‌‌در این مطالعه، با بهره‌گیری از نتایج آزمایشگاهی و به منظور بررسی جامع رفتار حرارتی نانو‌سیالات، دو پارامتر بدون ‌بُعد جدید، یعنی پارامتر رسانش حرارتی ( ) و پارامتر لزجت دینامیکی ( ) معرفی شدند. با استفاده از پارامترهای بی‌بُعد معرفی شده، تأثیر دمای کارکرد نانو‌سیال، نوع سیال پایه، جنس و اندازه نانو‌ذرات بر بهبود حرارتی نانو‌سیال مورد مطالعه قرار گرفت. نتایج نشان می‌دهد که استفاده از نانو‌سیال م...

در این پایان نامه با استفاده از معادلات حاکم بر گذار بین حالت های جایگزیده موجود در گاف انرژی و حالت های گسترش یافته نوارهای رسانش و ظرفیت در نیم رسانای سیلیکان هیدروژنه آمورف، قابلیت هدایت نوری حالت پایا محاسبه شده است. حالت های جایگزیده به صورت توزیع نمایی مربوط به کشیدگی نوار رسانش و ظرفیت و نیز حالت های پیوندی معلق در نظر گرفته شده است. وابستگی قابلیت هدایت نوری به دما و شدت نور تابشی مورد ...

فناوری¬های نوین هم¬اکنون سهم چشمگیری را در پیشرفت صنایع شیشه¬سازی به خود اختصاص داده¬اند. امروزه توجه بسیاری از کارخانجات و صنایع گوناگون مرتبط به استفاده از این فناوری¬ها برای گسترش دادن شیشه هوشمند، هر چه بیشتر از پیش شده است. بررسی شیشه¬های هوشمند که برتری¬های شایان توجهی نسبت به سایر شیشه¬ها دارند، از اهمیت ویژه¬ای برخوردار است. در این پایان نامه نخست ویژگی¬های عمده شیشه را برشمردیم و سپس م...

در این مقاله اثر میزان شار اکسیژن هنگام لایه نشانی بر روی ضریب شکست لایه اکسید آلومینیوم بررسی شده است. لایه های  توسط تفنگ الکترونی بر روی زیرلایه شیشه ای در شارهای متفاوت اکسیژن انباشته شده اند. درجه حرارت زیرلایه در زمان لایه نشانی 250 درجه سلسیوس ثابت نگه داشته می شود. طیف عبوری نمونه ها با استفاده از اسپکتروفوتومتر در محدوده طول موجی  اندازه گیری شده اند. سپس با استفاده از نقاط بهینه (بیشی...

روش مگنتوتلوریک (زمین مغناط برقی mt) یکی از روش های الکترومغناطیسی است که با استفاده از میدان های طبیعی الکترومغناطیسی متغیر با زمان زمین اطلاعاتی راجع به ساختار رسانش ویژه الکتریکی زیر سطحی فراهم می کند. جابه جایی ایستا یکی از اختلال هایی است که به واسطة حضور توده های رسانای سطحی ایجاد می شود. لذا این جابه جایی به منزله یکی از مراحل پردازش داده های مگنتوتلوریک، باید تصحیح شود. در نبود اطلاعات ...

در گرافین بدون گاف به دلیل طیف الکترونی منحصر به فردش، رسانش الکتریکی در نقطه دیراک، یک کمینه از مرتبهe^2/h دارد. این موجب شده است که استفاده از این ماده در قطعات الکترونیکی به سهولت امکان پذیر نباشد. یک راه برای غلبه بر این مشکل ایجاد گاف در طیف انرژی گرافین می باشد که شکست تقارن وارونی(تقارن زیر شبکه ها) به وجود می آید. همزمان با شکست تقارن وارونی مفهوم فاز بری و انحنای بری و اثرات نابهنجار آ...

ترکیب بین فلزی �تیتانیوم آلومیناید با هدف بکارگیری به عنوان بدنه متخلخل مستحکم به روش سنتز احتراقی خود گستر ایجاد شد. از پودر تیتانیوم و آلومینیوم� به عنوان مواد اولیه استفاده شد. مواد اولیه در یک آسیاب با یکدیگر مخلوط شده و سپس به روش پرس سرد از آن قطعاتی تهیه گردید. قطعات حاصل تحت گرمایش با نرخ 500 درجه بر دقیقه قرار گرفت و موج احتراق در آنها مشاهده شد. در این تحقیق فشار پرس جهت ساخت قطعات خا...

ساختار و گاف نواری الکترونی چند دستۀ مختلف از ساختارهای TiO2 به وسیلۀ نظریۀ تابعی چگالی و با تابعی‌های PBE و HSE06 محاسبه شد. مقادیرگاف نواری محاسبه شده توسط HSE06 برای فازهای روتیل و آناتاس به ترتیب 3.4 و 3.58 الکترون‌ولت بدست آمد که با مقادیر تجربی 3 و 3.2 الکترون‌ولت در توافق است. مدول حجمی نیز برای فازهای روتیل و آناتاس توسطPBE محاسبه گردید و به ترتیب مقادیر 226 و 205 گیگاپاسکال برای آنها ب...

در این مقاله، رسانش و قطبش وابسته به اسپین را در یک حلقه گرافینی هگزاگونال (HGR) متصل به سه رابط نیمه بی نهایت و در حضور شار مغناطیسی عمودی و برهمکنش اسپین-مدار راشبا (RSOI) به صورت نظری مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج با استفاده از مدل تنگ بست از طریق فرمالیسم تابع گرین غیر تعادلی به دست آمده است و نشان می دهد در غیاب شار مغناطیسی و در مقادیر مناسبی از قدرت راشبا و انرژی الکترون های ورودی، می ...

در این مقاله به معرفی ساختار و خواص غشای تبادل پروتون نفیون به­عنوان رایج‌ترین غشای استفاده­شده در فرایندهای الکتروشیمیایی و جداسازی پرداخته شده است. بدین منظور، در ابتدا خانواده‌ غشاهای پرفلوئوروسولفونیک اسید معرفی شده که نفیون مهم‌ترین عضو آن است. سپس، مراحل سنتز نفیون همراه با جزئیات و چالش‌ها و نیز ساختار نفیون و شکل­شناسی آن در مرحله‌ بعد بحث و بررسی شده است. روش نام‌گذاری انواع غشاهای نفی...