در این مقاله در رهیافت تنگابست و به روش تابع گرین، ویژگی های ترابرد اسپینی در یک نانونوار سیلیسینی زیگزاگ که به دو الکترود نیم نامتناهی فلزی متصل شده است را در حضور میدان های الکتریکی، تبادلی و بی نظمی بررسی می نماییم. محاسبات ما نشان می دهد که در حضور میدان الکتریکی عمود بر ورقه سیلیسین و بی نظمی، گذار فاز فلز- نیم‌رسانا در سامانه رخ می دهد. همچنین با تغییر پهنایی از نوار که میدان الکتریکی به ...

در این مقاله، خواص الکترونی و اپتیکی سه نمونه از جدیدترین ساختارهای پنج ضلعی تک لایه شامل C4B2، C2B4 و C2N4 بر مبنای نظریۀ تابعی چگالی (DFT) و با اجرای کد محاسباتی Wien2k مورد مطالعه قرار گرفته است. در بخش خواص الکترونی، با رسم ساختار نواری و منحنی های چگالی حالت های کلی و جزئی، این نتایج حاصل شد که این ساختارها از نظر الکترونی، به ترتیب با داشتن گاف انرژی ای در حدود 0.2، 1.2 و 3.1 الکترون-ولت ...

نانولوله ها دارای تنوع بسیار در قطر و کایرالیتی هستند و خصوصیات الکتریکی آنها شدیداً به هندسه شان وابسته است در نتیجه خصوصیات الکتریکی بسیار متفاوتی دارند. نانولوله ها می توانند فلز، نیمه رسانا با گاف انرژی کوچک یا نیمه رسانا با گاف انرژی متوسط باشند. به علت این تنوع تعیین گاف انرژی آنها امری پیچیده است. در این پایان نامه گاف انرژی نانولوله های کربنی را در دو بخش محاسبه کردیم. در بخش اول با استف...

ما جفت شدگی موج d را نزدیک تشدید فشباخ بررسی خواهیم کرد. با استفاده از پتانسیل نوزیرز و اشمیت ـ رینک که دامنه پراکندگی انرژی ـ پایین دو جسمی را ایجاد می کند با کمینه سازی انرژی به پاسخ تحلیلی معادله گاف و حالت زمینه در دمایt=0  خواهیم رسید.

وابستگی دمایی مغناطو - اپتیکی و مغناطو - رسانش نوری در بازه 200 تا 300 کلوین اندازه گیری شده است. یخچال اپتیکی مورد اندازه گیری ساخت آزمایشگاه محلی است. برای این نمونه، گاف انرژی اندازه گیری شده در دمای اتاق ev 2.211 به دست آمد. ضریب دمایی گاف انرژی اندازه گیری شده با روش جذب نوری ev/k -5.48×10-4 و با اندازه گیری رسانش نوری ev/k -4.90×10-4 به دست آمد. اندازه گیری ضریب میدان مغناطیسی گاف انرژی ن...

در اوایل دهه 1980، tio2 برای اولین بار به¬ عنوان فتوکاتالیست مناسبی برای حذف آلاینده-های آلی ساخته شد. از آن پس مطالعه و تحقیق فراوانی در زمینه¬ی کاربرد این ماده برای خاصیت فتوکاتالیستی آن مطرح شد. دلیل این امر در واقع اندازه شکاف¬انرژی مناسب، قیمت مناسب، غیر سمی بودن این ماده، داشتن فعالیت فتوکاتالیستی در دمای اتاق، سطح ویژه زیاد، بالا بودن بهره فتوکاتالیستی آن همچنین پایداری آن از نظر شیمیایی...

اکسید روی (zno) نانو ساختار، قابلیت های بالایی برای کاربردهای نوری، فتوالکتروشیمایی و فتوکاتالیستی، زیستی و ضد میکروبی دارد. هر چند این خواص می تواند بسته به شکل و اندازه ذرات متفاوت باشند. بمنظور بهبود رفتار اکسید روی، روش های متنوعی ارائه شده است که بصورت خلاصه می توان به آلائیدن این مواد با فلزات، کامپوزیت کردن و اصلاح سطحی آنها اشاره کرد. در حقیقت این فرایند تحت عنوان مهندسی گاف انرژی شناخت...