی خواص ترابرد بار و اسپین حلقه های مزوسکوپی بالیستیک نظیر مقاومت مغناطیسی تونل زنی، تشدیدهای رسانندگی، جریان های پایدار بار و ا...

اسپینترونیک یا الکترونیک بر پایه ی اسپین، شامل، مطالعه، کنترل و دستکاری درجات آزادی اسپین در سیستم های حالت جامد است. در این پایان نامه، روی اصول فیزیکی اسپینترونیک که دربرگیرنده ی تولید قطبش اسپینی حامل ها، دینامیک اسپینی و انتقال اسپین قطبیده در نیمه رساناها و فلزات می باشد، بحث شده است، همچنین اثرات مختلف تزریق اسپین و خصوصیات مواد را بررسی کرده و نتایج آن را برای سیستم های چندلایه ای به کار...

رساناهای دانه ای دسته ی جدیدی از مواد مصنوعی با ویژگی تونل زنی کنترل پذیر در مقیاس نانو هستند که از دانه هایی با اندازه متغیر چند نانو متر تا صد نانومتر تشکیل شده اند. این رساناها کاربردهای زیادی در صنایع الکترونیک، اپتیک و اپتوالکتریک دارند و گستره کاربرد آن ها از وسایل منتشر کننده نور تا سلول های فتو ولتایی و حسگرهای زیستی می باشد. از رایج ترین روش های سنتی ساخت چنین موادی تبخیر حرارتی و ر...

برای تعیین بهره انرژی همجوشی و گداخت، همچنین برای تغییر دما با زمان در مورد ساچمه‌های فشردة DT، D3He، DD، H11B و 3He3He در فضای عاری از میدان مغناطیسی تاکنون محاسبات متعددی انجام شده است. مقایسة نتایج تجربی بهرة انرژی با نتایج شبیه‌‌سازی همجوشی در میدان لختی برای مدل های گداخت جرقه‌ایو گداخت حجمی، درستی و دقت مدل بکار برده شده را نشان می‌دهد. یکی از ش...

اسپینترونیک شاخه ی جدیدی از نانوالکترونیک است که بر استفاده از اسپین الکترون برای ساخت قطعات الکترونیکی جدید با کارایی بالاتر نسبت به الکترونیک سنتی تاکید دارد. نانوساختارهای مختلط فرومغناطیسی و ابررسانایی عناصر اصلی اسپینترونیک را تشکیل می دهند. مطالعه ی خصوصیات ساختارهای مختلط فرومغناطیسی و ابررسانایی به دلیل پتانسیل بالای آنها برای کاربرد در ساخت قطعات الکترونیکی جدید بسیار مورد توجه قرار گر...

با به کار گیری روش پتانسیل کامل امواج تخت بهبودیافته، در تقریب چگالی موضعی با در نظر گرفتن پلاریزاسیون اسپینی، چگالی حالت سیستم sr2ruo4 را محاسبه نموده ایم. با این بررسی می توانیم سهم هر کدام از حالات نزدیک سطح فرمی را تعیین نموده و پارامترهایی از قبیل اندازه میدان کریستالی، شکافتگی تبادلی، و میزان هیبریداسیون بین اتم های مختلف را بررسی کنیم. برای بررسی این کمیت ها در دو تقریب متفاوت محاسبات را...

در این پروژه ابتدا فرض می شود که پروتون از سه کوارک ظرفیت تشکیل شده و این سه کوارک را دریای کوارک و پاد کوارک احاطه کرده است. با توجه به اینکه کوارک و پاد کوارک ها در برخورد رودررو نابود شده و تولید لپتون می نمایند لذا با این فرض با محاسبه و مشخص کردن تابع توزیع کوارک و دریای کوارکی داخل پروتون می توان سطح مقطع تولید لپتون و پاد لپتون ها را در برخورد پروتون – پروتون و پروتون - پاد پروتون بدست آ...