در دهه های اخیر مطالعات زیادی بر روی نانوذرات پتاسیم منیزیم فلوراید (kmgf3) و باریم فلوراید (baf2) به صورت خالص و آلاییده شده با انواع ناخالصی ها نظیر فلزات واسطه و عناصر خاکی کمیاب صورت گرفته است. از ویژگی های بارز و مشترک هر دو ماده می توان به داشتن یک گاف نواری وسیع و ساختار مکعبی ساده آن ها اشاره کرد که باعث می شود ناخالصی به راحتی در شبکه آن ها وارد شود. داشتن گاف نواری وسیع خود عاملی است ...

دراین رساله ضمن ساخت و مطالعه حالت جامدی لایه نازک نامتجانس نیمه هادی ‏‎n-cds/p-cdte‎‏ شرایط بهینه ساخت و پارامترهای انباشت تعیین شدند. ما پس از مطالعه اپتیکی ، اپتوالکترونیکی و ساختاری لایه های ‏‎cds‎‏ و ‏‎cdte‎‏ به کمک طیف نگاری ، ‏‎xrd‎‏، ‏‎rbs‎‏ و ‏‎sem‎‏ ، ساختار کریستالی لایه ، صفحات رشد و فواصل آنها، پارامترهای نوری ، توپولوژی سطح و ناخالصیهای لایه را به دست آوردیم. از مقایسه این منحنی ه...

امروزه ساختار های بلوری با ابعاد نانویی مانند نانو سیم ها و نانو میله ها به دلیل ویژگی های بی نظیرشان در کاربردهای الکترونیکی و اپتیکی موضوع مطالعه گسترده به شمار می آیند.افزایش نیاز به ساخت ساختار های ابزاری کوچکتر مارا به سمت مطالعه و تحقیق در مورد نانو ساختار ها سوق می دهد.موفولوژی های بی نظیر نانوساختارها نشان می دهند که آنها برای کاربرد های متنوعی مانند سنسورهای گازی آشکارسازهای نوری گسیلن...

در این پژوهش، سنتز نقاط کوانتومی CdTe و نقاط کوانتومی هسته CdTe و پوسته CdSe، CdS، ZnS و ZnSe به روش هم‌رسوبی انجام شد. در این راستا ابتدا هسته CdTe سنتز و اثر زمان تقطیر برگشتی یک تا هفت ساعت بر خواص نورتابی، گاف نواری، ساختار و ریزساختار آن بررسی گردید. نتایج نشان ...

با استفاده از نظریة تابعی چگالی خواص الکتریکی و اپتیکی هگزاگونال بورون نیترید (h-BN) دو لایه تحت کرنش صفحه ای دو محوری بررسی می شوند. محاسبة انرژی کل دو حالت برهم چینش AA و AB نشان می دهد که حالت AB پایدارتر از حالت AA است. h-BN دو لایه دارای گاف نواری غیر مستقیم به اندازة 4.33 eV در راستایK-M است. با اعمال کرنش تراکمی، کمینة نوار رسانش در نقطة M نسبت به تراز فرمی به سمت بالا و لبة نوار رسانش د...

ساختار و گاف نواری الکترونی چند دستۀ مختلف از ساختارهای TiO2 به وسیلۀ نظریۀ تابعی چگالی و با تابعی‌های PBE و HSE06 محاسبه شد. مقادیرگاف نواری محاسبه شده توسط HSE06 برای فازهای روتیل و آناتاس به ترتیب 3.4 و 3.58 الکترون‌ولت بدست آمد که با مقادیر تجربی 3 و 3.2 الکترون‌ولت در توافق است. مدول حجمی نیز برای فازهای روتیل و آناتاس توسطPBE محاسبه گردید و به ترتیب مقادیر 226 و 205 گیگاپاسکال برای آنها ب...

اکسید لانتانیم ، la2o3، ترکیب شیمیایی است که شامل عنصر لانتانیم خاک های نادر و اکسیژن می باشد. اکسید لانتانیم در بیشترین گاف انرژی را در بین اکسیدهای فلزی خاک های نادر دارد (ev 3/4). این ترکیب، کمترین انرژی شبکه و بیشترین ثابت دی الکتریک را در بین اکسیدهای فلزی خاک های نادر دارد. این خصوصیات باعث می شود که از این ترکیب به عنوان لایه های دی الکتریک در وسایل مختلف، سنسورهای گاز و پوشش های محافظت ...

ولتاژهای گذرای داخلی یا تخلیه های الکترواستاتیکی خارجی خسارت های جبران ناپذیری به سیستم های الکتریکی و الکترونیکی، که حساسیت زیادی به ولتاژهای ناخواسته ی مختلف دارند، وارد می کنند. بنابراین، باید روشی برای حفاظت از قطعات الکترونیکی در برابر این ولتاژها در نظر گرفته شود. یک روش عملی برای غلبه بر ولتاژهای ناخواسته، استفاده از نیم رساناهای هوشمند برای محافظت از چنین سیستم هایی می باشد. این مقاومت ...

چکیده ندارد.

چکیده ندارد.