اگر ماده رسانایی دریک میدان مغناطیسی قرارگیرد‘ در آن جریانهای الکتریکی که به جریانهای ادی معروفند القا می شود و در مسیرهای بسته ای جاری می شوند. این جریانها به نوبه خود تولید یک مغناطیسی ثانویه می کنند. بنابراین در هر نقطه از فضای اطراف هادی ‘ میدان کلی ترکیبی از دو میدان مغناطیسی اولیه و ثانویه است. بطور کلی نتیجه این ترکیب یک میدان مغناطیسی است که بیضی وار قطبیده شده است. در روش VLF میدان ا ...

سلول های خورشیدی مبتنی بر پلیمرها در سال های اخیر به شدت مورد توجه قرار گرفته است و آن هم به دلیل راحتی تهیه پلیمرها و ارزانی آنها می باشد.. . جذابیت ویژه نیمه هادی های آلی مربوط به زیر لایه پلاستیکی انعطاف پذیر آن می باشد که منجر به کاربردها و محصولات مصرفی ارزان با انعطاف بالا و وزن کم می شود. یک راه حل برای بهبود جذب نوری، بهینه کردن کوپل بین سلول خورشیدی و نور ورودی است. مخصوصاً در آن قسمتی ...

در ترانزیستورهای فلز-اکسید-نیمه رسانای مکمل (cmos) ضخامت گیت اکسید سیلیکون 1 تا 2 نانومتر است. کاهش ضخامت به 1 نانومتر برای تولیدات آتی این ترانزیستورها سبب افزایش جریان تونلی و همچنین جریان نشتی می گردد. از جمله مواد مناسب اکسید هافنیوم است که ثابت دی الکتریک بالایی دارد، گاف نواری آن پهن بوده و در تماس با زیرلایه سیلیکونی دارای تعادل حرارتی است. در کار حاضر فرایندهایی در جهت سنتز hfo2 به کار ...

تغییر سطح فرمی در سطح کاتالیست بر فعالیت کاتالیستی اثر می‌گذارد. یک روش برای تغییر این سطح، استفاده از میدان الکتریکی خارجی در فرایند کاتالیستی هتروژن است. در این پژوهش HZSM-5 بارگذاری شده با اکسید فلز آهن در یک میدان الکتریکی خارجی با قدرت مناسب برای تجزیه و تحلیل فعالیت کاتالیزوری قرار داده شد. این پژوهش اولین گزارش ارائه شده برای اثر تشدید زئولیت و میدان الکتریکی خارجی برای تولید اولفین است ...

دیودگان از یک توده نیمه هادی با ساختار نواری ویژه ساخته می شود. اساس عملکرد دیودگان بر پایه تشکیل یک ناحیه رسانایی منفی در منطقه فعال آن می باشد. ساختار نوارهای باند انرژی نیمه هادی مورد نظر بگونه ای باید باشد که الکترونها تحت تاثیر یک میدان الکتریکی قوی، از یک حالت تحرک زیاد به یک حالت تحرک کم انتقال یابند که تحت این مکانیزم ، نیمه هادی در حالت رسانایی منفی قرار می گیرد، لذا در این حالت دیود ب...

رفتار دوقطبی همسان و تونل زنی نوار به نوار در ترانزیستورهای ساخته شده از نانولوله های کربنی، سد راه مجتمع سازی این افزاره ها است. از این رو، بر آن شدیم تا ساختاری را طراحی و پیشنهاد کنیم که این دو مشکل را مرتفع سازد. در این پایان نامه، ساختار ماسفت جدیدی بر پایه ی نانوله های کربنی پیشنهاد و شبیه سازی می شود. نواحی سورس درین این ترانزیستور تشکیل شده از نانولوله ی چند جداره که با پیش روی به سوی ...

دراین رساله مختصری در رابطه با فناوری نانو و کاربردهای آن پرداخته شده است. سپس ساختار اتم کربن و پیوندهای بین اتمهای آن و بویژه گرافیت، گرافن و نانولوله کربنی اعم از رسانا و نیمه رسانا که با تغییر کایرالیته بوجود می آیند و ترازهای انرژی، چگالی حالت و چگونگی ساخت نیمه هادی نوع n و p با نانولوله کربن پرداخته شده است. در ادامه ساخت ترانزیستور با استفاده از نانولوله کربن از دو نوع سد شاتکی و شبه mo...

در این مقاله ساختار الکترونی -کریستالی ترکیب های نیمه هادی گالیم نیترید، آلومینیوم نیترید و آلومینیوم گالیم نیترید که قطبش پذیری خودبه خودی در راستای محور 0001 دارند و از خصلت پیزوالکتریکی خوبی برخوردار هستند، مورد مطالعه قرار گرفتند. بررسی پارامترهای ساختاری، گاف نواری، عامل قطبش پذیری و شدت آن برای نیمه هادی های دوگانه آلومینیوم نیترید، گالیم نیترید و تأثیر متقابل آنها در جایگزینی گالیم با آل...

ظهور دیود لیزرهای ارگانیک ویژگی های بازدهی الکترولومینسنس و فوتولومینسنس بالا، تنظیم پذیری در کل طیف مرئی به وسیله ترکیب های شیمیایی، سادگی ساخت، هزینه کم، انعطاف پذیری، ناحیه فعال وسیع و مقطع جذب نوری وسیع (حدوداً cm2 15-10 ) را به همراه داشته است. واضح است که این قابلیت ها ناشی از استفاده از نیمه هادی های ارگانیک در این ساختارهاست. درنتیجه در دهه های اخیر، این دیود لیزرها بسیار مورد توجه قرار ...

بلورهای نیمه هادی کاربرد وسیعی در ساخت قطعات الکترونیکی و مدارهای مجتمع دارند. ژرمانیوم یکی از بلورهای نیمه-هادی است که در صنایع الکترونیک و مخابرات به صورت دیود و ترانزیستور به کار می رود. در کاربردهای الکتریکی علاوه بر این که ژرمانیوم باید به شکل تک بلور باشد، درجه ی خلوص آن نیز از اهمیت زیادی برخوردار است. مهمترین تکنیک رشد این نیمه هادی، رشد از فاز مذاب و به روش چکرالسکی می باشد. یکی از قدر...