در این پژوهش نانو ذرات فریت نیکل روی جا­نشانی شده با مس، با ترکیب ni0.65zn0.35cuxfe2-xo4  )2/0، 18/0، 15/0، 12/0، 1/0، 05/0، 0) = x  به روش سل­ ژل و با استفاده از پلی وینیل الکل (pva) تهیه شد و خصوصیات ساختاری و مغناطیسی نمونه­ها به وسیله­ی آنالیزهای مختلف مورد بررسی قرار گرفت. نتایج به دست آمده از پراش پرتو ایکس (xrd) نشان می­دهد که پارامتر ثابت شبکه و میانگین اندازه­ی بلورک­ها با افزایش مس در...

در این تحقیق نانوذرات مغناطیسی آهن اکسید و نانوکامپوزیت های آهن اکسید/ هیدروکسی آپاتیت به روش هم رسوبی ساخته شدند. نانوذرات ساخته شده با استفاده از دستگاه های الگوی پراش پرتوی ایکس ((xrd، میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی fesem))، اسپکتروفوتومتری تبدیل فوریه ی مادون قرمز ft-ir)) و مغناطیس سنج نمونه ی ارتعاشی(vsm) مشخصه یابی شدند. الگوی پراش پرتوی ایکس نمونه ها ساختار هگزاگونال هیدروکسی آپاتی...

در این پژوهش، نخست روش سل- ژل برای تهیه ی نانوکامپوزیت fe-al2o3 به کار گرفته شد که به دلیل محدودیت ها، دست یابی به فاز دلخواه ممکن نشد و بدین ترتیب روش تهیه تغییر داده شد. با این وجود در این بخش موفق شدیم روش تازه ای برای تهیه ی هرسنیت بیابیم. سپس نانوکامپوزیت fex-(al2o3)1-x با روش آسیاب کاری مکانیکی تهیه گردید. نخست نمونه هایی با x برابر با 3/0، 4/0، 5/0 و 6/0 به مدت 100 ساعت آسیاب کاری شدند و...

امروزه نانوذرات به خاطر ویژگی های مغناطیسی، الکتریکی و اپتیکی تازه شان که با ویژگی های کپه ای شان متفاوت است، بسیار مورد توجه دانشمندان و مهندسان قرار گرفته اند. فریت کبالت (cofe2o4) دارای نیروی وادارندگی بالا و مغناطش میانه است. این ویژگی ها به همراه پایداری شیمیایی و فیزیکی بسیار بالا، موجب شده تا نانوذرات فریت کبالت برای کاربرد در محیط های ضبط مغناطیسی مناسب باشد. ویژگی مغناطیسی این نانوذرات...

در این تحقیق نانوذرات مغناطیسی هیدروکسی آپاتیت به روش هم رسوبی ساخته شدند. نانوذرات ساخته شده با استفاده از دستگاه های الگوی پراش پرتو ایکس (xrd)، میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (fesem)، اسپکتروفوتومتری تبدیل فوریۀ مادون قرمز (ft-ir) و مغناطیس سنج نمونۀ ارتعاشی (vsm) مشخصه یابی شدند. الگوی پراش پرتو ایکس نمونه ها ساختار هگزاگونال هیدروکسی آپاتیت و تتراگونال مگمایت را تأیید کرد. نتایج میکر...

کاربردهای فوق العاده ی نانوسیم های مغناطیسی و اهمیت و ارزش پدیده gmr در نانوسیم های متشکل از مواد مغناطیسی و غیرمغناطیسی ما را بر آن داشت تا برای تحقیق و پژوهش در این عرصه گام نهیم و سعی کنیم تا با بررسی اثر شرایط الکتروانباشت پالسی بر کاهش مقدار مغناطش در نانوسیم های آلیاژی cocu در غلظت های مختلف مس، به شرایط بهینه برای ساخت نانوسیم های چند لایه ای دست یابیم. در تحقیق و پژوهش حاضر علاوه بر تلا...

با استفاده از تکنیک پرتو الکترونی در دمای اتاق 5 نمونه فیلم co/cu روی زیر لایه سیلیکون (si(lll)) در ضخامت های متفاوت رشد داده، و با تکنیک پراش سنجی اشعه x مشخصه یابی ساختاری آنها مورد بررسی قرار گرفت. با کمک فرمول شرر ضخامت مربوط به کریستال sio2 به اندازه 93nm بدست آمد این مقدار در محاسبات ضخامت کل همه نمونه ها در نظر گرفته شد. از تکنیک بازتاب سنجی اشعه x میزان رشد لایه ای و یا جزیره ای نمونه ه...

چکیده: در این پروژه نانوسیم¬های مغناطیسی ni در قالب حفره¬دار آلومینا رشد داده شد. ابتدا نانوحفره¬های منظم با آرایش شش گوشی با قطرnm 30و فاصله بین حفره¬ای nm 100، با روش آندایز دو مرحله¬ای ساخته شدند. از آنجا که کیفیت و چگونگی رشد نانوسیم¬ها تحت تأثیر لایه سدی آلومینا قرار می¬گیرد، به منظور بهینه سازی شرایط الکترونهشت دماهای مختلف (8، 16، 24 و 32 درجه سانتیگراد) برای لایه سدی واثر آن بر خواص مغ...

فریت های هگزاگونال نوع m با فرمول عمومی mfe12o19 که در آن m=ba,sr,pb می باشد، جزء مواد مغناطیسی دائمی هستند. این فریت ها به دلیل خواص جالب از قبیل مغناطش اشباع، ناهمسانگردی تک محوری و وادارندگی مغناطیسی بالا بسیار مورد توجه می باشند. هگزافریت سرب به دلیل داشتن دمای بلوری شدن پایین تر نسبت به دو نمونه ی مشابه خود، بسیار مورد توجه واقع شده است. در این پایان نامه، پس از ساخت نانوذرات هگزافریت سرب ...

در ضبط مغناطیسی, از منحنی مغناطش باقی مانده محیط بر حسب میدان اعمال شده,(mr(h, پارامترهایی به دست می آیند که بیانگر خواص محیط از لحاظ ظرفیت ضبط و نسبت سیگنال به نوفه می باشند. بنابر مدل sw)stoner-wohlfarth), حلقه پسماند ذره مغناطیسی تک حوزه ناهمسانگرد, در جهت آسان ذره, مربعی شکل است و در جهت سخت آن بین دو حد hk و hk - خطی می باشد. در مورد بافتی از ذرات یکسان با محورهای آسان موازی, نوفه محیط به ...